Vanadium-doped sampleThe optical sp

Vanadium-doped sample
The optical spectrum of this vanadium sample before irradiation retains the same UV absorption as the undoped sample and exhibits extra visible peaks.


These extra peaks show some indication of the presence of V3+ and V4+ ions. The presence of V5+ ions is not clearly confirmed because

The stability of the optical spectra within the UV-near visible absorption upon irradiation can be interpreted on the same basis as indicated by the presence of high percent of heavy Bi3+ ions.


The resolution of induced band at 650 nm can be related to the generation of more V3+ ions by photochemical reduction of V5+ and V4+ ions by accepting
generated electrons during the irradiation process.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตัวอย่างวาเนเดียมเจือ
สเปกตรัมแสงของตัวอย่างวาเนเดียมนี้ก่อนที่การฉายรังสีรักษาการดูดซึมยูวีเช่นเดียวกับตัวอย่าง undoped และการจัดแสดงยอดเขาสามารถมองเห็นได้พิเศษ


ยอดพิเศษเหล่านี้แสดงที่บ่งบอกถึงการปรากฏตัวของไอออน v3 และ v4 บาง การแสดงตนของไอออน v5 ไม่ได้รับการยืนยันอย่างชัดเจนเพราะ

เสถียรภาพของสเปกตรัมแสงภายในการดูดซึมที่มองเห็นยูวีใกล้กับการฉายรังสีสามารถตีความบนพื้นฐานเดียวกันตามที่ระบุไว้โดยการมีเปอร์เซ็นต์สูงของไอออนหนัก bi3


ความละเอียดของวงดนตรีเกิดที่ 650 นาโนเมตรสามารถที่เกี่ยวข้องกับรุ่นของไอออน v3 มากขึ้นโดยการลดปฏิกริยาเคมีแสงของไอออน v5 และ v4 โดยการยอมรับ
อิเล็กตรอนที่สร้างขึ้นในระหว่างขั้นตอนการฉายรังสี

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Doped วาเนเดียมอย่าง
สเปกตรัมแสงของตัวอย่างนี้วาเนเดียมก่อนวิธีการฉายรังสีรักษาดูดซึม UV เหมือนกันเป็นตัวอย่าง undoped และการจัดแสดงพิเศษมองเห็นยอดเขา


พีคส์เสริมเหล่านี้แสดงบางบ่งชี้สถานะของประจุ V3 และ V4 ของประจุ V5 ไม่ได้ชัดเจนยืนยันเพราะ

ความมั่นคงของแรมสเป็คตราแสงภายในดูด UV ใกล้เห็นซึมตามวิธีการฉายรังสีสามารถตีความบนพื้นฐานเดียวกันตามที่ระบุ โดยสถานะของประจุ Bi3 หนักเปอร์เซ็นต์สูง


ของวงอาจที่ 650 nm ที่สามารถเกี่ยวข้องกับรุ่น V3 กันเพิ่มมากขึ้น โดยลด photochemical V4 และ V5 ประจุ โดยการยอมรับ
สร้างอิเล็กตรอนระหว่างวิธีการฉายรังสีได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตัวอย่างเ - doped ตัวอย่าง
ช่วงออปติคอลไดรฟ์ของเนี้ก่อนฉายรังสียูวีดูดซับยังคงรักษาไว้ซึ่งเหมือนกับ undoped ตัวอย่างและยอดเขาสามารถมองเห็นได้จัดงานนิทรรศการที่พิเศษ


ยอดเขาพิเศษเหล่านี้แสดงบางส่วนของการมีอยู่ของ V 3 และ 4 เพิ่มพลังไอออน V การมีอยู่ของ 5 เพิ่มพลังไอออน V คือไม่ได้รับการยืนยันอย่างชัดเจนว่า เพราะ

ความเสถียรของระบบออปติคอลไดรฟ์ ภายใน ช่วยดูดซับรังสี UV - อยู่ใกล้กับสามารถมองเห็นได้ที่เมื่อฉายรังสีสามารถได้รับการตีความบนพื้นฐานเดียวกันตามที่ระบุไว้โดยการมีอยู่ของ% 3 เพิ่มพลังไอออนสูงของสองอย่างหนัก


ที่ความละเอียดของก่อคลื่นความถี่ที่ 650 nm สามารถที่เกี่ยวเนื่องกับรุ่น V 3 ไอออนมากขึ้นโดยการลดลงของเครื่องเคมี v 5 และ V 4 เพิ่มพลังไอออนโดยการยอมรับ
ซึ่งจะช่วยสร้างอิเล็กตรอนไปกระทบกับจอในระหว่างที่กระบวนการฉายรังสี.