To validate the FE model, the measu

To validate the FE model, the measured signal output of an unpackaged pressure sensor was used
to compare with calculated signal output of FE model. Figure 8 shows the FE model and experimental
results of the unpackaged pressure sensor under a pressure loading range of 0–6.9 × 103 Pa and a
temperature loading range of 25–85 °C. The FE model closely matches the experimental data, as
shown in Figure 8. The average error between the FE model and the experimental result was less than
4.2%. The measured results of the unpackaged pressure sensor were collected from five samples. Due
to the doping impurity variation of the piezoresistors, the four piezoresistors of the piezoresistive
pressure sensor had different resistances. The reference pressure in the cavity of the pressure sensor
was vacuum for an absolute pressure sensor, so an initial 1 atmosphere (about 101.3 × 103 Pa) pressure
was applied on the silicon membrane of the pressure sensor at pressure loading of 0Pa. The zero offset
voltage (ΔV) of each pressure sensor was a non-zero value according to Equation 1, and it varied from
sensor to sensor. However, the resistances of the four piezoresistors of the pressure sensor are assumed
to be equal in the FE modeling process. The calculated zero offset value of the FE model was
calculated using a unique ideal sensor chip. This explains why the zero offset voltage of the
experimental measurements is different from that of the FE model results. The FE model was verified
to reliably predict the signal output of the piezoresistive pressure sensor under pressure and
temperature loading.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ใช้แสดงผลสัญญาณที่วัดได้ของตัวเซ็นเซอร์ความดันผนึกเพื่อตรวจสอบรุ่น FEการเปรียบเทียบกับผลลัพธ์จากการคำนวณสัญญาณ FE รุ่น รูปที่ 8 แสดงสนใจแบบ และทดลองผลของเซนเซอร์ความดันในบรรจุภัณฑ์ภายใต้แรงดันโหลดของ 0 – 6.9 × 103 Pa และอุณหภูมิที่โหลดของ 25-85 องศาเซลเซียส รุ่น FE ตรงกับข้อมูลการทดลอง เป็นแสดงในรูปที่ 8 เฉลี่ยระหว่างรุ่น FE และผลการทดลองผิดน้อยกว่า4.2% เซ็นเซอร์ความดันผนึกผลการวัดได้ถูกรวบรวมจากตัวอย่างห้า ครบกำหนดการเปลี่ยนแปลงมลทินยาสลบของ piezoresistors, piezoresistors สี่ของ piezoresistiveเซ็นเซอร์ความดันมีความต้านทานแตกต่างกัน ความดันอ้างอิงในโพรงของเซนเซอร์ความดันเป็นสูญญากาศสำหรับตัวเซ็นเซอร์ความดันสัมบูรณ์ ดังนั้นการเริ่มต้น 1 บรรยากาศ (ประมาณ 101.3 × 103 Pa) ความดันถูกนำไปใช้บนเมมเบรนของเซ็นเซอร์ความดันที่ความดันโหลดของ 0Pa ซิลิคอน บัญชีตรงข้ามเป็นศูนย์เป็นแรงดันไฟฟ้า (ΔV) ของเซ็นเซอร์ความดันแต่ละค่าไม่เป็นศูนย์ตามสมการ 1 และมันแตกต่างจากเซนเซอร์เซนเซอร์ อย่างไรก็ตาม สันนิษฐานความต้านทานของ piezoresistors 4 ของเซนเซอร์ความดันจะเท่ากับ FE ที่สร้างแบบจำลอง การคำนวณมูลค่าเป็นศูนย์ตรงข้ามรุ่น FEคำนวณโดยใช้ปเซ็นเซอร์เฉพาะเหมาะ นี้อธิบายว่า ทำไมศูนย์ชดเชยแรงดันไฟฟ้าของการทดลองวัดจะแตกต่างจากผลการจำลองของ FE รับการตรวจสอบรุ่น FEได้ทำนายสัญญาณของเซนเซอร์ความดัน piezoresistive ภายใต้ความดัน และโหลดอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อตรวจสอบรุ่น fe, สัญญาณวัดของเซ็นเซอร์ความดันห่อหุ้มถูกนำมาใช้
เพื่อเปรียบเทียบกับสัญญาณคำนวณของรุ่น fe รูปที่ 8 แสดงรุ่น fe และการทดลอง
ผลของการเซ็นเซอร์ความดันห่อหุ้มภายใต้ช่วงความดันในการโหลดของ 0-6.9 × 103 Pa และ
ช่วงโหลดอุณหภูมิ 25-85 องศาเซลเซียส รุ่น FE อย่างใกล้ชิดตรงกับข้อมูลการทดลองเป็น
ที่แสดงในรูปที่ 8 ข้อผิดพลาดเฉลี่ยระหว่างรุ่น fe และผลการทดลองน้อยกว่า
4.2% ผลการวัดของเซ็นเซอร์ความดันห่อหุ้มถูกรวบรวมมาจากห้าตัวอย่าง เนื่องจาก
การเปลี่ยนแปลงของสิ่งเจือปนยาสลบ piezoresistors ทั้งสี่ piezoresistors ของ piezoresistive
เซ็นเซอร์ความดันมีความต้านทานที่แตกต่างกัน ความดันในโพรงอ้างอิงของเซ็นเซอร์ความดัน
เป็นสูญญากาศสำหรับเซ็นเซอร์ความดันสัมบูรณ์เพื่อเริ่มต้น 1 บรรยากาศ (ประมาณ 101.3 × 103 PA) ดัน
ถูกนำมาใช้บนแผ่นซิลิกอนของเซ็นเซอร์ความดันที่โหลดแรงกดดันจาก 0PA ศูนย์ชดเชย
แรงดัน (ΔV) ของเซ็นเซอร์ความดันแต่ละไม่ใช่ศูนย์ค่าตามสมการที่ 1 และมันแตกต่างกันจาก
เซ็นเซอร์ตรวจจับ อย่างไรก็ตามความต้านทานของสี่ piezoresistors ของเซ็นเซอร์ความดันที่มีการสันนิษฐาน
ว่าเป็นที่เท่าเทียมกันในการสร้างแบบจำลองกระบวนการ FE คำนวณค่าเป็นศูนย์ offset ของรุ่น fe ถูก
คำนวณโดยใช้เซนเซอร์ที่ไม่ซ้ำกันในอุดมคติ นี้อธิบายว่าทำไมศูนย์แรงดัน offset ของ
การทดลองวัดจะแตกต่างจากที่ผลรุ่น fe รุ่น FE ถูกตรวจสอบ
ได้อย่างน่าเชื่อถือทำนายสัญญาณของเซ็นเซอร์ความดัน piezoresistive ภายใต้ความกดดันและ
โหลดอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การตรวจสอบเหล็กรุ่น วัดสัญญาณของเซ็นเซอร์ความดันที่ใช้ยกเลิกการบรรจุคือเปรียบเทียบกับค่าสัญญาณของรุ่นเฟ รูปที่ 8 แสดงเหล็กรูปแบบและทดลองผลของแรงดันยกเลิกการบรรจุภายใต้ความดันโหลดช่วง 0 – 6 × 103 PA และช่วงอุณหภูมิโหลด 25 – 85 ° C และรูปแบบตรงกับการทดลอง เช่นแสดงในรูปที่ 8 ความผิดพลาดเฉลี่ยระหว่าง Fe แบบจำลองและผลการทดลอง น้อยกว่า4.2 % ผลการวัดของเซ็นเซอร์ความดันยกเลิกการบรรจุมีจำนวน 5 คน เนื่องจากกับการเปลี่ยนแปลงของ piezoresistors บริสุทธิ์ , piezoresistors Piezoresistive สี่ของเซ็นเซอร์ความดันมีความต้านทานที่แตกต่างกัน อ้างอิงความดันในโพรงของความดันเซ็นเซอร์เป็นสุญญากาศสำหรับเซ็นเซอร์ความดันสัมบูรณ์จึงเริ่มต้น 1 บรรยากาศ ( ประมาณ 101.3 × 103 PA ) ความดันถูกนำมาใช้ในซิลิคอนชนิดของเซ็นเซอร์ความดันที่โหลด 0pa . ศูนย์ตรงข้ามแรงดัน ( V Δ ) ของแต่ละตัวตรวจจับความดันคือไม่ใช่ศูนย์ค่าตามสมการที่ 1 และมันแตกต่างกันจากเซ็นเซอร์ Sensor อย่างไรก็ตาม การเพิ่มขึ้นของทั้งสี่ piezoresistors ของเซ็นเซอร์จะถือว่าเสมอภาคในเฟแบบจำลองกระบวนการ คำนวณค่าของ Fe ศูนย์ออฟแบบจำลองคำนวณโดยใช้ชิปเซ็นเซอร์ในอุดมคติที่ไม่ซ้ำกัน นี้อธิบายว่าทำไมศูนย์ชดเชยแรงดันของขนาดทดลองจะแตกต่างจากที่ของรูปแบบและผลลัพธ์ เหล็กแบบตรวจสอบจะได้พยากรณ์สัญญาณของเซ็นเซอร์ Piezoresistive ภายใต้ความดันโหลด อุณหภูมิ