Based on the previously explained p

Based on the previously explained principles, we must be able
to predict the extent of the space charge limited field (SCLF) to
assess the severity of a defect. For axi-symmetric defects, we
can do this using 2-D transient nonlinear finite element analysis
with field-dependent conductivity. The key parameters in such a
computation are the defect geometry, the background field, and
the space charge limited field of the dielectric.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

จากหลักการที่อธิบายไว้ก่อนหน้านี้ เราต้องสามารถการคาดการณ์ขอบเขตของพื้นที่ค่าฟิลด์จำกัด (SCLF) การประเมินความรุนแรงของข้อบกพร่อง สำหรับข้อบกพร่องแบบ axi เราสามารถทำได้โดยใช้การวิเคราะห์องค์ประกอบจำกัดไม่เชิงเส้นแบบชั่วคราว 2 Dมีค่าการนำไฟฟ้าขึ้นอยู่กับฟิลด์ พารามิเตอร์สำคัญในการคำนวณมีข้อบกพร่องเรขาคณิต พื้นหลังฟิลด์ และค่าธรรมเนียมพื้นที่จำกัดของการเป็นฉนวน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ขึ้นอยู่กับก่อนหน้านี้อธิบายหลักการเราต้องสามารถ
ที่จะคาดการณ์ขอบเขตของค่าใช้จ่ายที่มีพื้นที่ จำกัด ฟิลด์ (SCLF) เพื่อ
ประเมินความรุนแรงของข้อบกพร่องที่ สำหรับข้อบกพร่อง AXI สมมาตรเรา
สามารถทำเช่นนี้การวิเคราะห์โดยใช้ 2-D ชั่วคราวไม่เชิงเส้นองค์ประกอบ จำกัด
ด้วยการนำข้อมูลขึ้นอยู่กับ พารามิเตอร์ที่สำคัญดังกล่าวใน
การคำนวณเป็นรูปทรงเรขาคณิตข้อบกพร่องข้อมูลพื้นหลังและ
ค่าใช้จ่ายในพื้นที่ที่ จำกัด ของข้อมูลอิเล็กทริก

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยก่อนหน้านี้เราต้องสามารถอธิบายหลักการทำนายขอบเขตของค่าใช้จ่ายที่ จำกัด พื้นที่สนาม ( sclf )ประเมินความรุนแรงของข้อบกพร่อง สำหรับ AXI สมมาตรข้อบกพร่องเราสามารถทำได้โดยใช้การวิเคราะห์ไฟไนต์เอลิเมนต์แบบไม่เชิงเส้น 2 มิติกับเขตข้อมูลขึ้นอยู่กับการนำ พารามิเตอร์ที่สำคัญเช่นการคำนวณเป็นข้อบกพร่องทางเขตพื้นหลังค่าบริการพื้นที่ จำกัด สาขาของไดอิเล็กตริก .