Both oxidizers produce sulfates as

Both oxidizers produce sulfates as reaction byproducts, which are soluble in water, and therefore, they are easily removed with water from the silicon surface without any harmful effects.

Fig. 4 shows the effect on the MRR by the addition of Oxone and K2S2O8 as oxidizers to CeO2 slurry at pH-value 12, where the results with H2O2 have been incorporated in the same figure as reference. It can be seen that for lower oxidizer concentration, the MRR value decreases, regardless the type of oxidizer used. When the oxidizer concentration reaches a critical value of 0.25–0.5%, the material removal rate begins to increase. The observed effects can be explained by the mechanism proposed by Wang et al., [19]: (i) when a small amount of H2O2 is added, a passivation layer is formed on the sample surface which could protect the silicon surface from the OH− present at the basic pH-value 12 value and a smooth surface will be achieved; (ii) nevertheless when H2O2 is added beyond a certain critical value, the passivation layer will be eroded by OH− producing a rough surface, and in consequence there will not be a passivation layer covering the silicon surface.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ทั้ง oxidizers ผลิตซัลเฟตเป็นปฏิกิริยาผลพลอยได้ ซึ่งไม่ละลายในน้ำ และดังนั้น พวกเขาจะง่ายเอาน้ำจากพื้นผิวซิลิโคนไม่มีผลอันตรายใด ๆรูป 4 แสดงผลบน MRR โดยการเพิ่ม Oxone และ K2S2O8 เป็น oxidizers CeO2 สารละลายที่ค่า pH 12 ไปที่การรวมผลลัพธ์กับ H2O2 ในรูปอ้างอิงเดียวกัน จะเห็นได้ว่า สำหรับความเข้มข้น oxidizer ต่ำ ค่า MRR ลด ไม่คำนึงถึงชนิดของ oxidizer ที่ใช้ เมื่อความเข้มข้น oxidizer ถึงค่าสำคัญของ 0.25 – 0.5% อัตราการกำจัดวัสดุเริ่มต้นเพื่อเพิ่ม ผลการสังเกตสามารถอธิบายได้ โดยกลไกการนำเสนอโดย Wang et al., [19]: (i) เมื่อเพิ่มจำนวนเล็ก ๆ ของ H2O2 ชั้นฟิล์มจะเกิดขึ้นบนพื้นผิวตัวอย่างที่สามารถปกป้องพื้นผิวซิลิโคนจาก OH− อยู่ในค่าพื้นฐานค่า pH 12 และผิวเรียบจะทำ ได้ (ii) อย่างไรก็ตาม เมื่อเพิ่ม H2O2 เกินค่ากำหนดสำคัญ ชั้นฟิล์มจะถูกกัดเซาะ ด้วย OH− ผลิตพื้นผิวขรุขระ และผลที่ตามมา จะไม่มีชั้นฟิล์มครอบคลุมพื้นผิวซิลิโคน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ทั้งสองออกซิไดเซอร์ผลิตซัลเฟตเป็นผลพลอยได้จากปฏิกิริยาที่ละลายในน้ำและดังนั้นพวกเขาจะถูกลบออกได้อย่างง่ายดายด้วยน้ำจากพื้นผิวของซิลิกอนโดยไม่มีผลอันตรายใด ๆ . รูป 4 แสดงให้เห็นผลกระทบต่ออัตราดอกเบี้ย MRR โดยนอกเหนือจาก Oxone และ K2S2O8 เป็นออกซิไดเซอร์เพื่อ CEO2 สารละลายที่ค่า pH 12 ซึ่งผลกับ H2O2 ได้รับการจัดตั้งในรูปเช่นเดียวกับการอ้างอิง จะเห็นได้ว่าความเข้มข้นของสารออกซิไดต่ำกว่าค่า MRR ลดลงโดยไม่คำนึงถึงประเภทของการสันดาปที่ใช้ เมื่อความเข้มข้นของสารออกซิไดถึงค่าที่สำคัญของ 0.25-0.5%, อัตราการกำจัดวัสดุที่เริ่มต้นที่จะเพิ่มขึ้น ผลกระทบที่สังเกตสามารถอธิบายได้ด้วยกลไกที่นำเสนอโดย Wang et al, [19]:. (i) เมื่อจำนวนเล็ก ๆ ของ H2O2 มีการเพิ่มชั้นฟิล์มจะเกิดขึ้นบนผิวหน้าของตัวอย่างที่สามารถปกป้องผิวซิลิคอนจาก OH - ปัจจุบันที่พื้นฐานค่า pH 12 คุ้มค่าและมีพื้นผิวเรียบจะประสบความสำเร็จ; (ii) อย่างไรก็ตามเมื่อ H2O2 ถูกเพิ่มเกินกว่าค่าที่สำคัญบางอย่างทู่ชั้นจะถูกกัดเซาะโดย OH- ผลิตพื้นผิวขรุขระและผลที่ตามมาก็จะไม่เป็นชั้นฟิล์มครอบคลุมพื้นผิวซิลิกอน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทั้งการ oxidizers ผลิตเป็นผลพลอยได้ของปฏิกิริยา ซึ่งจะละลายในน้ำและดังนั้นพวกเขาจะลบออกได้อย่างง่ายดายด้วยน้ำจากผิวซิลิโคน ไม่มีผลที่เป็นอันตรายใด ๆรูปที่ 4 แสดงให้เห็นถึงผลกระทบต่อลูกค้าโดยการเพิ่มและการ oxone โพแทสเซียมเพอร์ซัลเฟตเป็น oxidizers CeO2 ที่มีค่า pH ที่ 12 ซึ่งผลลัพธ์กับแบตเตอรี่ได้รวมอยู่ในรูปเดียวกัน เป็นข้อมูลอ้างอิง จะเห็นได้ว่า เพื่อลดความเข้มข้นของไอออไนซ์ มูลค่าที่ลดลงสูงสุด ไม่ว่าประเภทของการสันดาปใช้ . เมื่อถึงค่าวิกฤตของการสันดาปความเข้มข้น 0.25 – 0.5 % , วัสดุอัตราการกำจัดเริ่มต้นที่จะเพิ่มขึ้น สังเกตที่ผลสามารถอธิบายได้ด้วยกลไกที่เสนอโดย Wang et al . , [ 19 ] : ( i ) เมื่อเพิ่มจำนวนเล็ก ๆของ H2O2 , รุ้ง ชั้นจะเกิดขึ้นบนผิวหน้าของตัวอย่างที่สามารถปกป้องพื้นผิวซิลิกอนจากโอ้−ปัจจุบันพื้นฐานค่า pH 12 ค่า และผิวจะ ได้ ; ( ii ) อย่างไรก็ตามเมื่อเพิ่มนอกเหนือจากวิกฤต H2O2 แน่นอนค่า รุ้ง ชั้นจะถูกกัดเซาะโดยโอ้−การผลิต พื้นผิวขรุขระ และในนั้นจะไม่มีรุ้ง ชั้นครอบคลุมพื้นผิวซิลิกอน