Single crystalline TiO2 nanowires h

Single crystalline TiO2 nanowires have been successfully grown on alumina substrates using a high-frequency
(350 KHz) dielectric heater at 1050 1C by a two-step of thermal evaporation method without using any catalyst. The
first step is to form the high surface energy TiO2 seeds on the low surface energy alumina substrates. The second step is
to grow the single crystalline TiO2 nanowires on the alumina substrates by the vapor–solid (VS) mechanism.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Nanowires TiO2 ผลึกเดี่ยวที่ได้รับการปลูกเรียบร้อยแล้วบนพื้นผิวอะลูมินาที่ใช้ความถี่สูงเป็นฉนวนเครื่องทำความร้อน (350 kHz) ที่ 1C 1050 โดยสองขั้นตอนของวิธีการระเหยความร้อนโดยไม่ใช้เศษใด ๆ การขั้นตอนแรกเป็นแบบเมล็ดพลังงานพื้นผิวสูง TiO2 บนพื้นผิวที่อลูมินาพลังงานผิวต่ำ เป็นขั้นตอนสองเติบโต nanowires TiO2 ผลึกเดี่ยวบนพื้นผิวอะลูมินา โดยกลไก (VS) ไอแข็ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลึกเดี่ยว nanowires TiO2 ได้รับการปลูกที่ประสบความสำเร็จกับพื้นผิวอลูมิเนียมใช้ความถี่สูง
(350 KHz) เครื่องทำน้ำอุ่นอิเล็กทริกที่ 1C 1050 โดยมีสองขั้นตอนของวิธีการระเหยความร้อนโดยไม่ต้องใช้ตัวเร่งปฏิกิริยาใด ๆ
ขั้นตอนแรกคือรูปแบบพื้นผิวสูงเมล็ดพลังงาน TiO2 บนพื้นผิวต่ำพื้นผิวอลูมินาพลังงาน ขั้นที่สองคือ
การปลูกเดี่ยว nanowires TiO2 ผลึกกับพื้นผิวอลูมิเนียมโดย (VS) กลไกไอแข็ง