It is to be noted that the mc-Si:H

It is to be noted that the mc-Si:H bottom cells are in both case nominally the same and the systematic difference in Jsc is related to the thickness of the filter layer not perfectly matching the top cell absorption. The FF in tandem cells does not continuously increase with increasing filling layer
thickness as for the filtered bottom cells, however this evolution is not fully understood. Increasing the filling layer thickness does not lead to poorer ZnO sheet resistance thus excluding an increase of serial resistance as a cause of poor FF. The Jsc losses can be understood considering the changes in ARS with increasing filling layer thickness leading to a poorer light scattering toward large angles as shown in Fig. 8

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ก็ให้สังเกตที่ mc-Si:H ด้านล่างเซลล์เท่ากันในทั้งสองกรณีเมื่อ และความแตกต่างระบบ Jsc เกี่ยวข้องกับความหนาของชั้นกรองที่ดูดซึมเซลล์ด้านบนที่ตรงกันไม่สมบูรณ์ FF ในเซลล์ตัวตามกันไปไม่ต่อเนื่องเพิ่มกับเพิ่มเติมชั้นความหนาของส่วนล่างกรองเซลล์ แต่วิวัฒนาการนี้ไม่เป็นอย่างที่เข้าใจกัน เพิ่มความหนาของชั้นบรรจุไม่ทำย่อม ZnO แผ่นความต้านทานจึง ไม่รวมการเพิ่มขึ้นของความต้านทานต่ออนุกรมเป็นสาเหตุของ FF ไม่ สามารถเข้าใจการสูญเสีย Jsc พิจารณาเปลี่ยนแปลงอาอาร์ส มีความหนาชั้นบรรจุเพิ่มขึ้นที่นำไปสู่การ scattering แสงย่อมไปทางมุมที่มีขนาดใหญ่มาก Fig. 8

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

มันเป็นที่น่าสังเกตว่า MC-Si: H เซลล์ด้านล่างอยู่ในทั้งสองกรณีในนามเดียวกันและความแตกต่างในระบบ Jsc มีความเกี่ยวข้องกับความหนาของชั้นกรองได้อย่างสมบูรณ์แบบที่ตรงกับการดูดซึมของเซลล์ด้านบน FF
ในเซลล์ควบคู่ไม่ได้อย่างต่อเนื่องเพิ่มขึ้นด้วยชั้นเติมการเพิ่มความหนากับการกรองเซลล์ด้านล่างแต่วิวัฒนาการนี้จะไม่ได้เข้าใจอย่างเต็มที่ การเพิ่มความหนาของไส้ชั้นไม่นำไปสู่ความต้านทานแผ่นซิงค์ออกไซด์ยากจนจึงไม่รวมการเพิ่มขึ้นของความต้านทานอนุกรมเป็นสาเหตุของคนยากจน FF ความเสียหายที่เกิด Jsc สามารถเข้าใจได้พิจารณาการเปลี่ยนแปลงใน ARS กับความหนาของชั้นบรรจุเพิ่มขึ้นนำไปสู่การกระเจิงแสงยากจนไปสู่มุมที่มีขนาดใหญ่ดังแสดงในรูป 8

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เป็นที่น่าสังเกตว่า พิธีกร ซี : H ด้านล่างเซลล์อยู่ในทั้งสองกรณีในนามเดียวกันและความแตกต่างใน JSC เป็นระบบที่เกี่ยวข้องกับความหนาของชั้นกรองไม่สมบูรณ์ตรงกับการดูดซึมของเซลล์ด้านบน FF ตีคู่เซลล์ไม่ได้เพิ่มขึ้นอย่างต่อเนื่อง เพิ่มเติมความหนาชั้น
สำหรับกรองล่างเซลล์ อย่างไรก็ตามการวิวัฒนาการนี้จะไม่เข้าใจเพิ่มเติมความหนาของชั้นไม่ได้นำไปสู่ความต้านทานแผ่นสังกะสีลดลงดังนั้นจึงไม่รวมการเพิ่มขึ้นของความต้านทานอนุกรมเป็นสาเหตุของ FF ที่น่าสงสาร ผู้ที่มีการสูญเสียสามารถเข้าใจได้พิจารณาการเปลี่ยนแปลงใน Ars เพิ่มเติมความหนาของชั้นทำให้แสงกระเจิงไปจนมุมขนาดใหญ่ ดังแสดงในรูปที่ 8