The presence of oxygen molecules di

The presence of oxygen molecules dissolved in aqueous
solutions is assumed to serve as a possible electron scavenger
competing with Cr(VI) for electrons, but experiments were
carried out by passing air and N2 into the solution at pH 0.5.
It was found that the gaves had no influence on the formation
of Cr(III) in the acidic solution. Similar experimental results
were reported by Borgarello et al. [28].
As concluded above, in this experiment the optimum operational
conditions are: pH 0.5; TiO2 dosage of 4 g l−1; initial
Cr(VI) concentration of 0.01 mol l−1; temperature 80 ◦C.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ของโมเลกุลออกซิเจนที่ละลายในอควีโซลูชั่นคาดว่าเป็นสัตว์กินของเน่าอิเล็กตรอนได้แข่งขันกับ Cr(VI) อิเล็กตรอน แต่การทดลองได้ดำเนินการ โดยผ่านอากาศและ N2 เป็นวิธีที่ค่า pH 0.5พบว่า gaves ที่มีราคาไม่มีผลต่อการก่อตัวของ Cr(III) ในการแก้ปัญหากรด ผลการทดลองเหมือนกันมีรายงานโดย Borgarello et al. [28]เป็นสรุปข้างต้น ในนี้ทดลองเหมาะสมปฏิบัติเงื่อนไข: ค่า pH 0.5 ปริมาณ TiO2 ของ 4 g l−1 เริ่มต้นเข้มข้น 0.01 โมล l−1; Cr(VI) อุณหภูมิ 80 ◦C

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การปรากฏตัวของโมเลกุลของออกซิเจนที่ละลายในน้ำ
การแก้ปัญหาจะถือว่าทำหน้าที่เป็นคนเก็บขยะอิเล็กตรอนเป็นไปได้ที่
การแข่งขันกับ Cr (VI) อิเล็กตรอน แต่ทดลอง
ดำเนินการโดยผ่านอากาศและ N2 ลงในสารละลายที่ pH 0.5.
พบว่า Gaves มีไม่มีผลต่อการก่อตัว
ของ Cr (III) ในสารละลายที่เป็นกรด ผลการทดลองที่คล้ายกัน
ได้รับรายงานจาก Borgarello และคณะ [28].
ในฐานะที่เป็นข้อสรุปข้างต้นในการทดลองนี้การดำเนินงานที่ดีที่สุด
เงื่อนไขคือค่า pH 0.5; ปริมาณ TiO2 4 GL-1; เริ่มต้น
Cr (VI) ความเข้มข้นของ 0.01 ลิตร mol-1; อุณหภูมิ 80 ◦C

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การปรากฏตัวของโมเลกุลออกซิเจนที่ละลายในน้ำ
โซลูชั่นถือว่าเป็นเป็นไปได้ของอิเล็กตรอน
Cr ( VI ) เพื่อแข่งขันกับอิเล็กตรอน แต่การทดลอง
ดำเนินการโดยผ่านอากาศและ N2 เป็นโซลูชั่นที่ pH 0.5
พบว่า gaves ไม่มีอิทธิพลต่อการก่อตัวของ CR (
3 ) ในสารละลายที่เป็นกรด คล้ายผล
ถูกรายงานโดย borgarello et al .[ 28 ] .
สรุปข้างต้น ในการทดลองนี้มีเงื่อนไขที่เหมาะสม : pH 0.5 )
; ) ขนาด 4 g L − 1 ; เริ่มต้น
Cr ( VI ) ที่ความเข้มข้น 0.01 โมลต่อลิตร− 1 ; อุณหภูมิ 80 ◦ C