To measure the refractive index and

To measure the refractive index and fabricate optical devices,
LFAR was dissolved in cyclopentanone (CP) at concentration
of 60–80 wt.%.With the presence of 8 wt.% photoinitiator
PI, the solution filtered by a syringe through a
0.22 μm Teflon membrane filter was spin-coated on the silicon
wafer substrates at a spin rate of 2000 rpm for 30 s. The
resulting film (2∼7 μm) was baked in an oven at 95◦C for
30 min, and then was irradiated by UV light to get a highly
transparent film. The film was finally baked in an oven at
120◦C for 1 h.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การวัดดรรชนีการประดิษฐ์อุปกรณ์ออปติคอลLFAR ถูกละลายใน cyclopentanone (CP) ที่ความเข้มข้นของ 60 – 80 wt.%มี 8 wt.% photoinitiatorPI โซลูชันที่ถูกกรอง โดยเข็มที่ผ่านการตัวกรองเยื่อเทฟลอน μm 0.22 ถูกหมุนเคลือบบนซิลิคอนขัดแผ่นพื้นผิวในอัตราหมุน 2000 รอบต่อนาทีสำหรับ 30 s ได้เกิดฟิล์ม (2∼7 μm) ถูกอบในเตาอบที่ 95◦C สำหรับ30 นาที แล้ว ถูก irradiated โดยแสง UV ได้เป็นอย่างมากฟิล์มโปร่งใส ฟิล์มถูกอบในเตาอบที่สุด120◦C สำหรับ 1 h

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การวัดดัชนีหักเหและผลิตอุปกรณ์แสง
LFAR ถูกกลืนหายไปใน cyclopentanone (CP) ที่มีความเข้มข้น
ของน้ำหนัก 60-80%.. ด้วยการปรากฏตัวของ 8 น้ำหนัก.% photoinitiator
PI, การแก้ปัญหากรองโดยผ่านเข็มฉีดยา
0.22 ไมโครเมตรเทฟลอน กรองเมมเบรนได้รับการหมุนเคลือบบนซิลิคอน
เวเฟอร์พื้นผิวที่อัตราการหมุน 2000 รอบต่อนาที 30 วินาที
ภาพยนตร์เรื่องนี้เป็นผล (2~7 ไมครอน) ได้รับการอบในเตาอบที่อุณหภูมิ95◦Cสำหรับ
30 นาทีและจากนั้นได้รับการฉายรังสีจากแสงยูวีที่จะได้รับสูง
ฟิล์มใส ภาพยนตร์เรื่องนี้ได้ในที่สุดอบในเตาอบที่
120◦Cเป็นเวลา 1 ชั่วโมง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การวัดค่าดัชนีหักเหและผลิตอุปกรณ์แสง
ลฟาร์ละลายในแปลงกาย ( CP ) ที่ความเข้มข้น 60 – 80
% โดยน้ำหนัก ด้วยการแสดงตนของ 8 % โดยน้ำหนัก photoinitiator
พี โซลูชั่น กรองด้วยกระบอกฉีดยาผ่านเยื่อกรองเทฟลอนμ M
เมื่อถูกหมุนที่เคลือบบนแผ่นซิลิคอน
พื้นผิว ที่ปั่นคะแนน 2000 รอบต่อนาทีเป็นเวลา 30 วินาที
ฟิล์ม ( 2 ∼ 7 μ M ) อบในเตาอบที่ 95 ◦ C
30 นาทีและจากนั้นถูกรังสี UV แสงที่จะได้รับสูง
โปร่งใสฟิล์ม ฟิล์มก็อบในเตาอบที่
120 ◦ C เป็นเวลา 1 ชั่วโมง