They suggested that the AlN thinfil

They suggested that the AlN thinfilm deposited near the step edge of Pt and the underlying thermal oxide layer showed cracks due to a large mechanical stress difference between the AlN grown on Pt and on thermal oxide.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

พวกเขาแนะนำว่า thinfilm AlN ฝากใกล้ขอบขั้นตอนของ Pt และชั้นออกไซด์ความร้อนต้นแบบแสดงให้เห็นว่ารอยแตกเนื่องจากความเครียดเครื่องจักรกลขนาดใหญ่ส่วนต่างระหว่าง AlN โต Pt และออกไซด์ที่ความร้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

พวกเขาบอกว่า thinfilm ALN ฝากใกล้ขอบขั้นตอนของพอยต์และชั้นออกไซด์ความร้อนต้นแบบแสดงให้เห็นรอยแตกเนื่องจากความแตกต่างความเครียดกลขนาดใหญ่ระหว่าง ALN ปลูกใน Pt ออกไซด์และความร้อน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

พวกเขาชี้ให้เห็นว่า ALN thinfilm ฝากใกล้ขั้นตอนขอบของ PT และภายใต้ความร้อนชั้นออกไซด์มีรอยแตกเนื่องจากการขนาดใหญ่ความเครียดเชิงกลแตกต่างระหว่าง ALN ปลูกใน PT และความร้อนออกไซด์