To understand Turn-on and Turn-off

To understand Turn-on and Turn-off phenomena of the Power
MOSFET, we will assume clamped inductive switching as
it is the most widely used mode of operation. This is shown
in Fig. (4A) and Fig. (4B). A model of MOSFET is shown
with all relevant components, which play a role in turn-on
and turn-off events. As stated above, MOSFET’s Gate to
Source Capacitance CGS needs to be charged to a critical
voltage level to initiate conduction from Drain to Source. A
few words of explanation will help understand Fig. (4A)
and Fig. (4B). The clamped inductive load is being shown
by a current source with a diode D connected antiparallel
across the inductor. The MOSFET has its intrinsic internal
Gate resistance, called RGint. As described above, the inter-
junction parametric capacitances (CGS, CGD and CDS)
are shown and connected at their proper points. VDD represents
the DC Bus voltage to the Drain of the MOSFET
through the clamped inductive load. The Driver is supplied
by Vcc of value Vp and its ground is connected to the
common ground of VDD and is returned to the Source of
the MOSFET. The output from the Driver is connected to
the Gate of the MOSFET through a resistor RGext.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

การทำความเข้าใจปรากฏการณ์ที่เปิดและปิดของพลังงานMOSFET เราจะสมมติสลับเหนี่ยวนำบีบเป็นมันเป็นโหมดที่ใช้กันอย่างแพร่หลายของการดำเนินงาน แสดงในรูป (4A) และรูป (4B) แสดงแบบจำลองของ MOSFETมีส่วนประกอบที่เกี่ยวข้องทั้งหมด ซึ่งมีบทบาทในการเปิดและปิดกิจกรรม ตามที่ระบุไว้ข้างต้น ประตูของ MOSFET เพื่อแหล่งที่มาความจุ CGS ต้องถึงสิ่งที่สำคัญระดับแรงดันไฟฟ้าในการเริ่มต้นนำจากท่อระบายน้ำแหล่ง Aคำไม่กี่คำของคำอธิบายจะช่วยให้เข้าใจมะเดื่อ (4A)และมะเดื่อ (4B) แสดงโหลดการบีบโดยแหล่งที่มาปัจจุบันกับไดโอด D antiparallel การเชื่อมต่อในการเหนี่ยวนำ MOSFET มีตนแท้จริงภายในประตูทน เรียกว่า RGint ตามที่อธิบายไว้ข้างต้น อินเตอร์-ชุมทางพาราเมตริก capacitances (CGS, CGD และซีดี)แสดง ความเชื่อมต่อในจุดที่เหมาะสมของพวกเขา แสดง VDDแรงดันไฟฟ้า DC Bus ของ MOSFET ท่อระบายน้ำผ่านโหลดเหนี่ยวนำบีบ โปรแกรมควบคุมให้มาโดย Vcc ของค่า Vp และพื้นดินเชื่อมต่อกับการดินทั่วไปของ VDD และส่งกลับไปแหล่งของMOSFET ผลลัพธ์จากโปรแกรมควบคุมที่เชื่อมต่อกับประตูของ MOSFET ผ่านตัวต้านทาน RGext

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เพื่อให้เข้าใจถึงเปิดเครื่องและเปิดปิดปรากฏการณ์ของเพาเวอร์
มอสเฟตเราจะถือว่าการเปลี่ยนอุปนัย clamped เป็น
มันเป็นโหมดที่ใช้กันอย่างแพร่หลายมากที่สุดของการดำเนินงาน นี้จะปรากฏ
ในรูป (4A) และรูป (4B) รูปแบบของ MOSFET จะแสดง
ที่มีส่วนประกอบที่เกี่ยวข้องทั้งหมดซึ่งมีบทบาทในการเปิดเครื่องขึ้น
และเหตุการณ์เปิดปิด ตามที่ระบุไว้ข้างต้น MOSFET ประตูให้กับ
แหล่งที่มาของการประจุกระแสไฟ CGS จะต้องมีค่าใช้จ่ายในสำคัญ
ระดับแรงดันไฟฟ้าที่จะเริ่มต้นจากการนำท่อระบายน้ำที่จะมา
คำไม่กี่คำของคำอธิบายจะช่วยให้เข้าใจรูป (4A)
และรูป (4B) โหลดอุปนัย clamped จะถูกแสดง
โดยแหล่งที่มาในปัจจุบันที่มีไดโอด D เชื่อมต่อ antiparallel
ทั่วเหนี่ยวนำ MOSFET มีของที่แท้จริงภายใน
ต้านทานประตูเรียก RGint ตามที่อธิบายไว้ข้างต้นระหว่าง
ชุมทาง capacitances พารา (CGS, CGD และซีดี)
จะแสดงและเชื่อมต่อที่จุดที่เหมาะสมของพวกเขา VDD แสดงให้เห็นถึง
แรงดันไฟฟ้ากระแสตรงรถประจำทางเพื่อระบายน้ำของ MOSFET ที่
ผ่านโหลดอุปนัย clamped คนขับรถเป็นที่จัดทำ
โดย Vcc รองประธานคุณค่าและพื้นดินที่เชื่อมต่อกับ
พื้นดินทั่วไปของ VDD และจะถูกส่งกลับไปยังแหล่งที่มาของ
มอสเฟต เอาท์พุทจากคนขับที่เชื่อมต่อกับ
ประตูของมอสเฟตผ่าน RGext ต้านทาน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เข้าใจเปิดและปิดปรากฏการณ์ของพลังมอสเฟต เราจะถือว่าบีบสลับอุปนัยเป็นมันเป็นส่วนใหญ่ใช้กันอย่างแพร่หลายในโหมดของการดำเนินการ นี้จะแสดงในรูป ( 4A ) และรูป ( 4B ) รูปแบบของมอสเฟตจะแสดงกับทุกองค์ประกอบที่เกี่ยวข้อง ซึ่งมีบทบาทในการเปิดและปิดกิจกรรม ตามที่ระบุไว้ข้างต้น , มอสเฟตเป็นประตูแหล่งที่มาของความจุ คิดต้องคิดอย่างมีวิจารณญาณระดับเริ่มต้น การระบายแรงดันจากแหล่ง . เป็นคําไม่กี่คําอธิบายจะช่วยให้เข้าใจภาพ ( 4A )และมะเดื่อ ( 4B ) ที่หนีบอุปนัยโหลดจะถูกแสดงโดยกระแสด้วยไดโอด D ทิศทางตรงกันข้ามเชื่อมต่อผ่านทาง . โดย MOSFET มีเนื้อแท้ภายในประตูต้านทาน เรียกว่า rgint . ตามที่อธิบายไว้ข้างต้น , ระหว่างชุมทางพารา capacitances ( CGS CGD , และซีดี )แสดงและเชื่อมต่อที่จุดที่เหมาะสมของพวกเขา VDD หมายถึงแรงดันดีซีบัสเพื่อระบายของ MOSFETผ่านบล็อกการโหลด คนขับมาโดย VCC ของ VP คุ้มค่าและพื้นดินเชื่อมต่อกับพื้นดินทั่วไปของ VDD และกลับไปยังแหล่งที่มาของโดย MOSFET . ผลผลิตจากไดรเวอร์ที่เชื่อมต่อกับประตูของมอสเฟตผ่านตัวต้านทาน rgext .