Estrela et al. employed MOS capacit

Estrela et al. employed MOS capacitors consisting of Au/SiO2/Si and Poly-Si TFTs with a gold metal gate as ISFET biosensor for label-free electrical detection of DNA hybridization [31]. When probe DNA bind to its complementary DNA, changes in electric potential in the electric double layer occur, leading to a shift in the C–V (capacitance–voltage) or I–V (current-voltage) characteristics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เต et al.จ้าง MOS ตัวเก็บประจุประกอบด้วย Au/SiO2 เทียบศรี และศรีโพลี TFTs ด้วยโลหะทองประตูเป็น ISFET biosensor สำหรับการตรวจหา DNA hybridization [31] ฟรีป้ายไฟฟ้า เมื่อสอบสวนผูกดีเอ็นเอของดีเอ็นเอที่สมบูรณ์ การเปลี่ยนแปลงศักย์ไฟฟ้าในไฟฟ้าสองชั้น เกิดขึ้น นำไปกะใน C-V (ความจุ – แรงดัน) หรือลักษณะ – V (แรงดันกระแส)

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

Estrela et al, ตัวเก็บประจุ MOS ลูกจ้างประกอบด้วย Au / SiO2 / ศรีและโพลีศรี TFTs กับประตูโลหะทองเป็น ISFET ไบโอเซนเซอร์สำหรับการตรวจสอบฉลากไฟฟ้าฟรีของดีเอ็นเอ [31] เมื่อผูกสอบสวนดีเอ็นเอดีเอ็นเอที่สมบูรณ์ของการเปลี่ยนแปลงในศักย์ไฟฟ้าในสองชั้นไฟฟ้าเกิดขึ้นนำไปสู่​​การเปลี่ยนแปลงใน C-V (ความจุแรงดัน) หรือ I-V (ปัจจุบันแรงดัน) ลักษณะ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เ เตรลา et al . ใช้ตัวเก็บประจุ MOS ประกอบด้วย AU / SiO2 และโพลี / ศรีศรี tfts ด้วยโลหะทองประตูเป็น isfet ไบโอเซนเซอร์สำหรับตรวจจับดีเอ็นเอ hybridization ฟรีป้ายไฟฟ้า [ 31 ] เมื่อดีเอ็นเอมัดดีเอ็นเอประกอบ , การเปลี่ยนแปลงศักย์ไฟฟ้าในสองชั้นไฟฟ้าเกิดขึ้น นำไปสู่การเปลี่ยนแปลงใน C - V ( ความจุ ( แรงดัน ) หรือผม ( V ( แรงดันปัจจุบัน ) ลักษณะ