Experimental procedure2.1. Bulk sam

Experimental procedure2.1. Bulk sample fabricationAllylhydridopolycarbosilane has a nominal structure of[Si(CH2CH CH2)2CH2]0.1[SiH2CH2]0.9[1]. The polymer is desig-nated as SMP-10 by the manufacturer (Starfire Systems Co., Malta,NY, USA) and is in the form of a clear amber colored viscous liquidat room temperature. Fabrication of SiC as a bulk sample purelyfrom AHPCS is tricky and lengthy since shrinkage occurs as theprecursor converts to ceramic SiC. The shrinkage is due to removalof oligomers and gaseous by-products during polymer-to-ceramicconversion. Using reinforcing agents such as SiC whiskers or fibershelps in minimizing the overall volume shrinkage. These fillers canbe added in a considerable volume fraction in the composites anddo not undergo a volumetric change during processing. However,the current investigation is focused only on the characterization ofSiC derived from AHPCS. So, reinforcing agents such SiC fibers orwhiskers were not used. Instead, SiC powder produced by AHPCSwas itself used as filler.Fig. 1 shows the flow diagram of complete PIP processing steps.This process requires heating of the polymer precursor to a tem-perature above 800◦C under controlled atmosphere for polymer toceramic conversion. An inert atmosphere was maintained using aconstant flow of ultra high purity argon (99.999%) to prevent oxi-dation of SiC at higher temperatures. The fabrication process wasstarted by heating the liquid polymer precursor (AHPCS) to 650◦Cwith a heating rate of 1◦C/min and holding at that temperaturefor 10 min. This started the cross-linking of the polymer precursor.For complete conversion to SiC ceramic, the heating was contin-ued till the desired final temperatures, i.e. 900, 1150, and 1400◦CFig

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

Procedure2.1 ทดลอง FabricationAllylhydridopolycarbosilane เป็นกลุ่มอย่างมีโครงสร้างปกติของ [Si (CH2CH CH2) 2CH2] [SiH2CH2] 0.1 0.9 [1] ลิเมอร์เป็น desig nated SMP-10 โดยผู้ผลิต (บริษัทระบบไฟร์ มอลตา NY, USA) และในรูปแบบของอุณหภูมิห้อง liquidat หนืดสีเหลืองใส ผลิตของ SiC เป็น purelyfrom ตัวอย่างจำนวนมาก AHPCS ได้ยาก และใช้เวลานานเนื่องจากการหดตัวเกิดเป็น theprecursor แปลง SiC เซรามิก การหดตัวเกิดจาก removalof oligomers และผลิตภัณฑ์จากก๊าซระหว่างโพลิเมอร์-ceramicconversion ใช้ตัวแทนเสริมเช่นหนวด SiC หรือ fibershelps เพื่อลดการสูญเสียปริมาตรโดยรวม Canbe สารเหล่านี้ในปริมาณมากส่วนใน anddo คอมโพสิตไม่รับการเปลี่ยนแปลงปริมาตรระหว่างประมวลผล อย่างไรก็ตาม การสอบสวนปัจจุบันจะเน้นเฉพาะใน ofSiC สมบัติที่ได้มาจาก AHPCS ดังนั้น ตัวแทนเสริม orwhiskers เส้นใยเช่น SiC ไม่ใช้ แทน SiC ผงผลิต โดย AHPCSwas ตัวเองใช้เป็น filler.Fig. 1 แสดงแผนภาพการไหลของ PIP สมบูรณ์ขั้นตอนการประมวลผล กระบวนการนี้ต้องความร้อนของ tem อุณหภูมิเหนือ 800◦C ภายใต้บรรยากาศควบคุมภัยพอลิเมอร์พอลิเมอร์ toceramic แปลง บรรยากาศเฉื่อยกรุงใช้ aconstant ไหลของอาร์กอนบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ (99.999%) เพื่อป้องกัน dation oxi ของ SiC ที่อุณหภูมิสูง Wasstarted กระบวนการผลิต โดยร้อนภัยโพลิเมอร์เหลว (AHPCS) 650◦Cwith 1◦C นาทีอัตราความร้อนที่ temperaturefor ว่า 10 นาที นี้เริ่มต้นการเชื่อมโยงของสารตั้งต้นของพอลิเมอร์ สำหรับแปลงสมบูรณ์ SiC เซรามิก เครื่องทำความร้อนเป็น contin ued จนถึงอุณหภูมิสุดท้ายต้องการ เช่น 900, 1150 และ 1400◦CFig

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

procedure2.1 ทดลอง ตัวอย่าง fabricationAllylhydridopolycarbosilane จำนวนมากมีโครงสร้างที่ระบุของ [ศรี (CH2CH CH2) 2CH2] 0.1 [SiH2CH2] 0.9 [1] พอลิเมอเป็น Desig-จากเศษเป็น SMP-10 โดยผู้ผลิต (ไฟร์ Systems Co. , มอลตา, นิวยอร์ก, สหรัฐอเมริกา) และอยู่ในรูปแบบของสีเหลืองอำพันที่ชัดเจนสีอุณหภูมิห้องหนืด liquidat การผลิตของ SiC เป็นตัวอย่าง purelyfrom กลุ่ม AHPCS เป็นเรื่องยุ่งยากและมีความยาวตั้งแต่การหดตัวเกิดขึ้นเป็น theprecursor แปลงเป็นเซรามิกดังนี้ การหดตัวเกิดจากการ removalof oligomers และก๊าซโดยผลิตภัณฑ์โพลีเมอในช่วงการ ceramicconversion ใช้สารเสริมเช่นเครา SiC หรือ fibershelps ในการลดการหดตัวปริมาณโดยรวม ฟิลเลอร์เหล่านี้ canbe เพิ่มในส่วนปริมาณมากในคอมโพสิต anddo ไม่ได้รับการเปลี่ยนแปลงปริมาตรระหว่างการประมวลผล อย่างไรก็ตามการตรวจสอบในปัจจุบันจะมุ่งเน้นเฉพาะในตัวละคร ofSiC มาจาก AHPCS ดังนั้นตัวแทนเสริมเช่น SiC เส้นใย orwhiskers ไม่ได้ใช้ แต่ผง SiC ผลิตโดย AHPCSwas ตัวเองใช้เป็น filler.Fig 1 แสดงแผนภาพการไหลของ PIP กระบวนการ steps.This การประมวลผลที่สมบูรณ์ต้องใช้ความร้อนของพอลิเมอสารตั้งต้นไป TEM-perature ข้างต้น800◦Cภายใต้การควบคุมบรรยากาศสำหรับพอลิเมอแปลง toceramic บรรยากาศเฉื่อยก็ยังคงใช้การไหล aconstant พิเศษอาร์กอนมีความบริสุทธิ์สูง (99.999%) เพื่อป้องกันการ Oxi-dation ของ SiC ที่อุณหภูมิสูง ขั้นตอนการประดิษฐ์ wasstarted โดยใช้ความร้อนพอลิเมอของเหลวสารตั้งต้น (AHPCS) เพื่อ650◦Cwithอัตราความร้อนของ1◦C / นาทีและการถือครองที่ว่า temperaturefor 10 นาที เรื่องนี้เริ่มข้ามการเชื่อมโยงของพอลิเมอ precursor.For แปลงที่สมบูรณ์เพื่อ SiC เซรามิก, เครื่องทำความร้อนที่ถูก Contin-ued จนถึงอุณหภูมิสุดท้ายที่ต้องการคือ 900, 1150 และ1400◦CFig

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ทดลอง procedure2.1 . fabricationallylhydridopolycarbosilane ตัวอย่างขนาดใหญ่มีโครงสร้างปกติของ [ Si ( ch2ch C ) ] = [ ] = 2ch2 sih2ch2 [ 1 ] พอลิเมอร์เป็นนักออกแบบ nated เป็น smp-10 โดยผู้ผลิต ( starfire Systems Co . , มอลตา , NY , USA ) และอยู่ในรูปของผลึกชัดเจน อุณหภูมิในห้อง liquidat ความหนืดสี การเล่นเป็นกลุ่มตัวอย่าง purelyfrom ahpcs เป็นเรื่องยุ่งยากและมีความยาวตั้งแต่การหดตัวที่เกิดขึ้น theprecursor แปลงเซรามิค SiC แต่เนื่องจากผลของการศึกษาการกำจัดก๊าซหน่วยและผลพลอยได้ระหว่างพอลิเมอร์และ ceramicconversion . การใช้สารเสริมเช่น SiC หนวด หรือ fibershelps ลดการหดตัวระดับเสียงโดยรวม สารเหล่านี้สามารถเพิ่มในปริมาณมาก ส่วนในคอมไม่เจอ anddo เปลี่ยนแปลงปริมาตรในระหว่างการประมวลผล อย่างไรก็ตาม การสอบสวนในปัจจุบันจะเน้นเฉพาะในลักษณะ ofsic มาจาก ahpcs . ดังนั้น การเสริมสารดังกล่าว orwhiskers SIC เส้นใยที่ไม่ได้ใช้ แทน , SiC ผงที่ผลิตโดย ahpcswas ตัวเองใช้เป็น filler.fig 1 แสดงแผนภาพการไหลของกระบวนการที่สมบูรณ์จุด กระบวนการนี้ต้องใช้ความร้อนของพอลิเมอร์ สารตั้งต้นแบบเต็มๆ perature ข้างต้น 800 ◦ C ภายใต้สภาพบรรยากาศควบคุม ชนิด toceramic การแปลง บรรยากาศของก๊าซเฉื่อยอาร์กอนยังคงใช้กระแสคงที่ของความบริสุทธิ์สูงเป็นพิเศษ ( 99.999 % ) เพื่อป้องกัน oxi SIRS SiC อุณหภูมิสูง กระบวนการผลิตโดยความร้อนชนิดของเหลวสารตั้งต้น ( ahpcs ) 650 ◦ cwith ความร้อนอัตรา 1 ◦ C / นาที ถือว่า temperaturefor 10 นาทีนี่เริ่มโมเลกุลของโพลิเมอร์สารตั้งต้น สำหรับการแปลงเสร็จสมบูรณ์เพื่อ SIC เซรามิกความร้อนคือ Contin ued จนถึงอุณหภูมิที่ต้องการสุดท้ายคือ 900 , 1150 และ◦ cfig 1400 ,