transition from a shallow state 50

transition from a shallow state 50 meV below the conduction band
(CB) to a deep trap level 0.8 eV above the valence band (VB) and
electron transfer from CB to oxygen vacancy (VO) [19], respectively.
The peak at 526 nm is assigned to a non-radiative electron capture
from the CB by a singly charged oxygen vacancy ðVþO
Þ recombines
with a photoexcited hole in the VB [19,24]. The peak at 552 nm
is due to the transition from interstitial Zn (Zni) to oxygen vacancy
(VO) [25]. Furthermore, it will be noted that intensity ratio of ultraviolet
band to the emission peaks at 505, 526 and 552 nm for the
Mg-doped ZnO nanowire-on-spherical shell at 850 C is much
smaller than that of the Zn1xMgxO nanomaterials at 750, 900
and 1000 C, as shown in Fig. 6, implying that the amount of
defects related to VO in the Zn1xMgxO nanowire-on-spherical shell
at 850 C is larger than that of the Zn1xMgxO nanomaterials at
750, 900 and 1000 C, which is due to the large amount of
Zn1xMgxO nanowires with the smallest diameter of 15 nm on
the spherical shell at 850 C, as shown in Fig. 2(c)–(e), resulting

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การเปลี่ยนแปลงจากรัฐตื้น 50 meV ด้านล่างการนำวงดนตรี
(CB) ให้อยู่ในระดับดักลึก 0.8 eV เหนือวงจุ (VB) และ
การถ่ายโอนอิเล็กตรอนจากซีบีจะว่างออกซิเจน (VO) [19] ตามลำดับ.
สูงสุดที่ 526 นาโนเมตร ได้รับมอบหมายให้จับอิเล็กตรอนที่ไม่แผ่รังสี
จาก CB โดยว่างออกซิเจนเรียกเก็บโดยลำพังðVþO
Þ recombines
มีรู photoexcited ใน VB [19,24] สูงสุดที่ 552 นาโนเมตร
เกิดจากการเปลี่ยนแปลงจากสิ่งของ Zn (Zni) เพื่อว่างออกซิเจน
(VO) [25] นอกจากนี้ก็จะมีการตั้งข้อสังเกตว่าอัตราส่วนความเข้มของรังสีอัลตราไวโอเลต
วงดนตรียอดการปล่อยที่ 505, 526 และ 552 นาโนเมตรสำหรับ
Mg เจือเส้นลวดนาโนซิงค์ออกไซด์บนทรงกลมเปลือกที่ 850 องศาเซลเซียสเป็นอย่างมาก
ที่มีขนาดเล็กกว่าที่ Zn1? nanomaterials xMgxO ที่ 750, 900
และ 1000? C ดังแสดงในรูปที่ 6 หมายความว่าปริมาณของ
ข้อบกพร่องที่เกี่ยวข้องกับ VO ใน Zn1? xMgxO เส้นลวดนาโนบนทรงกลมเปลือก
ที่ 850? C มีขนาดใหญ่กว่าของ Zn1? nanomaterials xMgxO ที่
750, 900 และ 1,000 องศาเซลเซียสซึ่งเกิดจากการ จำนวนมากของ
Zn1? xMgxO nanowires ที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลางที่เล็กที่สุดของ? 15 นาโนเมตรบน
เปลือกทรงกลมที่ 850 องศาเซลเซียสตามที่แสดงในรูป 2 (c) - (จ) ส่งผลให้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเปลี่ยนจากสถานะตื้น 50 MeV ด้านล่างนำวงดนตรี
( CB ) กับดักระดับลึก 0.8 EV เหนือ 2 วง ( VB ) และการถ่ายโอนอิเล็กตรอนจาก CB ให้ว่าง
ออกซิเจน ( VO ) [ 19 ] ตามลำดับ
ยอดที่ 526 nm จะมอบหมายให้องค์กรเปลี่ยนการจับยึดอิเล็กตรอน
จาก CB โดยค่าออกซิเจนðเดี่ยวว่างþÞ recombines
o
V กับ photoexcited หลุมใน VB [ 19,24 ] จุดสูงสุดที่ 552 nm
เนื่องจากการเปลี่ยนจาก interstitial Zn ( zni )

ว่างออกซิเจน ( VO ) [ 25 ] นอกจากนี้จะสังเกตว่าอัตราส่วนความเข้มของแสงอัลตราไวโอเลต
วงไปปล่อยยอดที่ 505 แล้ว 552 nm สำหรับ
มก. ด้วยเช่นกัน nanowire บนเปลือกทรงกลมที่ 850  C มาก
เล็กกว่าของ zn1  xmgxo nanomaterials 750 , 900
และ 1 , 000  C ดังแสดงในรูปที่ 6 , หมายความว่าปริมาณ
ข้อบกพร่องที่เกี่ยวข้องกับหวอใน zn1  xmgxo nanowire บน
ทรงกลม เปลือกที่ 850  C มีขนาดใหญ่กว่าของ zn1  xmgxo nanomaterials ที่
750 , 900 และ 1000  C ซึ่งเป็นเนื่องจากการจํานวนมาก
zn1 นาโน  xmgxo มีเส้นผ่าศูนย์กลางเล็กที่สุดของ  15 nm ใน
เปลือกทรงกลม ที่ 850  C ดังแสดงในรูปที่ 2 ( ค ) และ ( E ) ผล