Thin films of aluminum-doped zinc o

Thin films of aluminum-doped zinc oxide (ZnO:Al) continue to gather considerable interest as transparent conductive oxide(TCO) for a variety of applications, including photovoltaic cells and transparent thin-film transistors [1–3]. In substitution of the more traditionally used indium-tin-oxide (ITO), ZnO:Al allows for the use of inexpensive, non-toxic and earth-abundant ele-ments [4]. Several deposition methods, e.g., sputtering [5], thermal evaporation [6], chemical vapour deposition [7], sol–gel [8], and spray pyrolysis [9] have been reported in the literature for ZnO:Al films. Among them, the direct current (DC) magnetron sputtering deposition remains one of the most attractive technique, asit is a relatively simple and industrially scalable process, and it

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มบางของ doped อลูมิเนียมสังกะสีออกไซด์ (ZnO:Al) ยังรวบรวมจำนวนมากสนใจเป็น oxide(TCO) ไฟฟ้าโปร่งใสสำหรับโปรแกรมประยุกต์ รวมถึงเซลล์แสงอาทิตย์และสีใสฟิล์มบาง transistors [1-3] ในการทดแทนมีประเพณีใช้อินเดียมดีบุกออกไซด์ (ITO), ZnO:Al อนุญาตให้ใช้ราคาไม่แพง ไม่เป็นพิษ และดินอุดมสมบูรณ์เอเล-ments [4] มีการรายงานหลายสะสม วิธีการ เช่น พ่น [5], [6] ความร้อนระเหย สะสมไอสารเคมี [7], โซลเจล [8], และสเปรย์ไพโรไลซิ [9] ในวรรณคดีสำหรับฟิล์ม ZnO:Al ในหมู่พวกเขา magnetron กระแสตรง (DC) พ่นสะสมยังคงเป็นหนึ่งในเทคนิคน่าสนใจที่สุด asit เป็นกระบวนการค่อนข้างง่าย และสามารถต่อขยาย industrially และ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบางอลูมิเนียมเจือซิงค์ออกไซด์ (ZnO: อัล) ยังคงรวบรวมความสนใจมากเป็นโปร่งใสออกไซด์ไฟฟ้า (TCO) สำหรับความหลากหลายของการใช้งานรวมทั้งเซลล์สุริยะและโปร่งใสทรานซิสเตอร์ฟิล์มบาง [1-3] แทนมากขึ้นประเพณีที่ใช้อินเดียมดีบุกออกไซด์ (ITO), ซิงค์ออกไซด์: อัลช่วยให้การใช้ของราคาถูกไม่เป็นพิษและดินที่อุดมสมบูรณ์ ments-เอเล [4] วิธีการสะสมหลายเช่นสปัตเตอร์ [5] การระเหยความร้อน [6], ไอสารเคมีสะสม [7], โซลเจล [8] และสเปรย์ไพโรไลซิ [9] ได้รับการรายงานในวรรณคดีสำหรับซิงค์ออกไซด์: อัภาพยนตร์ ในหมู่พวกเขาปัจจุบัน (DC) แมกนีตรอนสปัตเตอร์สะสมโดยตรงยังคงเป็นหนึ่งในเทคนิคที่น่าสนใจที่สุด Asit เป็นกระบวนการที่ค่อนข้างง่ายและขยายขีดความสามารถอุตสาหกรรมและมัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มบางอลูมิเนียมเจือสังกะสีออกไซด์ ( ZnO : AL ) ยังคงที่จะรวบรวมความสนใจมากเป็นออกไซด์ Conductive ใส ( TCO ) สำหรับความหลากหลายของการใช้งานรวมทั้งเซลล์แสงอาทิตย์ชนิดฟิล์มบางทรานซิสเตอร์และโปร่งใส [ 1 - 1 ] ในการใช้ยิ่งใช้ผ้าอินเดียมทินออกไซด์ ( ITO ) , ซิงค์ออกไซด์ : อัลช่วยให้ใช้ของไม่แพง ไม่เป็นพิษ และโลกมากมายเขา ments [ 4 ]แบบหลายวิธี เช่น การสปัตเตอร์ [ 5 ] , การระเหยความร้อน [ 6 ] , ซีวีดี [ 7 ] , โซล - เจลและสเปรย์ไพโรไลซีส [ 8 ] , [ 9 ] ได้รับการรายงานในวรรณคดีสำหรับฟิล์มซิงค์ออกไซด์ : อัล ในหมู่พวกเขา , ไฟฟ้ากระแสตรง ( DC ) แมกนีตรอนสปัตเตอริงสะสมยังคงเป็นหนึ่งของเทคนิคที่น่าสนใจมากที่สุด นี้ค่อนข้างง่าย และทางอุตสาหกรรม ด้านกระบวนการ และมัน