Single crystalline SiC nanowires we

Single crystalline SiC nanowires were synthesized by a catalyst free vapor deposition method using elemental silicon and graphite carbon as the starting materials. The phase, morphology, crystal structure, and defects of the products were characterized by x-ray diffraction, field emission scanning electron microscopy, and transmission electron microscopy. Within a 6 h reaction time, the morphology of the SiC nanowires can be tuned to cylinder, hexagonal prism, or bamboo shape by simply altering the reaction temperature from 1470 °C, 1550 °C to 1630 °C, respectively. The photoluminescence of these differently shaped SiC nanowires was measured and is discussed. Based on the characterization results, the vapor-solid growth mechanisms for the multi-shaped SiC nanowires are proposed by taking into account the possible reactions between intermediate gas phases, the reaction steps, and the surface energy minimization.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Nanowires SiC ผลึกเดียวถูกสังเคราะห์ ด้วยวิธีการสะสมไอน้ำฟรีเศษใช้ธาตุซิลิคอนและแกรไฟต์คาร์บอนเป็นวัสดุเริ่มต้น เฟส สัณฐานวิทยา โครงสร้างผลึก และข้อบกพร่องของผลิตภัณฑ์มีลักษณะ โดยการเลี้ยวเบนเอ็กซ์เรย์ microscopy อิเล็กตรอนสแกนมลพิษฟิลด์ และส่งอิเล็กตรอน microscopy ภายในเวลาปฏิกิริยา 6 h สามารถปรับรูปทรงกระบอก ปริซึมหกเหลี่ยม หรือไม้ไผ่รูปร่างสัณฐานวิทยาของ SiC nanowires โดยเพียงเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิปฏิกิริยา 1470 ° c ° C 1550 ถึง 1630 ° C ตามลำดับ Photoluminescence เหล่านี้ต่างจากรูป SiC nanowires เป็นวัด และมีการพูดถึง ตามผลการจำแนก กลไกการเจริญเติบโตของของแข็งไอ nanowires SiC หลายรูปมีการนำเสนอ โดยคำนึงถึงปฏิกิริยาที่เป็นไปได้ ระหว่างระยะก๊าซกลาง ขั้นตอนปฏิกิริยา การลดพลังงานพื้นผิว

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ชนิดผลึกเดี่ยวซิลิกอนนาโนที่สังเคราะห์โดยวิธีการใช้ตัวเร่งปฏิกิริยาฟรีไอคำให้การของพยาน และแกรไฟต์ คาร์บอนเป็นธาตุซิลิคอนวัตถุดิบเริ่มต้น . เฟส สัณฐานวิทยา โครงสร้างของผลึกและข้อบกพร่องของผลิตภัณฑ์ถูก characterized โดยการเลี้ยวเบนของรังสีเอกซ์ , สนามจากกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด และกล้องจุลทรรศน์อิเล็กตรอนแบบส่องกราด . ภายใน 6 ชั่วโมงเวลาปฏิกิริยาสัณฐานวิทยาของ SIC นาโนที่สามารถปรับกระบอกปริซึมหกเหลี่ยม หรือไม้ไผ่ รูปทรง โดยเพียงแค่การเปลี่ยนแปลงอุณหภูมิจาก 1  ° C 1550  ° C 1630  °องศาเซลเซียส ตามลำดับ ในแบบของเหล่านี้รูปร่างแตกต่างไป SIC นาโนที่วัด และกล่าวถึง ตามลักษณะผลไอแข็งของกลไกหลายรูป SIC นาโนที่เสนอโดยคำนึงถึงปฏิกิริยาที่เป็นไปได้ระหว่างระยะก๊าซกลางปฏิกิริยาขั้นตอนและพลังงานพื้นผิวลด .