Oxide thin films of Cu2O and ZnO we

Oxide thin films of Cu2O and ZnO were prepared by dip-coating into the corresponding colloidal dispersions. Contact profilometrymeasurements showed that a thin layer of ~300 nm can be obtained after one dip-coating sequence for both compounds, although particle shapes are different for Cu2O (spheres) and ZnO (rods).

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มบาง ๆ ออกไซด์ Cu2O และ ZnO ที่เตรียม โดยจุ่มเคลือบเป็น dispersions colloidal สอดคล้องกัน ติดต่อ profilometrymeasurements พบว่าบางชั้น ~ 300 nm ได้หลังหนึ่งจุ่มเคลือบลำดับสำหรับสารประกอบทั้งสอง ถึงแม้ว่ารูปร่างของอนุภาคจะแตกต่างกันสำหรับ Cu2O (ทรงกลม) และ ZnO (rods)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ออกไซด์ฟิล์มบางของ Cu2O และซิงค์ออกไซด์ที่ถูกจัดทำขึ้นโดยจุ่มเคลือบลงไปกระจายคอลลอยด์ที่สอดคล้องกัน ติดต่อ profilometrymeasurements แสดงให้เห็นว่าชั้นบาง ๆ ของ ~ 300 นาโนเมตรสามารถรับได้หลังจากลำดับจุ่มเคลือบสารทั้งสองแม้ว่ารูปร่างของอนุภาคแตกต่างกันสำหรับ Cu2O (ทรงกลม) และซิงค์ออกไซด์ (แท่ง)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มบางซิงค์ออกไซด์และออกไซด์ของ cu2o ถูกเตรียมโดยการเคลือบจิ้มที่คอลลอยด์ dispersions . ติดต่อ profilometrymeasurements พบว่าชั้นบางของ ~ 300 nm สามารถรับได้หลังจากจุ่มเคลือบลำดับสำหรับสารทั้งสอง ถึงแม้ว่ารูปร่างของอนุภาคที่แตกต่างกันสำหรับ cu2o ( ทรงกลม ) และสังกะสี ( แท่ง )