FeRAM is Ferro-electric Random Acce

FeRAM is Ferro-electric Random Access Memory from 32Kbit to 256Kbit configuration developed by ferroelectrics process and CMOS process technology.
No backup by battery, high speed random read/write, rewrite up to 1 trillion times and low power consumption are offered for various applications.
LAPIS Semiconductor's FeRAM ensures high quality and uninterrupted supply within ROHM group.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Ferro-ไฟฟ้าหน่วยความจำเข้าถึงโดยสุ่มเป็น FeRAM จาก 32Kbit การตั้งค่าคอนฟิก 256Kbit ที่พัฒนา โดย ferroelectrics กระบวนการ CMOS ของกระบวนการและเทคโนโลยีไม่สำรอง ด้วยแบตเตอรี่ อ่านสุ่มของความเร็วสูง/เขียน เขียนถึง 1 ล้านล้านครั้ง และใช้พลังงานต่ำมีให้บริการโปรแกรมประยุกต์ต่าง ๆลาพิสเกลาสารกึ่งตัวนำ FeRAM มั่นใจคุณภาพและอุปทานอย่างต่อเนื่องภายในกลุ่มของโรม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

FeRAM เป็น Ferro ไฟฟ้าแรม 32Kbit จากการกำหนดค่า 256kbit พัฒนาโดยกระบวนการ ferroelectrics และเทคโนโลยีกระบวนการ CMOS.
สำรองจากแบตเตอรี่ไม่มีความเร็วสูงแบบสุ่มอ่าน / เขียนเขียนถึง 1000000000000 ครั้งและใช้พลังงานที่ต่ำเพื่อให้การใช้งานต่างๆ
FeRAM ลาปิเซมิคอนดักเตอร์มั่นใจที่มีคุณภาพสูงและการส่งมอบอย่างต่อเนื่องในกลุ่ม ROHM

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

feram คือโรไฟฟ้าเข้าถึงหน่วยความจำแบบสุ่มจาก 32kbit เพื่อ 256kbit ค่าพัฒนาโดย ferroelectrics กระบวนการและเทคโนโลยีประมวลผล CMOS .
ไม่มีสำรองจากแบตเตอรี่แบบอ่าน / เขียนความเร็วสูง เขียนถึง 1 ล้านครั้ง และใช้พลังงานต่ำจะเสนอโปรแกรมต่างๆ ของ feram
ลาพิสเซมิคอนดักเตอร์คุณภาพสูงและอุปทานอย่างต่อเนื่องภายในร่ม กรุ๊ป .