The electrical resistivity (p) of I

The electrical resistivity (p) of ITO film is known to be affected by two major factors: (i) the crystallinity and stoichiometry of the film [35-37],and (ii) the concentration of electrically active Sn dopants and oxygen vacancies present [31,38-40].

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

เป็นที่รู้จักกันที่ความต้านทานไฟฟ้า (p) ของฟิล์ม ITO ได้รับผลกระทบ โดยปัจจัยหลัก 2 ประการ: (i)ผลึกและ stoichiometry ฟิล์ม [35-37], และ (ii) ความเข้มข้นของการใช้งานด้วยระบบไฟฟ้า dopants Sn และออกซิเจนตำแหน่งปัจจุบัน [31,38-40]

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ต้านทานไฟฟ้า (P) ของฟิล์ม ITO เป็นที่รู้จักกันได้รับผลกระทบจากสองปัจจัยสำคัญ: (i) ผลึกและปริมาณสารสัมพันธ์ของภาพยนตร์ [35-37] และ (ii) ความเข้มข้นของสารเจือ Sn ใช้งานระบบไฟฟ้าและตำแหน่งงานว่างออกซิเจนปัจจุบัน [31,38-40]

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สภาพต้านทานไฟฟ้าไฟฟ้า ( P ) ของ ITO ภาพยนตร์เป็นที่รู้จักได้รับผลกระทบจากปัจจัยหลักสอง : ( 1 ) ผลึก และปริมาณสัมพันธ์ของภาพยนตร์ [ 35-37 ] และ ( ii ) ปริมาณสารเจือดีบุกงานระบบไฟฟ้าและออกซิเจน 31,38-40 ปัจจุบัน [ งง ]