The addition of a trivalent atom (e

The addition of a trivalent atom (e.g. boron) to silicon leads to an empty
electron state, or positive hole, which can be ionized from the effective single
negative charge e on the B atom. The ionization energy is again about 0.01 eV,
as might be expected. Therefore the doping of silicon with boron leads to the introduction of acceptor states about 0.01 eV above the top of the valence band,
as shown in Fig. 2.11, and to p-type semiconductivity. In the case of n- or p-type
semiconductivity the temperature dependence of the conductivity is similar to
that in Eq. (2.37) with Eg replaced by Ei.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

แห่งอะตอมเป็น trivalent (เช่นโบรอน) กับซิลิกอนที่นำไปว่างสถานะของอิเล็กตรอน หรือหลุมบวก ซึ่งสามารถ ionized จากเดียวมีประสิทธิภาพอีประจุลบในอะตอม B พลังงานการ ionization จะอีกประมาณ 0.01 eVอาจคาดหวังเป็น ดังนั้น โดปปิงค์ซิลิคอนกับโบรอนนำไปสู่การแนะนำของ acceptor อเมริกาประมาณ 0.01 eV ด้านบนด้านบนของแถบเวเลนซ์ตามที่แสดง ใน Fig. 2.11 และชนิด p semiconductivity ในกรณีที่ n หรือ p-ประเภทอาศัยอุณหภูมิของนำที่มีลักษณะคล้ายกับ semiconductivityที่ใน Eq. (2.37) กับ Eg แทน โดย Ei

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

นอกจากนี้ของอะตอม trivalent (เช่นโบรอน)
ซิลิกอนที่จะนำไปสู่ความว่างเปล่าของรัฐอิเล็กตรอนหรือหลุมบวกซึ่งสามารถแตกตัวเป็นไอออนที่มีประสิทธิภาพจากเดียวประจุลบอีเมล์ในอะตอม
B พลังงานไอออไนซ์เป็นอีกครั้งเกี่ยวกับ 0.01 eV,
เป็นอาจจะคาดหวัง ดังนั้นยาสลบของซิลิกอนที่มีโบรอนนำไปสู่การยอมรับการแนะนำของรัฐเกี่ยวกับ 0.01 eV
ข้างต้นด้านบนของวงจุที่ดังแสดงในรูป 2.11 และ semiconductivity ชนิดพี ในกรณีของการละลายหรือพีประเภท
semiconductivity
ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของการนำคล้ายกับว่าในสมการ (2.37) ด้วยเช่นแทนที่ด้วย Ei

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

นอกจากนี้ของอะตอม trivalent ( เช่น โบรอน ซิลิคอนนําไปเปล่า )อิเล็กตรอนของรัฐหรือหลุมบวกซึ่งสามารถประจุจากผลเดี่ยวประจุลบที่ E B อะตอม ส่วนพลังงานไอออไนเซชันเป็นอีกครั้งประมาณ 0.01 รถไฟฟ้าเป็นอาจจะคาดหวัง ดังนั้นการเติมโบรอนซิลิคอนด้วย นำไปสู่การประมาณ 0.01 EV เหนือด้านบนของวาเลนซ์แบนด์พระนาสิกสหรัฐอเมริกาดังแสดงในรูปที่ 2.11 และพี semiconductivity . ในกรณีของพี - หรือsemiconductivity อุณหภูมิการพึ่งพาอาศัยกันของการนำคล้ายกับว่าในอีคิว ( 2.37 ) เช่น ถูกแทนที่ด้วยฮ้า .