PurposeProtect the transistor base-

Purpose
Protect the transistor base-emitter junction.
Specifications
Recommended: 1N4001; 1 A, 50 V
(Some models have used the 1N914)
Parameters
50-300 volt range; low power, fast silicon diode
Sourcing

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

วัตถุประสงค์ป้องกันการเชื่อมต่อฐานยิงของทรานซิสเตอร์ข้อมูลจำเพาะแนะนำ: 1N4001 1 A, 50 V(บางรุ่นใช้ 1N914)พารามิเตอร์ช่วง 50-300 โวลต์ พลังงานต่ำ ไดโอดซิลิกออย่างรวดเร็วการจัดหา

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

วัตถุประสงค์
ป้องกันทรานซิสเตอร์แยกฐานอีซีแอล.
ข้อมูลจำเพาะ
แนะนำ: 1N4001; 1, 50 V
(บางรุ่นมีการใช้ 1N914)
พารามิเตอร์
50-300 ช่วงโวลต์; พลังงานต่ำอย่างรวดเร็วซิลิคอนไดโอด
จัดหา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

วัตถุประสงค์ปกป้องฐานจากมิเตอร์แยกข้อกําหนดแนะนำ : 1n4001 ; 1 , 50 V( บางรุ่นต้องใช้ 1n914 )พารามิเตอร์ช่วง 50-300 โวลต์ ; พลังงานต่ำไดโอดซิลิคอนอย่างรวดเร็วการจัดหา