As the supply voltage is scaled dow

As the supply voltage is scaled down, the conventional 6transistor (6T) SRAM design becomes increasingly susceptible to read or write upset failures due to the effects of VT variation. Previous work has addressed VT variation through alternative cell topologies [8]–[11] and row- and column-wise assist circuits [11]–[15]

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นการจัดหา แรงดันไฟฟ้าปรับสัดส่วนลง 6transistor ทั่วไปออกแบบพาร์ (6T) กลายเป็นอ่อนแอมากขึ้นเพื่ออ่าน หรือเขียนความล้มเหลวผิดหวังเนื่องจากผลกระทบของการเปลี่ยนแปลง VT งานก่อนหน้านี้ได้ส่งรูป VT ผ่านเซลล์อื่นยี [8] – [11] และ wise แถว และ column ช่วยวงจร [11] – [15]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในฐานะที่เป็นแรงดันจะลดขนาดลง 6transistor ธรรมดา (6T) การออกแบบ SRAM จะอ่อนแอมากขึ้นที่จะอ่านหรือเขียนความล้มเหลวไม่พอใจเนื่องจากผลกระทบของการเปลี่ยนแปลงเวอร์มอนต์ การทำงานก่อนหน้านี้ได้รับการแก้ไขเปลี่ยนแปลงโครงสร้าง VT ผ่านมือถือทางเลือก [8] - [11] และ row- และคอลัมน์ที่ชาญฉลาดช่วยให้วงจร [11] - [15]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นแรงดันถูกปรับลง 6transistor ธรรมดา ( 6T ) SRAM กลายเป็นอ่อนแอมากขึ้นการออกแบบเพื่ออ่านหรือเขียนผิดหวังล้มเหลวเนื่องจากผลของ VT ความแปรผัน ผลงานที่ผ่านมามีการเปลี่ยนแปลงผ่านทางเซลล์ VT รูปแบบ [ 8 ] - [ 11 ] และแถวและคอลัมน์ฉลาดช่วยวงจร [ 11 ] - [ 15 ]