voltage drop during the gating, dif

voltage drop during the gating, different value for
storage capacitor were observed. For analysis of
proposed circuit, Pspice model for solid state starter
and input rectifier drive section was used. The
minimum voltage across SCR, for required gate
impulse, was determined.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปล่อยแรงดันไฟฟ้าระหว่างค่า gating แตกต่างกันสำหรับเก็บตัวเก็บประจุถูกสังเกต สำหรับการวิเคราะห์ของนำเสนอวงจร Pspice จำลองสำหรับของแข็งเริ่มต้นและมีใช้วงจรเรียงกระแสป้อนเข้าไดรฟ์ส่วน ที่แรงดันไฟฟ้าต่ำสุดระหว่าง SCR สำหรับประตูที่ต้องกระแส ถูกกำหนด

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

แรงดันระหว่างรู มูลค่าแตกต่างกัน
ตัวเก็บประจุกระเป๋าพบ . การวิเคราะห์วงจรแบบ (
,
ของแข็งรัฐไดรฟ์เริ่มต้นและส่วนกระแสอินพุตที่ใช้
ขั้นต่ำความต่างศักย์ของ SCR เพื่อต้องการประตู
แรงกระตุ้น คือกำหนด