3.2. As (V) adsorption performance

3.2. As (V) adsorption performance of prepared samples
Fig. 5 shows As (V)-removal performance of the prepared
samples. Both GO-N2 HT and Al-GO-N2 HT reveal poor removal
efficiencies, with Al-GO-N2 slightly better between the two. This
can be due to the removal of most of functional groups on the
surface of GO during N2 heat treatment that are responsible for As
(V) adsorption. It may be argued that adsorption of As (V) can be
facilitated by the hydroxyl groups on the alumina surface; however,
unfavorable thermal conditions during N2 pyrolysis disfavor the
formation of any surface hydroxyl group, and the presence of a
graphene layer blocks the alumina surface, resulting in a poor
removal efficiency of Al-GO-N2 HT.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

3.2 การเป็นประสิทธิภาพการดูดซับ (V) ของตัวอย่างที่เตรียมไว้Fig. 5 แสดงเป็น (V) -เอาประสิทธิภาพของเตรียมไว้ตัวอย่างการ เปิดเผยเอาดีเอชที N2 ไปทั้งเอชทีอัลโก-N2ประสิทธิภาพ มีอัลโก-N2 ขึ้นเล็กน้อยระหว่างทั้งสอง นี้สามารถสมของ functional กลุ่มบนผิวไประหว่างการรักษาความร้อนของ N2 ที่มีหน้าที่ในการเป็น(V) ดูดซับ มันอาจจะโต้เถียงที่ดูดซับเป็น (V) สามารถอาศัยบนผิวอลูมินา กลุ่มไฮดรอกซิล อย่างไรก็ตามสภาพความร้อนร้ายระหว่าง N2 ไพโรไลซิ disfavorก่อตัวของกลุ่มไฮดรอกซิลผิวใด ๆ และสถานะของการชั้น graphene บล็อกผิวอลูมินา เกิดเป็นคนจนประสิทธิภาพในการกำจัดของเอชทีอัลโก-N2

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

3.2 ในฐานะที่เป็น (V) ประสิทธิภาพการดูดซับของตัวอย่างที่เตรียม
รูป 5 แสดงให้เห็นว่าในฐานะที่เป็น (V) ผลการดำเนินงานของ -removal เตรียม
ตัวอย่าง ทั้ง GO-N2 HT และอัล-GO-N2 HT เปิดเผยกำจัดยากจน
ประสิทธิภาพกับอัล-GO-N2 ดีขึ้นเล็กน้อยระหว่างคนทั้งสอง นี้
สามารถเกิดจากการกำจัดมากที่สุดของการทำงานเป็นกลุ่มใน
พื้นผิวของ GO ในระหว่างการรักษาความร้อน N2 ที่มีความรับผิดชอบในฐานะที่เป็น
(V) การดูดซับ มันอาจจะแย้งว่าการดูดซับของเป็น (V) สามารถ
อำนวยความสะดวกโดยกลุ่มมักซ์พลังค์บนพื้นผิวอลูมิเนียม; แต่
สภาวะที่มีอุณหภูมิที่ไม่เอื้ออำนวยในช่วงไพโรไลซิ N2 ไม่เห็นด้วย
การก่อตัวของกลุ่มใด ๆ มักซ์พลังค์พื้นผิวและการปรากฏตัวของ
บล็อกชั้น graphene พื้นผิวอลูมิเนียมที่มีผลในยากจน
ประสิทธิภาพในการกำจัดของอั-GO-N2 HT

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3.2 . ( 5 ) ประสิทธิภาพการดูดซับของเตรียมตัวอย่าง
ภาพที่ 5 แสดงเป็น ( V ) - การกำจัดการทำงานของเตรียม
ตัวอย่าง ทั้ง go-n2 HT al-go-n2 HT เปิดเผยและประสิทธิภาพการกำจัด
ยากจน มี al-go-n2 ดีขึ้นเล็กน้อยระหว่างสอง นี้
สามารถเนื่องจากการกำจัดมากที่สุดของหมู่ฟังก์ชันบนพื้นผิวของ 2
ไปในระหว่างการรักษาความร้อนที่รับผิดชอบตามที่
( V ) การดูดซับมันอาจจะแย้งว่า การดูดซับ ( V ) สามารถ
ความสะดวกจากหมู่ไฮดรอกซิลบนพื้นผิวอะลูมินา อย่างไรก็ตาม เงื่อนไขที่เสียเปรียบความร้อนระหว่าง 2 ค่า

ไม่ชอบการก่อตัวของพื้นผิวใด ๆที่มีหมู่ไฮดรอกซิลและการปรากฏตัวของ graphene ชั้นพื้นผิวอะลูมินา
บล็อก , ส่งผลให้ประสิทธิภาพการกำจัดยากจน
ของ al-go-n2 HT .