The fabrication process is applied

The fabrication process is applied to thin
wafers of silicon. There are eight basic steps.
Some of these steps are repeated many times
making the total number of steps one hundred
or more. The entire process usually takes from
10 to 30 days. The eight basic steps are:
• Deposition (forming an insulating layer
of SiO2 on the silicon wafer)
• Photolithography (light-sensitive layer
exposed through a patterned photomask)
• Etching (removal of patterned areas using plasma gas or chemicals)
• Doping (placing donor and acceptor impurities into the wafer by diffusion or by
using ion implantation)
• Metallization (formation of interconnects
and connection pads by depositing metal)
• Passivation (application of a protective
layer)
• Testing (probes check each circuit for
proper electrical function)
• Packaging (wafers are separated into
chips, the chips are mounted, bonded/
wired, and the packages are sealed)

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

กระบวนการผลิตจะใช้กับบางรับซิลิคอน มีขั้นตอนพื้นฐาน 8บางขั้นตอนเหล่านี้จะถูกทำซ้ำหลายครั้งทำให้จำนวนของขั้นตอนที่หนึ่งร้อยหรือเพิ่มเติม กระบวนการทั้งหมดจะใช้เวลาจาก10-30 วัน 8 ขั้นตอนพื้นฐานคือ:•สะสม (เป็นชั้นฉนวนขึ้นรูปของ SiO2 บนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอน)• Photolithography (ชั้นไวต่อแสงแสดงผ่าน photomask มีลวดลาย)•กัด (เอาพื้นที่มีลวดลายที่ใช้ก๊าซพลาสมาหรือสารเคมี)•โดปปิงค์ (วางผู้บริจาคและ acceptor สิ่งสกปรกเข้าไปในแผ่นเวเฟอร์ โดยแพร่ หรือโดยใช้ฤทธิ์ไอออน)• Metallization (จัดตั้งเชื่อมโยงและเชื่อมต่อแผ่น โดยฝากโลหะ)• Passivation (แอพลิเคชันของการป้องกันชั้น)(คลิปปากตะเข้เครื่องแต่ละวงจรสำหรับการทดสอบ•ฟังก์ชันการไฟฟ้าที่เหมาะสม)•บรรจุภัณฑ์ (รับแบ่งออกเป็นชิ ชิมีการติดตั้ง ถูกผูกมัด /สาย และบรรจุภัณฑ์ปิดสนิท)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

กระบวนการผลิตที่ใช้กับบาง
เวเฟอร์ซิลิกอน มีแปดขั้นตอนพื้นฐานคือ
บางส่วนของขั้นตอนเหล่านี้มีการทำซ้ำหลาย ๆ ครั้ง
ทำให้จำนวนรวมของขั้นตอนหนึ่งร้อย
หรือมากกว่า กระบวนการทั้งหมดจะใช้เวลาจาก
10 ถึง 30 วัน แปดขั้นตอนพื้นฐานคือ:
•สะสม (สร้างชั้นฉนวน
ของ SiO2 บนแผ่นเวเฟอร์ซิลิกอน)
• photolithography (ชั้นไวต่อแสง
สัมผัสผ่าน photomask ลวดลาย)
• Aging (การกำจัดของพื้นที่ที่มีลวดลายใช้ก๊าซพลาสมาหรือสารเคมี)
•ยาสลบ (วาง ผู้บริจาคและยอมรับสิ่งสกปรกเข้าไปในเวเฟอร์โดยการแพร่หรือโดย
ใช้การฝังไอออน)
• Metallization (การก่อตัวของการเชื่อมต่อ
การเชื่อมต่อและแผ่นโลหะโดยฝาก)
• Passivation (การประยุกต์ใช้ในการป้องกัน
ชั้น)
•การทดสอบ (probes ตรวจสอบแต่ละวงจรสำหรับ
การทำงานของเครื่องใช้ไฟฟ้าที่เหมาะสม)
• บรรจุภัณฑ์ (ช็อคโกแลตจะแยกออกเป็น
ชิปชิปถูกติดผูกมัด /
สายและแพคเกจที่ปิดผนึก)

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

กระบวนการผลิตการใช้เวเฟอร์บาง
ของซิลิคอน มี 8 ขั้นตอนพื้นฐาน .
บางส่วนของขั้นตอนเหล่านี้ซ้ำหลายครั้ง
ทำให้จำนวนของขั้นตอนการร้อย
หรือมากกว่า กระบวนการทั้งหมดมักจะใช้เวลาจาก
10 ถึง 30 วัน แปดขั้นตอนพื้นฐาน :
- การสร้างชั้นฉนวน
ของ SiO2 บนซิลิคอนเวเฟอร์ )
-
light-sensitive 43 ชั้นเปิดเผยผ่านลวดลายโฟโต้มาสค์ )
- ( เอาภาพลวดลายพื้นที่ใช้พลาสมาก๊าซหรือสารเคมี )
- ( วางยาสลบผู้บริจาคและพระนาสิก ปลอมเป็นเวเฟอร์ โดยการแพร่กระจายหรือโดยการฝังไอออน
-
) ( รูปแบบของงานเชื่อมและโลหะแผ่น การเชื่อมต่อด้วย
-
- ) รุ้ง ( โปรแกรมของชั้น ป้องกัน
)
- การทดสอบ ( ตรวจเช็คแต่ละวงจรสำหรับ
ฟังก์ชันไฟฟ้าที่เหมาะสม )
- บรรจุภัณฑ์ ( เวเฟอร์จะถูกแยกออกเป็น
ชิป , ชิปติดตั้งผูกมัด /
สายและแพคเกจผนึก )