10 and Warburton et al. [11], which

10 and Warburton et al. [11], which all focused on the modeling of nano-scale ALD process and substrate surface transitions. Based on such kind of works, the surface chemistry models are devel- oped, where the elementary reaction rates are calculated by the obtained adsorption and reaction energetics as well as the transi- tion-state configuration data. In this field, Deminsky et al. [12] developed the reaction kinetics model of zirconium and hafnium oxide film growth within the ALD reactor. Travis et al. [13,14] pro- posed a surface film growth model to investigate the ALD film growth as a function of various process parameters. These models can fundamentally reveal ALD process on the substrate surface and the related chemical kinetics. However, they have neglected the complicated transport process inside the ALD reactor chamber. Holmqvist et al. [6,15–17] presented a series of works on the Zn(C2H5)2–ZnOALDprocess,wheretheydevelopedamulti-physics model by considering both the detailed gas-surface reactions and the continuum gas flow. Such kind of detailed modeling can systematically investigate the real operation process. Due to the different surface reaction mechanisms and cycle manner, the modeling study of alumina deposition process also requires the coupling of surface reactions and cross-flow in the ALD reactor. However, to the best of our knowledge, none has been conducted yet.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

10 และวอร์เบอร์ตันและ al. [11], ซึ่งทั้งหมดเน้นการสร้างโมเดลของกระบวนการนาโนสเกล ALD และพื้นผิว พื้นผิวเปลี่ยน ขึ้นอยู่กับชนิดของงานเช่น รุ่นเคมีพื้นผิวได้ devel-oped ที่มีคำนวณอัตราปฏิกิริยามูลฐาน โดยพลังดูดซับและปฏิกิริยาที่ได้รับรวมทั้งข้อมูลสถานะสเตรชัน transi configuration ใน field นี้ Deminsky et al. [12] ได้พัฒนาแบบจำลองจลนพลศาสตร์ปฏิกิริยาของเซอร์โคเนียมและแฮฟเนียมออกไซด์ film เจริญเติบโตภายในเครื่องปฏิกรณ์ ALD ทราวิส et al. [13,14] โปร - อึ้งแบบ film ผิวเจริญเติบโตสืบ ALD film เจริญเติบโตเป็นฟังก์ชันของพารามิเตอร์กระบวนการต่าง ๆ แบบจำลองเหล่านี้สามารถพื้นฐานแสดง ALD ระหว่างพื้นผิวของพื้นผิวและจลนพลศาสตร์เคมีที่เกี่ยวข้อง อย่างไรก็ตาม พวกเขาได้ที่ไม่มีกิจกรรมการขนส่งที่ซับซ้อนภายในห้องเครื่องปฏิกรณ์ ALD Holmqvist et al. [6,15 – 17] นำเสนอชุดงานบน Zn (C2H5) 2-ZnOALDprocess รุ่น wheretheydevelopedamulti-ฟิสิกส์ โดยพิจารณาปฏิกิริยาแก๊สผิวละเอียดและ flow ก๊าซความต่อเนื่อง เช่นชนิดของโมเดลรายละเอียดอย่างเป็นระบบสามารถตรวจสอบการดำเนินงานจริง ลักษณะวงจรและกลไกปฏิกิริยาต่าง ๆ พื้นผิว การศึกษาโมเดลการสะสมอลูมินาต้องคลัปปฏิกิริยาผิวและขน-flow ในเครื่องปฏิกรณ์ ALD ยัง อย่างไรก็ตาม กับความรู้ของเรา ไม่มีการดำเนินการยัง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

10 และบูรตันและคณะ [11] ซึ่งทั้งหมดมุ่งเน้นไปที่การสร้างแบบจำลองของกระบวนการ ALD ระดับนาโนและพื้นผิวการเปลี่ยนพื้นผิว ขึ้นอยู่กับชนิดเช่นผลงานในรูปแบบทางเคมีพื้นผิวมีพัฒนาแล้วที่อัตราการเกิดปฏิกิริยาประถมคำนวณโดยที่ได้รับการดูดซับและปฏิกิริยาของพลังเช่นเดียวกับการที่รัฐข้อมูล Con Fi ไฟล์โครงสร้างที่ระบบ ในไฟไหม้ไฟนี้ Deminsky และคณะ [12] การพัฒนารูปแบบปฏิกิริยาจลนพลศาสตร์ของการเติบโต LM เซอร์โคเนียมและแฮฟเนียมออกไซด์ Fi ภายในเครื่องปฏิกรณ์มรกต เทรวิสและคณะ [13,14] โปรวางรูปแบบพื้นผิวการเจริญเติบโต Fi LM ในการตรวจสอบการเจริญเติบโต LM ALD Fi เป็นหน้าที่ของพารามิเตอร์กระบวนการต่างๆ รุ่นพื้นฐานเหล่านี้สามารถที่จะเปิดเผยกระบวนการมรกตบนพื้นผิวพื้นผิวและจลนพลศาสตร์เคมีที่เกี่ยวข้อง แต่พวกเขาได้ละเลยขั้นตอนการขนส่งที่ซับซ้อนภายในห้องปฏิกรณ์มรกต Holmqvist และคณะ [6,15-17] นำเสนอชุดของผลงานใน Zn (C2H5) 2 ZnOALDprocess แบบ wheretheydevelopedamulti ฟิสิกส์โดยพิจารณาทั้งปฏิกิริยาก๊าซรายละเอียดพื้นผิวและก๊าซต่อเนื่องชั้นโอ๊ย ชนิดดังกล่าวของการสร้างแบบจำลองที่มีรายละเอียดอย่างเป็นระบบสามารถตรวจสอบขั้นตอนการดำเนินงานที่แท้จริง เนื่องจากกลไกการเกิดปฏิกิริยาพื้นผิวที่แตกต่างกันและลักษณะที่วงจรการศึกษาการสร้างแบบจำลองของกระบวนการสะสมอลูมิเนียมยังต้องมีเพศสัมพันธ์ของปฏิกิริยาพื้นผิวและข้ามชั้นโอ๊ยในเครื่องปฏิกรณ์มรกต แต่ที่ดีที่สุดของความรู้ของเราไม่มีใครได้รับการดำเนินการยัง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

10 และ Warburton et al . [ 11 ] ซึ่งทั้งหมดเน้นการสร้างแบบจำลองของนาโนสเกล ald กระบวนการและการเปลี่ยนพื้นผิวพื้นผิว ขึ้นอยู่กับชนิดของงาน เช่น พื้นผิวเคมีรุ่น devel oped - ที่อัตราปฏิกิริยาเบื้องต้นจะคำนวณโดยได้รับการดูดซับพลังปฏิกิริยารวมทั้ง transi , รัฐคอน จึง guration ข้อมูล ในสาขานี้จึง deminsky , et al .[ 12 ] พัฒนาปฏิกิริยาจลนศาสตร์ของเซอร์โคเนียมและแฮฟเนียมออกไซด์รูปแบบจึง LM การเจริญเติบโตภายใน ald เครื่องปฏิกรณ์ ทราวิส et al . [ 13,14 ] โปร - วางพื้นผิวจึง LM การพัฒนาแบบจำลองเพื่อศึกษาการถ่ายทอด ald LM เป็นฟังก์ชันของพารามิเตอร์ในกระบวนการต่าง ๆ โมเดลเหล่านี้สามารถช่วยเปิดเผยกระบวนการ ald บนพื้นผิวพื้นผิวและเกี่ยวข้องกับจลนศาสตร์เคมี . อย่างไรก็ตามพวกเขาได้ละเลยขั้นตอนการขนส่งที่ซับซ้อนภายในเครื่องปฏิกรณ์ ald Chamber holmqvist et al . [ 17 ] 6,15 –นำเสนอชุดทำงานบนสังกะสี ( c2h5 ) 2 – znoaldprocess แบบ wheretheydevelopedamulti ฟิสิกส์ โดยการพิจารณารายละเอียดพื้นผิวและก๊าซปฏิกิริยาต่อเนื่องflก๊าซ . . . เช่นชนิดของการมีระบบสามารถตรวจสอบกระบวนการจริงของการดำเนินงานเนื่องจากความแตกต่างของปฏิกิริยากลไกและลักษณะพื้นผิวของแบบจำลองกระบวนการการเคลือบอะลูมินา ยังต้องต่อปฏิกิริยาของพื้นผิวและข้ามflโอ๊ยใน ald เครื่องปฏิกรณ์ อย่างไรก็ตาม ในการที่ดีที่สุดของความรู้ของเรา ไม่มีใครมีวัตถุประสงค์เลย