Following the theory of optical tra

Following the theory of optical transition in semiconductors [32],
the low- and high-temperature onsets of the absorption spectra
correspond to band-to-band transitions involving phonon absorption
(Egþ:oph) and phonon-emission (Eg :oph) processes,respectively, where Eg and :oph are the band-gap energy and
phonon energy. The PL peak energies coincide with the phononassisted
optical transition energies. Thus, we can conclude that the
PL peaks at 3.22 and 3.27 eV are band-to-band optical transitions
(i.e., recombination of free electrons and holes) involving phonon
absorption and emission. The temperature dependent spectral shape
of the band-edge PL also supports this conclusion [19]. The phonon
energy of 25 meV is close to the transverse optical (TO2) phonon
energy at zone boundary [33].
Finally, we comment on unique PL properties in SrTiO3. The
observation of band-edge PL indicates the existence of free electrons
and holes in SrTiO3. Although LiTaO3, LiNbO3, KTaO3, and
BaTiO3 are d0
-type and indirect-gap semiconductors and show no
excitonic effects similar to SrTiO3 [19–23], no band-edge PL is
observed in perovskite semiconductors other than SrTiO3. At
present stage, we believe that the band-edge PL of SrTiO3 is related
to the fact that SrTiO3 shows significantly high carrier mobility
compared to other oxide semiconductors [34,35]. It is likely that in
other perovskite semiconductors carriers would be localized and
no band-edge PL is observed. Our findings will provide new insight
into the nature of carriers in wide-gap perovskite semiconductors.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ตามทฤษฎีของช่วงแสงในอิเล็กทรอนิกส์ [32],onsets ต่ำ - และอุณหภูมิสูงของแรมสเป็คตราดูดซึมสอดคล้องกับช่วงการเปลี่ยนภาพวงดนตรีเกี่ยวข้องกับการดูดซึม phonon(Egþ:oph) และปล่อย ก๊าซ phonon (Eg: oph) ประมวลผล ตามลำดับ เช่น และ: oph เป็นช่องว่างแถบพลังงาน และประหยัดพลังงาน phonon พลังงานสูงสุด PL ที่สอดคล้องกับ phononassistedพลังงานแสงเปลี่ยน ดังนั้น เราสามารถสรุปได้ที่นี้พีคส์ PL ที่ 3.22 และ 3.27 eV จะเปลี่ยนแสงวงวงดนตรี(เช่น recombination ของอิเล็กตรอนอิสระและหลุม) เกี่ยวข้องกับ phononดูดซึมและการปล่อยก๊าซ รูปร่างสเปกตรัมขึ้นอยู่กับอุณหภูมิของขอบวง PL สนับสนุนข้อสรุปนี้ [19] นอกจากนี้ Phononมีพลังงาน 25 meV phonon (TO2) แสง transverseพลังงานในขอบเขต [33]สุดท้าย เราคิดบนคุณสมบัติ PL ใน SrTiO3 ที่สังเกตขอบวง PL บ่งชี้ว่า การดำรงอยู่ของอิเล็กตรอนอิสระและหลุมใน SrTiO3 แม้ว่า LiTaO3, LiNbO3, KTaO3 และBaTiO3 จะ d0-ชนิด และอิเล็กทรอนิกส์ทางอ้อมช่องว่าง และดูไม่ซึ่งมีลักษณะคล้ายกับ SrTiO3 [19 – 23], excitonic PL ขอบวงไม่เป็นสังเกตใน perovskite อิเล็กทรอนิกส์อื่น ๆ SrTiO3 ที่ระยะปัจจุบัน เราเชื่อว่า PL SrTiO3 ขอบวงเกี่ยวข้องในความเป็นจริงว่า SrTiO3 แสดงความคล่องตัวในการขนส่งที่สูงมากเมื่อเทียบกับอื่น ๆ อิเล็กทรอนิกส์ออกไซด์ [34,35] เป็นไปได้สายอิเล็กทรอนิกส์ perovskite อื่น ๆ จะเป็นภาษาท้องถิ่น และสังเกต PL วงขอบไม่ ผลการวิจัยของเราจะให้ความเข้าใจใหม่ธรรมชาติของสายการบินในช่วงไวด์ perovskite อิเล็กทรอนิกส์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ต่อไปนี้ทฤษฎีของการเปลี่ยนแปลงแสงในเซมิคอนดักเตอร์ [32],
ต่ำและ onsets อุณหภูมิสูงของสเปกตรัมการดูดซึม
สอดคล้องกับวงดนตรีเพื่อการเปลี่ยนวงดนตรีที่เกี่ยวข้องกับการดูดซึม phonon
(Egþ: OPH) และ phonon ปล่อยก๊าซเรือนกระจก (เช่น: OPH) กระบวนการ ตามลำดับที่และเช่น: OPH เป็นพลังงานช่องว่างวงดนตรีและ
พลังงาน phonon พลังงานสูงสุด PL ตรงกับ phononassisted
การเปลี่ยนแปลงพลังงานแสง ดังนั้นเราจึงสามารถสรุปได้ว่า
ยอด PL ที่ 3.22 และ 3.27 eV มีวงดนตรีเพื่อการเปลี่ยนวงออปติคอล
(เช่นการรวมตัวกันของอิเล็กตรอนอิสระและหลุม) ที่เกี่ยวข้องกับการ phonon
ดูดซึมและการปล่อยก๊าซเรือนกระจก อุณหภูมิขึ้นอยู่กับรูปร่างสเปกตรัม
ของวงขอบ PL ยังสนับสนุนข้อสรุปนี้ [19] phonon
พลังงาน 25 meV อยู่ใกล้กับขวางแสง (TO2) phonon
พลังงานในเขตแดนโซน [33].
สุดท้ายเราแสดงความคิดเห็นเกี่ยวกับคุณสมบัติที่ไม่ซ้ำกันใน PL SrTiO3
การสังเกตของ PL วงขอบบ่งชี้ว่าการดำรงอยู่ของอิเล็กตรอนอิสระ
และหลุมใน SrTiO3 แม้ว่า LiTaO3, LiNbO3, KTaO3 และ
BaTiO3 มี d0
ชนิดเซมิคอนดักเตอร์และทางอ้อมช่องว่างและไม่แสดง
ผลกระทบ excitonic คล้ายกับ SrTiO3 [19-23] ไม่มี PL วงขอบมีการ
ตั้งข้อสังเกตในเซมิคอนดักเตอร์ perovskite อื่นที่ไม่ใช่ SrTiO3 ใน
ขั้นตอนปัจจุบันเราเชื่อว่า PL วงขอบของ SrTiO3 เป็นเรื่องที่เกี่ยวข้อง
กับความจริงที่แสดงให้เห็นถึงการเคลื่อนไหว SrTiO3 ผู้ให้บริการที่สูงอย่างมีนัยสำคัญ
เมื่อเทียบกับเซมิคอนดักเตอร์ออกไซด์อื่น ๆ [34,35] มันอาจเป็นไปได้ว่าใน
ผู้ให้บริการอื่น ๆ perovskite เซมิคอนดักเตอร์จะได้รับการแปลเป็นภาษาท้องถิ่นและ
ไม่มี PL วงขอบเป็นที่สังเกต ผลการวิจัยของเราจะให้ข้อมูลเชิงลึกใหม่
ลงไปในธรรมชาติของผู้ให้บริการในช่องว่างกว้าง perovskite เซมิคอนดักเตอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ตามทฤษฎีของแสงเปลี่ยนแปลงในสารกึ่งตัวนำ [ 32 ] ,
- สูง - ต่ำ และผู้ป่วยของสเปกตรัมการดูดกลืน
สอดคล้องกับวงดนตรีวงการเปลี่ยนที่เกี่ยวข้องกับการดูดซึม Phonon
( เช่นþ : อ๊อฟ ) และ Phonon ออก ( เช่น : อ๊อฟ ) กระบวนการตามลำดับที่เช่น : อ๊อฟ และมีช่องว่างแถบพลังงานและ
Phonon พลังงาน พียอดพลังบรรจบกับ phononassisted
การเปลี่ยนแปลงพลังงานแสง . ดังนั้นเราจึงสามารถสรุปได้ว่า ยอดที่คุณ
3.22 3.27 EV เป็นวงดนตรีวงแสงเปลี่ยน
( เช่น การของอิเล็กตรอนอิสระและหลุม ) ที่เกี่ยวข้องกับการดูดซึม Phonon
แล้วค่า อุณหภูมิขึ้นอยู่กับรูปร่างของเงา
ขอบวงคุณยังสนับสนุนข้อสรุปนี้ [ 19 ] โดย Phonon
พลังงาน 25 อิเล็กตรอนโวลต์อยู่ใกล้กับแนวแสง ( to2 Phonon
)พลังงานที่เขตแดนโซน [ 33 ]
ในที่สุดเราแสดงความคิดเห็นเกี่ยวกับคุณสมบัติเฉพาะใน srtio3 .
แบบ PL ขอบวงดนตรีแสดงการดำรงอยู่ของ
อิเล็กตรอนอิสระและหลุมใน srtio3 . แม้ว่า litao3 ผลึก ktao3 , และ batio3 +
-
มีประเภทและเซมิคอนดักเตอร์ช่องว่างทางอ้อมและไม่แสดง
excitonic ผลคล้ายกับ srtio3 [ 19 – 23 ) ไม่มีขอบวงเป็น
.พลังงานที่เขตแดนโซน [ 33 ]
ในที่สุดเราแสดงความคิดเห็นเกี่ยวกับคุณสมบัติเฉพาะใน srtio3 .
แบบ PL ขอบวงดนตรีแสดงการดำรงอยู่ของ
อิเล็กตรอนอิสระและหลุมใน srtio3 . แม้ว่า litao3 ผลึก ktao3 , และ batio3 +
-
มีประเภทและเซมิคอนดักเตอร์ช่องว่างทางอ้อมและไม่แสดง
excitonic ผลคล้ายกับ srtio3 [ 19 – 23 ) ไม่มีขอบวงเป็น
.พบในเพอรอฟสไกต์สารกึ่งตัวนำมากกว่า srtio3 . ที่
เวทีปัจจุบัน เราเชื่อว่า คุณขอบวงของ srtio3 เกี่ยวข้อง
ความจริงที่ว่า srtio3 แสดงการเคลื่อนไหวอย่างมีนัยสำคัญเมื่อเทียบกับอื่น ๆผู้ให้บริการสูง
ออกไซด์สารกึ่งตัวนำ [ 34,35 ] มันมีแนวโน้มว่า ในระบบอื่น ๆผู้ให้บริการจะเพอรอฟสไกด์

ไม่มีขอบวงถิ่น และคุณจะสังเกตได้ ผลการวิจัยของเราจะให้ข้อมูลเชิงลึกใหม่
ในลักษณะของผู้ให้บริการในกว้างช่องว่างเพอรอฟสไกต์ เซมิคอนดักเตอร์