According to results presented abov

According to results presented above, we postulate
the phase formation mechanism as follows. The
eutectic 57Sn –43Bi alloy has relatively low melting
point of 139 jC. When the Bi and Sn layers of
eutectic composition are deposited, they form the
typical eutectic lamellar structure due to the long
deposition time and the heat inside the chamber. As
the Au layer is deposited over the Bi –Sn eutectic
alloy, Au atoms diffuse into the Sn-rich phase and Birich
phase to form Au –Sn intermetallic compounds,
resulting in the capping layer. At high temperature, the
Sn-rich phase contains significantly amount of Bi.
When the sample is removed from the chamber and
kept at room temperature for a few weeks, the Bi
atoms in the Sn-rich phase gradually diffuse from the
Sn-rich phase into the capping layer, thus expanding
the thickness of the capping layer. The capping layer
covers most of the surface area, minimizing the
exposure of the inner Sn-rich and Bi-rich phases to
oxygen in air. Since AuSn intermetallics are very
stable and oxidation tendency of Bi is relatively weak
[13], the capping layer can effectively prevent oxidation
on the inner phases, making fluxless bonding
possible.
In conclusion, we have studied the microstructure
and intermetallic crystal properties of Au/Sn/Bi thin
films deposited on a silicon wafer in high vacuum.
The microstructure is composed of a capping layer on
a typical Sn –Bi eutectic alloy of lamellar structure.
The capping layer is formed by Au –Sn intermetallic
compounds embedded in a Bi-rich matrix. The average
sizes of AuSn2 and AuSn4 crystallite are 756 and
667 A˚ , respectively. The lattice constants of AuSn4
are determined to be a = 6.3694, b = 6.4092 and
c = 11.4785 A˚ , closed to bulk values within 2%.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตามผลลัพธ์ที่นำเสนอข้างต้น เรา postulateกลไกการก่อตัวระยะเป็นดังนี้ ที่eutectic 57Sn – โลหะผสม 43Bi มีการละลายค่อนข้างต่ำจุดของเจซี 139 เมื่อชั้น Bi และ Sn ของฝากองค์ประกอบ eutectic พวกเขาแบบนี้โครงสร้าง lamellar eutectic ทั่วไปเนื่องจากเป็นเวลาสะสมความร้อนภายในห้อง เป็นชั้น Au จะฝากผ่าน eutectic Bi-Snโลหะผสม Au อะตอมกระจายเป็นระยะ Sn-ริชและ Birichตอนการฟอร์ม Au-Sn intermetallic สารเกิดในชั้นการ capping อุณหภูมิสูง การระยะ Sn-รวยมากประกอบด้วยจำนวน Biเมื่อตัวอย่างจะถูกลบออกจากหอการค้า และเก็บไว้ที่อุณหภูมิห้องกี่สัปดาห์ Biอะตอมใน Sn-ริชระยะค่อย ๆ กระจายจากการSn-ริชระยะในชั้น capping ขยายดังนั้นความหนาของชั้นการ capping ชั้นการ cappingครอบคลุมทั้งพื้นที่ผิว ลดการเปิดเผยภายใน Sn-รวยและรวย Bi ระยะการออกซิเจนในอากาศ ตั้งแต่ AuSn intermetallics มากแนวโน้มที่มั่นคงและการเกิดออกซิเดชันของ Bi คือค่อนข้างอ่อนแอ[13], ชั้น capping ได้อย่างมีประสิทธิภาพสามารถป้องกันการเกิดออกซิเดชันในระยะภายใน ทำงาน fluxlessเป็นไปได้เบียดเบียน เรามีศึกษาการต่อโครงสร้างจุลภาคและบางคุณสมบัติ intermetallic คริสตัลของ Au/Sn/Biฟิล์มฝากบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนในสุญญากาศสูงต่อโครงสร้างจุลภาคจะประกอบด้วยชั้น capping บนเป็นปกติ Sn-Bi eutectic นาก lamellar โครงสร้างชั้นการ capping จะเกิดขึ้น โดย intermetallic Au-Snสารฝังในเมทริกซ์ Bi-ริช ค่าเฉลี่ยขนาดของ AuSn2 และ AuSn4 crystallite 756 และ667 A˚ ตามลำดับ ค่าคงที่โครงตาข่ายประกอบของ AuSn4จะได้เป็น = 6.3694, b = 6.4092 และc = A˚ 11.4785 ปิดค่าจำนวนมากภายใน 2%

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ตามผลที่นำเสนอข้างต้นเรายืนยัน
กลไกการพัฒนาขั้นตอนดังต่อไปนี้
ยูเทคติกผสม 57Sn -43Bi มีการละลายที่ค่อนข้างต่ำ
139 จุด JC เมื่อสองและชั้น Sn ของ
องค์ประกอบยูเทคติกจะฝากพวกเขาในรูปแบบ
โครงสร้าง lamellar ยูเทคติกโดยทั่วไปเนื่องจากยาว
เวลาการสะสมและความร้อนภายในห้อง ในฐานะที่เป็น
ชั้น Au เป็นเงินกว่า Bi -Sn ยูเทคติก
ผสมอะตอม Au ไหลเข้าสู่ขั้นตอนการ Sn ที่อุดมด้วยและ Birich
ขั้นตอนในรูปแบบ Au -Sn สารประกอบ intermetallic,
ที่เกิดในชั้นสูงสุดที่กำหนด ที่อุณหภูมิสูง
เฟส Sn ที่อุดมไปด้วยมีจำนวนอย่างมีนัยสำคัญของ Bi.
เมื่อกลุ่มตัวอย่างจะถูกลบออกจากห้องและ
เก็บไว้ที่อุณหภูมิห้องเป็นเวลาไม่กี่สัปดาห์ Bi
อะตอมในระยะ Sn ที่อุดมไปด้วยค่อยๆกระจายจาก
เฟส Sn ที่อุดมไปด้วย ในชั้นสูงสุดที่กำหนดจึงขยาย
ความหนาของชั้นสูงสุดที่กำหนด ชั้นสูงสุดที่กำหนด
ครอบคลุมมากที่สุดของพื้นที่ผิวลด
การสัมผัสของขั้นตอนภายใน Sn ที่อุดมด้วยและ Bi-ที่อุดมไปด้วย
ออกซิเจนในอากาศ ตั้งแต่ intermetallics AuSn มีความ
มั่นคงและมีแนวโน้มการเกิดออกซิเดชันของไบเป็นที่ค่อนข้างอ่อนแอ
[13] ชั้นสูงสุดที่กำหนดอย่างมีประสิทธิภาพสามารถป้องกันการเกิดออกซิเดชัน
ในขั้นตอนด้านในทำให้พันธะ fluxless
ที่เป็นไปได้.
โดยสรุปเราได้ศึกษาโครงสร้างจุลภาค
และคุณสมบัติของผลึก intermetallic Au / sn / Bi บาง
ภาพยนตร์วางลงบนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอนในสูญญากาศสูง.
จุลภาคประกอบด้วยชั้นสูงสุดที่กำหนดบน
โลหะผสมยูเทคติกทั่วไป Sn -Bi ของโครงสร้าง lamellar.
ชั้นสูงสุดที่กำหนดจะเกิดขึ้นโดย Au -Sn intermetallic
สารประกอบที่ฝังอยู่ใน BI- เมทริกซ์ที่อุดมไปด้วย เฉลี่ย
ขนาด AuSn2 และ AuSn4 ผลึกเป็น 756 และ
667 ตามลำดับ คงตาข่าย AuSn4
มีความมุ่งมั่นที่จะเป็น = 6.3694 ข = 6.4092 และ
c = 11.4785 ปิดไปเป็นค่าจำนวนมากภายใน 2%

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตามผลลัพธ์ที่นำเสนอข้างต้น เราทึกทักเอาว่า
ขั้นตอนการพัฒนากลไกดังนี้
เทคติค 57sn – 43bi สัมฤทธิ์มีค่อนข้างต่ำละลาย
จุด 139 JC เมื่อบีและ SN ชั้น
เทคติกการฝากพวกเขาฟอร์ม
ทั่วไปโครงสร้างการทเทคติกเนื่องจากเวลาสะสมนาน
และความร้อนภายในห้อง โดย
ตามผลลัพธ์ที่นำเสนอข้างต้น เราทึกทักเอาว่า
ขั้นตอนการพัฒนากลไกดังนี้
เทคติค 57sn – 43bi สัมฤทธิ์มีค่อนข้างต่ำละลาย
จุด 139 JC เมื่อบีและ SN ชั้น
เทคติกการฝากพวกเขาฟอร์ม
ทั่วไปโครงสร้างการทเทคติกเนื่องจากเวลาสะสมนาน
และความร้อนภายในห้อง โดย
ตามผลลัพธ์ที่นำเสนอข้างต้น เราทึกทักเอาว่า
ขั้นตอนการพัฒนากลไกดังนี้
เทคติค 57sn – 43bi สัมฤทธิ์มีค่อนข้างต่ำละลาย
จุด 139 JC เมื่อบีและ SN ชั้น
เทคติกการฝากพวกเขาฟอร์ม
ทั่วไปโครงสร้างการทเทคติกเนื่องจากเวลาสะสมนาน
และความร้อนภายในห้อง โดย
ตามผลลัพธ์ที่นำเสนอข้างต้น เราทึกทักเอาว่า
ขั้นตอนการพัฒนากลไกดังนี้
เทคติค 57sn – 43bi สัมฤทธิ์มีค่อนข้างต่ำละลาย
จุด 139 JC เมื่อบีและ SN ชั้น
เทคติกการฝากพวกเขาฟอร์ม
ทั่วไปโครงสร้างการทเทคติกเนื่องจากเวลาสะสมนาน
และความร้อนภายในห้อง โดย
ตามผลลัพธ์ที่นำเสนอข้างต้น เราทึกทักเอาว่า
ขั้นตอนการพัฒนากลไกดังนี้
เทคติค 57sn – 43bi สัมฤทธิ์มีค่อนข้างต่ำละลาย
จุด 139 JC เมื่อบีและ SN ชั้น
เทคติกการฝากพวกเขาฟอร์ม
ทั่วไปโครงสร้างการทเทคติกเนื่องจากเวลาสะสมนาน
และความร้อนภายในห้อง โดย