I. INTRODUCTIONTHE INSULATED-GATE b

I. INTRODUCTION
THE INSULATED-GATE bipolar transistor (IGBT) has accrued
success as a high-power solid-state switching device
due its combination of fast switching, low conduction loss,
and high-impedance gate control. However, there will always
be an unrelenting demand for higher performance devices.
Manufacturers are therefore motivated to develop switches with
extended voltage ratings and current carrying capability.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฉัน การแนะนำ
ฉนวนประตูทรานซิสเตอร์สองขั้ว (IGBT) ได้ค้าง
ความสำเร็จในฐานะพลังงานสูงสถานะของแข็งเปลี่ยนอุปกรณ์
เนื่องจากการรวมกันของการสลับที่รวดเร็วการสูญเสียการนำต่ำ
และการควบคุมประตูสูงความต้านทาน แต่มีจะเสมอ
เป็นความต้องการสำหรับอุปกรณ์ที่ยึดมั่นการดำเนินงานที่สูงขึ้น.
ผู้ผลิตจึงมีแรงจูงใจที่จะพัฒนาสวิทช์ด้วย
คะแนนที่แรงดันไฟฟ้าที่เพิ่มขึ้นและความสามารถในการดำเนินการในปัจจุบัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

I. แนะนำ
INSULATED ประตูไฟที่ไบโพลาร์ทรานซิสเตอร์ (IGBT) ได้สะสม
สำเร็จเป็นอุปกรณ์โซลิดสเตตสลับกำลังแรงสูง
ครบกำหนดการรวมกันของการสลับอย่างรวดเร็ว ขาดทุนจึงต่ำ,
และควบคุมประตูความต้านทานสูง อย่างไรก็ตาม มีจะเสมอ
มีความต้องการ unrelenting สำหรับสูงประสิทธิภาพอุปกรณ์
ผู้ผลิตดังนั้นจึงมีแรงจูงใจพัฒนาสลับกับ
ขยายแรงดันและความสามารถในการถือครองปัจจุบัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

I .แนะนำ
ซึ่งจะช่วยป้องกันไฟฟ้ารั่ว - ประตูวิทยุทรานซิสเตอร์สวิตช์ Bipolar MOS ( IGBT )มีดอกเบี้ยค้างชำระเดิมอุปกรณ์
ซึ่งจะช่วยสร้างความสำเร็จเป็นการสลับใช้งาน Solid - state แบบกำลังไฟสูง
เนื่องจากมีการผสมผสานของการสลับไปมาอย่างรวดเร็วการสูญเสียการควบคุมความถี่ต่ำการทำประตู
และสูง - อิมพีแดนซ์ แต่ถึงอย่างไรก็ตามยังมีความต้องการจะได้รับไม่ผ่อนที่สำหรับอุปกรณ์ ประสิทธิภาพ การทำงานที่สูงขึ้นเสมอ
ซึ่งจะช่วย..
ผู้ผลิตมีแรงจูงใจในการพัฒนาจะสลับด้วย
ดังนั้นในปัจจุบันและการจัดอันดับความน่าเชื่อถือระดับแรงดันไฟฟ้าขยายความสามารถในการพกพา.