In summary, this study describes a

In summary, this study describes a straightforward technique for direct growth of high-quality monolayer graphene on SiGe substrate by atmospheric pressure chemical vapor deposition (APCVD) with methane and hydrogen gases as precursors, which conclusively certifies that semiconductor SiGe has a very effective catalytic ability for direct fabrication of graphene. Raman, STM, optical transmittance spectra, TEM and HRTEM were used to determine the quality and thickness of the graphene film. The field-effect transistors were designed and characterized to measure the electrical properties of the synthesized graphene film. The obtained graphene on SiGe substrate is scalable and compatible with the mainstream microelectronics technology, thus paving the way to the applications of graphene in microelectronic field. This technique can utilize standard equipment available in semiconductor technology which is of maturity and is scalable.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในสรุป การศึกษานี้อธิบายเทคนิคตรงไปตรงมาสำหรับการเจริญเติบโตโดยตรงของ graphene monolayer คุณภาพบนพื้นผิว SiGe โดยความดันอากาศไอน้ำสารเคมีสะสม (APCVD) มีก๊าซมีเทนและไฮโดรเจนเป็น precursors ที่เห็นรับรองว่า สารกึ่งตัวนำ SiGe มีความสามารถในตัวเร่งปฏิกิริยามีประสิทธิภาพมากสำหรับการผลิตโดยตรงของ graphene รามัน อิ แรมสเป็คตราแสง transmittance ยการและ HRTEM ถูกใช้เพื่อกำหนดคุณภาพและความหนาของฟิล์ม graphene ฟิลด์–ผล transistors ถูกออกแบบ และลักษณะการวัดคุณสมบัติทางไฟฟ้าของฟิล์ม graphene สังเคราะห์ Graphene ได้รับบนพื้นผิว SiGe จะปรับสเกล และเข้ากันได้กับเทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์หลัก ดังนั้น ปูไปใช้ graphene ในฟิลด์ microelectronic เทคนิคนี้สามารถใช้อุปกรณ์มาตรฐานในเทคโนโลยีสารกึ่งตัวนำซึ่งเป็นวันครบกำหนด และสามารถปรับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

โดยสรุปการศึกษาครั้งนี้อธิบายถึงเทคนิคที่ตรงไปตรงมาในการเจริญเติบโตโดยตรงของที่มีคุณภาพสูง graphene monolayer ที่ SiGe พื้นผิวโดยความดันบรรยากาศไอสารเคมีสะสม (APCVD) ที่มีก๊าซมีเทนและก๊าซไฮโดรเจนเป็นสารตั้งต้นที่แน่ชัดรับรองว่าเซมิคอนดักเตอร์ SiGe มีความสามารถในการเร่งปฏิกิริยาที่มีประสิทธิภาพมาก สำหรับการผลิตโดยตรงของกราฟีน รามัน STM, สเปกตรัมการส่งผ่านแสง TEM และ HRTEM ถูกนำมาใช้ในการตรวจสอบคุณภาพและความหนาของฟิล์มกราฟีน ทรานซิสเตอร์สนามผลกระทบได้รับการออกแบบและลักษณะการวัดคุณสมบัติทางไฟฟ้​​าของฟิล์มกราฟีนสังเคราะห์ กราฟีนที่ได้รับใน SiGe สารตั้งต้นที่สามารถปรับได้และเข้ากันได้กับเทคโนโลยีไมโครอิเล็กทรอนิกส์กระแสหลักจึงปูทางไปสู่​​การใช้งานของกราฟีนในสาขาไมโครอิเล็กทรอนิกส์ เทคนิคนี้สามารถใช้ประโยชน์จากอุปกรณ์มาตรฐานที่มีอยู่ในเทคโนโลยีเซมิคอนดักเตอร์ซึ่งเป็นของการกำหนดและปรับขนาดได้

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

โดยสรุปการศึกษานี้อธิบายเทคนิคที่ตรงไปตรงมาสำหรับการเจริญเติบโตโดยตรงของกราฟีนอย่างที่มีคุณภาพสูงบนพื้นผิว SiGe โดยความดันบรรยากาศ ( chemical vapor deposition ( apcvd ) ก๊าซมีเทนและไฮโดรเจนก๊าซเป็นสารตั้งต้นด้วย ซึ่งสรุปบางส่วนของ SiGe ) มีความสามารถในการเร่งปฏิกิริยาที่มีประสิทธิภาพมากสำหรับการประกอบโดยตรงของกราฟีน . รามัน , STM ,การส่งผ่านแสงสเปกตรัมเต็ม และ hrtem ถูกใช้เพื่อตรวจสอบคุณภาพและความหนาของกราฟีนฟิล์ม การ field-effect ทรานซิสเตอร์ได้ถูกออกแบบ และลักษณะการวัดสมบัติทางไฟฟ้าของกราฟีนที่สังเคราะห์ฟิล์ม วิเคราะห์กราฟีนบนพื้นผิวได้อย่างเป็น SiGe และเข้ากันได้กับหลักไมโครอิเล็กทรอนิกส์เทคโนโลยีดังนั้น ปูทางสู่การประยุกต์ใช้กราฟีน microelectronic ในฟิลด์ เทคนิคนี้สามารถใช้อุปกรณ์ที่มีอยู่ในสารกึ่งตัวนำเทคโนโลยีที่เป็นมาตรฐานและมีวุฒิภาวะทางด้านเทคนิค