The double deposition and stripping

The double deposition and stripping steps were proposed to increase the sensitivity in anodic stripping voltammetry of lead and cadmium. Two in situ plated bismuth film electrodes at drastically different surface areas were used for the measurements. Cadmium and lead were at first deposited at the electrode with a large surface area. When the deposition step at the electrode was finished, the electrode was placed at a short distance opposite the small one. Then Cd(II) and Pb(II) stripped from the first electrode were deposited at the second electrode. Taking into account the small volume of space between the electrodes, the concentration of Pb(II) and Cd(II) between the electrodes was drastically higher than that in the bulk solution. The deposition step at the second electrode was performed from the solution with a higher concentration of the determined ions, and so the detection limit was lowered. Calibration was performed following deposition times of 300 and 120 s at the first and the second electrode, respectively. Under such conditions the detection limits of 1.8 × 10−10 and 4.5 × 10−11 mol L−1 for Pb(II) and Cd(II) were obtained, respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สะสมคู่และขั้นตอนการปอกได้เสนอเพื่อเพิ่มความไวใน anodic ปอก voltammetry ลูกค้าเป้าหมายและแคดเมียม สองหุงตฟิล์มบิสมัทใน situ ชุบในพื้นที่ต่าง ๆ อย่างรวดเร็วผิวถูกใช้สำหรับการประเมิน แคดเมียมและตะกั่วได้ในตอนแรกฝากที่อิเล็กโทรดด้วยพื้นที่ขนาดใหญ่ เมื่อเสร็จสิ้นขั้นตอนสะสมที่การไฟฟ้า อิเล็กโทรดที่ถูกวางไว้ที่ระยะสั้นตรงข้ามหนึ่งเล็ก แล้ว Cd(II) และ Pb(II) ที่ปล้นจากไฟฟ้าแรกที่ฝากที่อิเล็กโทรดสอง การพิจารณาปริมาตรเล็ก ๆ ของช่องว่างระหว่างการหุงต ความเข้มข้นของ Pb(II) และ Cd(II) ระหว่างการหุงตได้อย่างรวดเร็วสูงกว่าในการแก้ปัญหาจำนวนมาก ทำขั้นตอนสะสมที่อิเล็กโทรดสองจากโซลูชันที่มีความเข้มข้นสูงของประจุกำหนด และเพื่อ ตรวจสอบขีดจำกัดถูกลดลง เทียบที่ดำเนินการต่อไปนี้เวลาสะสม 300 และ 120 s แรกและอิเล็กโทรดสอง ตามลำดับ ภายใต้เงื่อนไขดังกล่าว ตรวจสอบขีดจำกัดของโมล 1.8 × 10−10 และ 4.5 × 10−11 L−1 Pb(II) และ Cd(II) ได้รับมา ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

การสะสมคู่และขั้นตอนการลอกถูกเสนอให้เพิ่มความไวในศักย์ลอกขั้วบวกของตะกั่วและแคดเมียม สองในแหล่งกำเนิดชุบขั้วไฟฟ้าฟิล์มบิสมัทที่พื้นที่ผิวที่แตกต่างกันอย่างมากถูกนำมาใช้สำหรับการตรวจวัด แคดเมียมและตะกั่วที่ถูกฝากไว้เป็นครั้งแรกที่อิเล็กโทรดที่มีพื้นที่ขนาดใหญ่ เมื่อขั้นตอนการสะสมที่ขั้วเสร็จขั้ววางอยู่ที่ระยะทางสั้น ๆ ตรงข้ามเล็ก ๆ แห่งหนึ่ง จากนั้น Cd (II) และตะกั่ว (II) ถอดออกมาจากขั้วครั้งแรกที่ถูกนำไปฝากไว้ที่อิเล็กโทรดที่สอง โดยคำนึงถึงปริมาณเล็ก ๆ ของช่องว่างระหว่างขั้วไฟฟ้าความเข้มข้นของตะกั่ว (II) และซีดี (II) ระหว่างขั้วไฟฟ้าเป็นอย่างมากสูงกว่าในการแก้ปัญหาที่เป็นกลุ่ม ขั้นตอนการสะสมที่อิเล็กโทรดที่สองได้ดำเนินการจากสารละลายที่มีความเข้มข้นสูงขึ้นของไอออนมุ่งมั่นและเพื่อให้การตรวจสอบวงเงินลดลง สอบเทียบได้ดำเนินการดังต่อไปนี้ครั้งการสะสมของ 300 และ 120 s ที่แรกและอิเล็กโทรดที่สองตามลำดับ ภายใต้เงื่อนไขดังข้อ จำกัด การตรวจสอบ 1.8 × 10-10 และ 4.5​​ × 10-11 mol L-1 สำหรับตะกั่ว (II) และซีดี (II) ที่ได้รับตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

การเคลือบสองครั้งและทำให้ขั้นตอนการเพิ่มความไวในการปอก แคทไอออนของตะกั่ว และแคดเมียม สองใน situ ชุบฟิล์มบิสมัทขั้วไฟฟ้าในพื้นที่พื้นผิวที่แตกต่างกันอย่างมากที่ใช้สำหรับการวัด แคดเมียม และตะกั่วในตอนแรกฝากไว้ที่ขั้วไฟฟ้าที่มีพื้นที่ผิวขนาดใหญ่ เมื่อการก้าวที่ขั้วไฟฟ้าเสร็จขั้วไฟฟ้าอยู่ที่ระยะทางสั้น ๆ ตรงข้ามกับหนึ่งเล็ก ซีดีแล้ว ( II ) และตะกั่ว ( II ) ถอดจากขั้วแรกฝากเงินที่ขั้วไฟฟ้า 2 คำนึงถึงปริมาณขนาดเล็กของพื้นที่ระหว่างขั้วไฟฟ้าที่เข้มข้นของตะกั่ว ( II ) และซีดี ( 2 ) ระหว่างขั้วไฟฟ้าอยู่ในที่สูงกว่าในการแก้ปัญหาเป็นกลุ่มขั้นตอนการเคลือบขั้วที่สองได้จากสารละลายที่มีความเข้มข้นที่สูงขึ้นของการกำหนดขีดจำกัดของไอออนและดังนั้นจึงลดลง การกระทำต่อไปนี้เวลาในการเคลือบ 300 และ 120 เป็นครั้งแรก และขั้วที่สองตามลำดับ ภายใต้เงื่อนไขเช่นการตรวจหา 1.8 × 10 − 10 ขีด จำกัด และ 4 .5 × 10 − 11 โมล L − 1 สำหรับ Pb ( II ) ซีดี ( 2 ) ที่ได้รับ ตามลำดับ