first wafer: 1 – oxidation,2 – Al e

first wafer: 1 – oxidation,
2 – Al evaporation, 3 – lithography & Al pattern,
4 – spin thick photo-resist as sacrificial layer for 4.6 lm,
5 – lithography, 6 – ploy silicon deposition (LPCVD), 7 –
lithography & poly silicon pattern, 8 – releasing the
structure; second wafer: 1 – silicon dry etching 2 – wafer
bonding.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ก่อน ขัดแผ่น: 1 – ออกซิเดชัน2 – อัลระเหย ภาพพิมพ์หินและอัลลาย 3-4 – หมุนภาพต่อต้านหนาเป็นชั้นบูชาสำหรับ 4.6 lm5 – ภาพพิมพ์หิน –พลอยซิลิคอนสะสม (LPCVD), 7-6ภาพพิมพ์หินและโพลีซิลิคอนรูป 8 – ปล่อยตัวโครงสร้าง แผ่นเวเฟอร์ที่สอง: แผ่นเวเฟอร์ –ซิลิคอนแห้งแกะสลัก 2-1ยึด

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เวเฟอร์แรก: 1 - ออกซิเดชัน
2 - ระเหยอัล 3 - พิมพ์หินและรูปแบบอัล
4 - หมุนหนาภาพต้านทานเป็นชั้นเสียสละสำหรับ 4.6 ไมครอน,
5 - พิมพ์หิน, 6 - ปลดออกจากซิลิกอนพลอย (LPCVD) 7 -
พิมพ์หินและ รูปแบบซิลิกอนโพลี, 8 -
ปล่อยโครงสร้าง เวเฟอร์สอง: 1 - ซิลิกอนแห้งแกะ 2 -
เวเฟอร์พันธะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แผ่นแรก : 1 –ออกซิเดชัน ,
2 – 3 –หินล การระเหย &ล รูปแบบ ,
4 –ปั่นหนาเป็นชั้นสำหรับภาพต่อต้านการที่ 4.6 LM
5 – 6 , หุ้นส่วน–พลอย ซิลิคอน สะสม ( lpcvd ) 7
&โพลีซิลิคอนและภายในแบบแผน 8 –ปล่อย
โครงสร้าง ; เวเฟอร์ซิลิคอนแห้งที่สอง : 1 – 2 –การเวเฟอร์
เชื่อมความสัมพันธ์