The computer fitting results of Nyq

The computer fitting results of Nyquist plots and Bode plots
(impedance and q) for AA5052 aluminium alloy in 4 M sodium
hydroxide-ethylene glycol solution containing 1mMADA are given
in Fig. 4(b) and (c). It is evident that the errors are within 10% for the
fitting results and the experimental data.
The reaction mechanism is studied according to fitting the
experimental data with the equivalent circuit. At higher frequencies,
the first capacitive semicircle is ascribed to the redox
reaction of Al4 Alþ. This charge transfer process is considered to
be the rate-controlling step. At medium frequencies, the first partinductive loop is formed due to the intermediates deposited on the
aluminium alloy surface. At lower frequencies, the second capacitive
semicircle is attributed to redox reaction of Alþ 4 Al3þ. This
process is the fast complementary step. The curves show that
increasing the concentration of dicarboxylic acids leads to increase
the size of the capacitive semicircles, indicating the increase of
charge transfer resistance. Compared with the blank solution, RS,
(Rct,1), R1, and (Rct,2) increase evidently. It shows that the presence of
ethylene glycol decreases the ionic conductivity of the electrolyte to
some extent. The largest Rp value is obtained for the AA5052 alloy
by the addition of the dicarboxylic acids. The presence of 1mMADA
has the best inhibition effect for the self-corrosion AA5052 alloy. It
is attributed to the formation of complex film via coordination bond
between dicarboxylic acid and aluminium ions. We also measured
the performance of dicarboxylic acids at higher concentration
(1.5 mM and 2 mM) in gasometry tests and electrochemical tests.
However, little change has been observed at higher concentration
compared with the 1 mM.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ผลที่เหมาะสมคอมพิวเตอร์แปลง Nyquist และแปลงเป็นลางบอกเหตุ
(ความต้านทานและด) สำหรับอลูมิเนียม AA5052 ใน 4 M
โซเดียมวิธีการแก้ปัญหาคอลไฮดรอกไซ-เอทิลีนที่มี1mMADA
จะได้รับในรูป 4 (ข) และ (ค) จะเห็นว่าข้อผิดพลาดอยู่ใน 10%
สำหรับผลการกระชับและข้อมูลการทดลอง. กลไกปฏิกิริยามีการศึกษาตามเหมาะสมข้อมูลการทดลองกับวงจรสมมูล ที่ความถี่สูง, ครึ่งวงกลม capacitive แรกคือการกำหนดให้กับปฏิกิริยาการเกิดปฏิกิริยาของAL4 alth ขั้นตอนการโอนค่าใช้จ่ายนี้จะถือเป็นขั้นตอนการควบคุมอัตรา ที่ความถี่กลางวง partinductive ครั้งแรกที่เกิดขึ้นเนื่องจากการตัวกลางที่ฝากบนพื้นผิวอลูมิเนียม ที่ความถี่ต่ำกว่า capacitive ที่สองครึ่งวงกลมมีสาเหตุมาจากการเกิดปฏิกิริยาของRedox alth 4 Al3þ นี้กระบวนการเป็นขั้นตอนที่สมบูรณ์ได้อย่างรวดเร็ว เส้นโค้งที่แสดงให้เห็นว่าการเพิ่มความเข้มข้นของกรด dicarboxylic นำไปสู่การเพิ่มขนาดของsemicircles capacitive ที่แสดงให้เห็นการเพิ่มขึ้นของความต้านทานต่อการถ่ายโอนค่าใช้จ่าย เมื่อเทียบกับโซลูชั่นที่ว่างเปล่า, อาร์เอส(Rct, 1), R1 และ (Rct 2) เพิ่มขึ้นอย่างเห็นได้ชัด มันแสดงให้เห็นว่าการปรากฏตัวของเอทิลีนไกลคอลลดการนำไอออนิกของอิเล็กโทรไลที่จะมีขอบเขต ค่ารูเปียห์ที่ใหญ่ที่สุดจะได้รับการผสม AA5052 โดยการเติมกรด dicarboxylic ที่ การปรากฏตัวของ 1mMADA มีผลยับยั้งที่ดีที่สุดสำหรับการกัดกร่อนโลหะผสม AA5052 ตนเอง มันมีสาเหตุมาจากการก่อตัวของฟิล์มที่ซับซ้อนผ่านพันธบัตรการประสานงานระหว่างกรดdicarboxylic และไอออนอลูมิเนียม นอกจากนี้เรายังวัดประสิทธิภาพการทำงานของกรด dicarboxylic ที่ความเข้มข้นที่สูงขึ้น (1.5 มิลลิ 2 มิลลิเมตร) การทดสอบและการทดสอบ gasometry ไฟฟ้า. อย่างไรก็ตามการเปลี่ยนแปลงเล็ก ๆ น้อย ๆ ได้รับการปฏิบัติที่มีความเข้มข้นสูงขึ้นเมื่อเทียบกับ1 มิลลิ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

คอมพิวเตอร์ที่เหมาะสมผลของไนควิสต์ผืนและลางแปลง
( อิมพีแดนซ์และ Q ) aa5052 อลูมิเนียม 4 M
โซดาไฟโซเดียมเอทิลีนไกลคอลจะได้รับสารละลายที่มี 1mmada
ในรูป 4 ( b ) และ ( c ) จะเห็นได้ว่าข้อผิดพลาดภายใน 10 % สำหรับผลที่เหมาะสมและข้อมูลการทดลอง
.
กลไกปฏิกิริยาคือศึกษาตามเหมาะสม
ข้อมูลเทียบเท่ากับวงจร ที่ความถี่สูงกว่า
ครึ่งวงกลมแบบแรกคือ ascribed เพื่อรีดอกซ์
ปฏิกิริยาของ al4 อัลþ . นี้การถ่ายโอนประจุกระบวนการถือว่า
สามารถควบคุมขั้นตอนที่อัตรา ที่ความถี่กลางวง partinductive แรกเกิดขึ้นเนื่องจาก intermediates ฝากไว้บน
อลูมิเนียมพื้นผิว ที่ความถี่ต่ำ
แบบที่สองครึ่งวงกลมจะเกิดจากการรีดอกซ์ปฏิกิริยาของอัลþ 4 al3 þ . ขั้นตอนนี้เป็นขั้นตอนที่รวดเร็ว
เสริม เส้นโค้งแสดงให้เห็นว่าการเพิ่มความเข้มข้นของกรด

dicarboxylic นำไปสู่การเพิ่มขนาดของ semicircles capacitive แสดงการเพิ่มขึ้นของความต้านทาน
ค่าธรรมเนียมการโอน เมื่อเทียบกับโซลูชั่นว่าง , RS ,
( Razorflame , 1 ) , R1 ( Razorflame 2 ) เพิ่มขึ้นเห็นได้ชัดมันแสดงให้เห็นว่าการปรากฏตัวของ
เอทิลีนไกลคอลลดการนำไอออนในอิเล็กโทรไลต์

บ้าง ค่า RP ที่ใหญ่ที่สุดจะได้รับสำหรับ aa5052 โลหะผสม
โดยการเติมกรด dicarboxylic . การปรากฏตัวของ 1mmada
มีการยับยั้งการกัดกร่อนผลที่ดีที่สุดสำหรับตนเอง aa5052 โลหะผสม มัน
เกิดจากการก่อตัวของภาพยนตร์ที่ซับซ้อนผ่าน
พันธบัตรประสานงานระหว่างกรด dicarboxylic และไอออนของอะลูมิเนียม เรายังช่วยวัดประสิทธิภาพของ dicarboxylic

กรดที่ความเข้มข้นสูงขึ้น ( 1.5 มม. และ 2 มม. ) ในการทดสอบ gasometry และการทดสอบเคมีไฟฟ้า .
แต่เปลี่ยนแปลงเล็กน้อยได้รับการตรวจสอบที่
ความเข้มข้นสูงขึ้นเมื่อเทียบกับ 1 มิลลิเมตร