Therefore , if we find constants an

Therefore , if we find constants and b by experimentaly measuring the temperature and voltage across the diode , we can find the band gap energy of a semiconductor , provided that E does not depend strongly on temperature.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ดังนั้น หากเราหาค่าคงที่และ b โดยการวัดอุณหภูมิและแรงดันไฟฟ้าผ่านไดโอด experimentaly เราสามารถค้นหาพลังงานในช่องว่างของวงเป็นสารกึ่งตัวนำ ให้ว่า อีไม่ขอขึ้นอยู่กับอุณหภูมิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ดังนั้นหากเราพบว่าค่าคงที่และข exp​​erimentaly โดยการวัดอุณหภูมิและแรงดันไฟฟ้าทั่วไดโอดเราสามารถหาช่องว่างแถบพลังงานของสารกึ่งตัวนำโดยมีเงื่อนไขว่า E ไม่ได้ขึ้นอยู่กับอุณหภูมิอย่างยิ่ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ดังนั้น ถ้าเราหาค่าคงที่และ B โดย experimentaly การวัดอุณหภูมิและแรงดันไฟฟ้าผ่านไดโอด , เราสามารถหาช่องว่างแถบพลังงานของสารกึ่งตัวนำให้ E ไม่ได้ขึ้นอยู่อย่างมากในอุณหภูมิ