(a) Clearing the glass substrate, c

(a) Clearing the glass substrate, chromium/copper (10 nm/90 nm) was sputtered as the seed layer based on glass substrate for the plating of the device structure on

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

(ก) การล้างพื้นผิวแก้ว ทองแดงโครเมียม (10 nm 90 nm) ถูก sputtered เป็นชั้นเมล็ดตามบนพื้นผิวแก้วสำหรับชุบของโครงสร้างอุปกรณ์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

(ก) การล้างพื้นผิวกระจกโครเมียม / ทองแดง (10 นาโนเมตร / 90 นาโนเมตร) ได้รับการพ่นเป็นชั้นเมล็ดพันธุ์ขึ้นอยู่กับพื้นผิวแก้วชุบของโครงสร้างอุปกรณ์บน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

( ก ) การล้างแผ่นแก้ว โครเมียม / ทองแดง ( 10 nm / 90 nm ) คือ sputtered เป็นเมล็ดพันธุ์ชั้นพื้นฐานบนแผ่นแก้ว สำหรับชุบของโครงสร้างอุปกรณ์บน