Most recently, PVD and CVD have bee

Most recently, PVD and CVD have been employed to prepare
single layer In2Se3.16 PVD has been used successfully to prepare
GaSe and lateral heterojunctions.22−24 Lin et al. epitaxially
synthesized In2Se3 layers on mica and graphene.16 Monolayered
In2Se3 were obtained along with the formation of thick In2Se3
layers. This method opened a new way to synthesize the largesize
In2Se3 monolayer.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ล่าสุด PVD และผิว CVD ได้รับจ้างเพื่อเตรียมความพร้อมชั้นเดียว In2Se3.16 PVD ถูกใช้เสร็จเรียบร้อยเพื่อเตรียมGaSe และด้านข้าง heterojunctions.22−24 Lin et al. epitaxiallyชั้น In2Se3 สังเคราะห์ไมกาและ graphene.16 MonolayeredIn2Se3 ได้รับมาพร้อมกับการก่อตัวของ In2Se3 หนาชั้น วิธีนี้เปิดใหม่วิธีการสังเคราะห์ largesizeIn2Se3 monolayer

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

เมื่อเร็ว ๆ นี้ PVD และ CVD
ได้รับการว่าจ้างเพื่อเตรียมความพร้อมชั้นเดียวIn2Se3.16 PVD
ได้รับการใช้ประสบความสำเร็จเพื่อเตรียมความพร้อมกรณีนำและด้านข้างheterojunctions.22-24 หลิน et al, epitaxially
สังเคราะห์ชั้น In2Se3 ในแก้วและ graphene.16 Monolayered
In2Se3 ที่ได้รับพร้อมกับการก่อตัวของความหนา In2Se3
ชั้น วิธีการนี้จะเปิดทางใหม่ในการสังเคราะห์ largesize
In2Se3 monolayer

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

มากที่สุดเมื่อเร็ว ๆนี้และมีการใช้บริการเพิ่มขึ้นเพื่อเตรียม
PVD in2se3.16 ชั้นเดียวได้ใช้เรียบร้อยแล้ว เตรียมตัว
เดีย และด้านข้าง heterojunctions 22 − 24 หลิน et al . epitaxially
สังเคราะห์ in2se3 ชั้นบนแก้วและ graphene.16 monolayered
in2se3 ได้รับพร้อมกับการก่อตัวของชั้น in2se3
หนา วิธีนี้เปิดวิธีการใหม่เพื่อสังเคราะห์ largesize
in2se3 อย่าง .