Abstract:Due to the complex nature

Abstract:
Due to the complex nature of the device physics in Nanoparticle Thin-Film Transistors (N-TFTs) and Organic Field-Effect Transistors (O-FETs), comprehensive device models for circuit simulation are not available. Traditional silicon transistor models are not suitable for these types of technology, in spite of Nanoparticle-TFTs and organic-FETs follow the same working principle. Anyhow, the introduction of new models appears to be beneficial, but parameter extraction and fitting tends to be challenging. In this paper, a mathematical DC model for organic-FETs and Nanoparticle-TFTs is presented, which is tested for both types of technology. Unlike other models, the used equations do not try to model physical phenomena such as hysteresis and field-effect mobility since they appear to be arbitrary and unpredictable. From a circuit design perspective, the main advantage of this model is its simplicity in combination with a very good fit to the current-voltage transfer characteristics.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

บทคัดย่อ:เนื่องจากความซับซ้อนของอุปกรณ์ฟิสิกส์ในทรานซิสเตอร์ชนิดฟิล์มบาง nanoparticle สูง (N-TFTs) และทรานซิสเตอร์ฟิลด์ผลอินทรีย์ (O-FETs), รุ่นอุปกรณ์ที่ครอบคลุมสำหรับการจำลองวงจรไม่ได้ รุ่นดั้งเดิมซิลิคอนทรานซิสเตอร์ไม่เหมาะสมสำหรับชนิดของเทคโนโลยี แม้ TFTs nanoparticle สูงเหล่า และอินทรีย์ FETs ทำตามหลักการทำงานเดียวกัน อย่างไรก็ตาม การแนะนำของรุ่นใหม่จะ เป็นประโยชน์ แต่พารามิเตอร์สกัดและเหมาะสมจะ เป็นสิ่งที่ท้าทาย ในกระดาษนี้ แบบจำลองทางคณิตศาสตร์ของ DC FETs อินทรีย์และ TFTs nanoparticle สูงนำเสนอ ซึ่งผ่านการทดสอบทั้งสองชนิดของเทคโนโลยี ซึ่งแตกต่างจากรุ่นอื่น ๆ สมการใช้อย่าพยายามแบบปรากฏการณ์ทางกายภาพเช่น hysteresis และจำนวนฟิลด์ผลตั้งแต่ปรากฏจะกำหนด และคาดเดาไม่ จากมุมมองออกแบบวงจร ประโยชน์หลักของรุ่นนี้คือ ความเรียบง่ายร่วมกับเหมาะกับลักษณะโอนปัจจุบันแรงดันไฟฟ้า

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทคัดย่อ:
เนื่องจากลักษณะที่ซับซ้อนของฟิสิกส์อนุภาคนาโนอุปกรณ์ในฟิล์มบางทรานซิสเตอร์ (N-TFTs) และชีวจิตทรานซิสเตอร์สนามผล (O-FETs) รุ่นอุปกรณ์ที่ครอบคลุมสำหรับการจำลองวงจรจะไม่สามารถใช้ได้ รุ่นซิลิกอนทรานซิสเตอร์แบบดั้งเดิมจะไม่เหมาะสำหรับประเภทนี้ของเทคโนโลยีทั้งๆที่มีอนุภาคนาโน TFTs และ FETs อินทรีย์เป็นไปตามหลักการทำงานเดียวกัน ทั้งนี้การเปิดตัวรถรุ่นใหม่จะปรากฏขึ้นเพื่อเป็นประโยชน์ แต่การสกัดพารามิเตอร์และเหมาะสมมีแนวโน้มที่จะเป็นสิ่งที่ท้าทาย ในบทความนี้เป็นรุ่น DC-คณิตศาสตร์สำหรับ FETs อินทรีย์และอนุภาคนาโน TFTs จะนำเสนอซึ่งมีการทดสอบทั้งสองประเภทของเทคโนโลยี ซึ่งแตกต่างจากรุ่นอื่น ๆ ที่ใช้สมการไม่พยายามที่จะจำลองปรากฏการณ์ทางกายภาพเช่น hysteresis และข้อมูลผลกระทบการเคลื่อนไหวตั้งแต่พวกเขาดูเหมือนจะเป็นโดยพลการและคาดเดาไม่ได้ จากมุมมองของการออกแบบวงจรได้เปรียบหลักของรุ่นนี้คือความเรียบง่ายในการรวมกันกับแบบที่ดีมากกับลักษณะการถ่ายโอนปัจจุบันแรงดัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทคัดย่อ :เนื่องจากลักษณะที่ซับซ้อนของอุปกรณ์สำหรับฟิสิกส์ในฟิล์มบางทรานซิสเตอร์ ( n-tfts ) และทรานซิสเตอร์ผลสนามอินทรีย์ ( o-fets ) , อุปกรณ์ต้นแบบที่ครอบคลุมสำหรับการจำลองวงจรจะไม่สามารถใช้ได้ ซิลิกอนทรานซิสเตอร์แบบดั้งเดิมจะไม่เหมาะกับชนิดเหล่านี้ของเทคโนโลยี แม้ tfts สำหรับ fets อินทรีย์และปฏิบัติตามหลักการทำงานเดียวกัน อย่างไรก็ตาม การแนะนำของรูปแบบใหม่ที่ดูเหมือนจะเป็นประโยชน์ แต่ปรับพารามิเตอร์การสกัดและมีแนวโน้มที่จะท้าทาย ในกระดาษนี้ เป็นโมเดลทางคณิตศาสตร์สำหรับ DC fets อินทรีย์และ tfts เสนอ ซึ่งมีการทดสอบทั้งประเภทของเทคโนโลยี ซึ่งแตกต่างจากรุ่นอื่น ๆที่ใช้สมการไม่ได้ลองแบบปรากฏการณ์ทางกายภาพ เช่น แบบ field-effect การเคลื่อนไหวและตั้งแต่พวกเขาดูเหมือนจะเป็นโดยพลการ และไม่อาจคาดเดาได้ จากวงจรการออกแบบมุมมอง ประโยชน์หลักของรุ่นนี้คือความเรียบง่ายในการรวมกันกับพอดีเหมาะกับคุณลักษณะการถ่ายโอนแรงดันกระแส