The bipolar and MOSFET components o

The bipolar and MOSFET components of a symmetric IGBT
are shown in Fig. 7.16. The components between the emitter
(e), base (b), and collector (c) terminals correspond to the
bipolar transistor and those between gate (g), source (s), and
drain (d) are associated with MOSFET. The combination of
the drain-source and gate-drain depletion capacitances is
identical to the base-collector depletion capacitance, and
therefore they are shown for the MOSFET components. The
gate-oxide capacitance of the source overlap (Coxs) and source
metallization capacitance (Cm) form the gate-source capacitance
(Cgs). When the MOSFET is in its linear region the gateoxide
capacitance of the drain overlap (Coxd) forms the gatedrain
capacitance (Cgd ). In the saturation region of MOSFET
the equivalent series connection of gate-drain overlap oxide
capacitance and the depletion capacitance of the gate-drain
overlap (Cgdj) forms the gate-drain Miller capacitance. The
gate-drain depletion width and the drain-source depletion
width are voltage dependent, which has the same effect on
the corresponding capacitances.
The most important capacitance in IGBT is the capacitance
between the input terminal (g) and output terminal (a),
because the switching characteristics are affected by this feedback

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ไฟที่แบบไบโพลาร์และมอสเฟตของ IGBT สมมาตร
Fig. 7.16 แสดงการ ส่วนประกอบระหว่าง emitter
(e) ฐาน (b), และเทอร์มินัลเก็บ (c) สอดคล้องกับ
ไฟที่ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์และที่ระหว่างประตู (g), ต้น (s), และ
ท่อระบายน้ำ (d) เกี่ยวข้องกับมอสเฟต ชุด
capacitances การลดลงของแหล่งระบายน้ำและประตูระบายน้ำเป็น
เหมือนกับการลดลงของตัวเก็บรวบรวมฐานความ และ
ดังนั้น พวกเขาจะแสดงส่วนประกอบของมอสเฟต
ประตูออกไซด์ความทับซ้อนแหล่ง (Coxs) และแหล่ง
metallization ความ (ซม.) แบบฟอร์ม capacitance
(Cgs) ประตูมา เมื่อมอสเฟตที่อยู่ในภูมิภาคของเส้นที่ gateoxide
ความเหลื่อมกันของท่อระบายน้ำ (Coxd) รูปแบบ gatedrain
ความ (Cgd) ในภูมิภาคความเข้มของมอสเฟต
ชุดเทียบเท่าการเชื่อมต่อของประตูระบายน้ำทับซ้อนออกไซด์
ค่าความจุและความวิตกกังวลรวมของประตูระบายน้ำ
ซ้อนฟอร์ม (Cgdj) ค่าความจุมิลเลอร์เกทท่อระบายน้ำ
ประตูท่อระบายน้ำกว้างจนหมดและการลดลงของท่อระบายน้ำแหล่ง
กว้างจะแรงขึ้น ที่เกิดบน
capacitances ที่สอดคล้องกัน
ความมีความสำคัญที่สุดใน IGBT
ระหว่างเทอร์มินัลสำหรับการป้อนค่า (g) และ (a), สถานีออก
เนื่องจากลักษณะสลับที่ได้รับผลกระทบ โดยผลป้อนกลับนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สองขั้วและ MOSFET ส่วนประกอบของ IGBT สมมาตร
ที่แสดงในรูปที่ 7.16 ส่วนประกอบระหว่างอีซีแอล
(จ), ฐาน (b) และนักสะสม (ค) ขั้วตรงกับ
ทรานซิสเตอร์สองขั้วและผู้ที่อยู่ระหว่างประตู (g) แหล่งที่มา (s), และ
ท่อระบายน้ำ (ง) ที่เกี่ยวข้องกับมอสเฟต การรวมกันของ
แหล่งที่มาของท่อระบายน้ำและท่อระบายน้ำประตูประจุพร่องเป็น
เหมือนกันกับความจุฐานสะสมพร่องและ
ดังนั้นพวกเขาจะแสดงสำหรับส่วนประกอบ MOSFET
ความจุประตูออกไซด์ของแหล่งที่มาทับซ้อน (Coxs) และแหล่งที่มา
metallization ความจุ (ซม. ) รูปแบบความจุประตูแหล่งที่มา
(CGS) เมื่อมอสเฟตที่อยู่ในพื้นที่เชิงเส้นของ gateoxide
ความจุของท่อระบายน้ำทับซ้อน (Coxd) รูปแบบ gatedrain
ความจุ (CGD) ในพื้นที่ความอิ่มตัวของ MOSFET
เชื่อมต่อชุดเท่ากับประตูท่อระบายน้ำทับซ้อนออกไซด์
และความจุความจุพร่องของประตูท่อระบายน้ำ
ทับซ้อน (Cgdj) รูปแบบประตูท่อระบายน้ำมิลเลอร์ความจุ
ความกว้างของการสูญเสียประตูท่อระบายน้ำและท่อระบายน้ำพร่องแหล่งที่มา
มีความกว้างขึ้นอยู่กับแรงดันไฟฟ้าซึ่งมีผลเช่นเดียวกันกับ
ประจุที่สอดคล้อง
ความจุที่สำคัญที่สุดใน IGBT เป็นความจุ
ระหว่างขั้วอินพุท (g) และขั้วเอาท์พุท ()
เพราะลักษณะการสลับรับผลกระทบจากข้อเสนอแนะนี้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ไบโพลาร์และส่วนประกอบ MOSFET ของ
IGBT สมมาตรจะแสดงในรูปที่ 7.16 . ส่วนประกอบระหว่างอีซี
( E ) , ฐาน ( b ) และ ( c ) สะสมขั้วตรงกับ
ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์และผู้ที่ระหว่างประตู ( G ) , แหล่งที่มา ( s ) , และ
ท่อระบายน้ำ ( D ) เกี่ยวข้องกับ MOSFET . การรวมกันของ
ระบายแหล่งและประตูระบายพร่อง capacitances คือ
ที่เหมือนกันเพื่อสะสมฐานของความจุและ
ดังนั้นพวกเขาจะแสดงสำหรับ MOSFET ส่วนประกอบ
เกตออกไซด์ความจุของแหล่งทับซ้อนกัน ( 31 ธันวาคม ) และแหล่ง
งานความจุ ( ซม. ) จากแหล่งประตูความจุ
( CGS ) เมื่อมิฮิโระอยู่ในเส้นภูมิภาค gateoxide
ความจุของการระบายซ้อน ( coxd ) รูปแบบ gatedrain
capacitance ( CGD )ในเขตของความอิ่มตัว MOSFET
เทียบเท่าชุดการเชื่อมต่อประตูระบายซ้อนออกไซด์
ความจุและความจุของการเปิดประตูระบาย
ซ้อน ( cgdj ) รูปแบบประตูระบายมิลเลอร์ความจุ .
ประตูระบายของความกว้างและท่อระบายน้ำแหล่งร่อยหรอ
ความกว้างจะขึ้นอยู่กับแรงดัน ซึ่งมีลักษณะพิเศษเดียวกัน

capacitances ที่สอดคล้องกันส่วนความจุที่สำคัญที่สุดใน IGBT คือความจุ
ระหว่างช่องต่อสัญญาณเข้า ( G ) และขั้วเอาต์พุต ( A )
เพราะได้รับผลกระทบจากการเปลี่ยนลักษณะความคิดเห็นนี้