In this configuration, the QDs are

In this configuration, the QDs are formed into an ordered 3-D array with inter-QD spacing sufficiently small such that strong electronic coupling occurs and minibands are formed to allow long-range electron transport; the QD array is placed in the intrinsic region of a p+–i–n+ structure (see Fig. 2a). The QD array is a 3-D analog to a 1-D superlattice and the miniband structures formed therein [6]. The delocalized quantized 3-D miniband states could be expected to slow the carrier cooling and permit the transport and collection of hot carriers at the respective p and n contacts to produce a higher photopotential in a PV cell or in a photoelectrochemical cell where the 3-D QD array is the photoelectrode [25]. Also, impact ionization might be expected to occur in the QD arrays, enhancing the photocurrent (see Fig. 1). However, hot electron transport/collection and impact ionization cannot occur simultaneously; they are mutually exclusive and only one of these processes can be present in a given system.

Significant progress has been made in forming 3-D arrays of both colloidal [26] and epitaxial [27] II–VI and III–V QDs. The former have been formed via evaporation and crystallization of colloidal QD solutions containing a uniform QD size distribution; crystallization of QD solids from broader size distributions lead to close-packed QD solids, but with a high degree of disorder. Concerning the latter, arrays of epitaxial QDs have been formed by successive epitaxial deposition of epitaxial QD layers; after the first layer of epitaxial QDs is formed, successive layers tend to form with the QDs in each layer aligned on top of each other [27] and [28]. Theoretical and experimental studies of the properties of QD arrays are currently under way. Major issues are the nature of the electronic states as a function of inter-dot distance, array order vs. disorder, QD orientation and shape, surface states, surface structure/passivation, and surface chemistry. Transport properties of QD arrays are also of critical importance, and they are under investigation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในการกำหนดค่านี้ QDs การเกิดขึ้นเป็นอาร์เรย์ 3 มิติสั่งด้วยระยะห่าง QD อินเตอร์ขนาดเล็กเพียงพอเช่นที่เกิดขึ้นต่ออิเล็กทรอนิกส์ที่แข็งแกร่ง และ minibands เกิดขึ้นเพื่อให้การขนส่งอิเล็กตรอนระยะไกล อาร์เรย์ QD อยู่ในภูมิภาคที่แท้จริงของ p + – ฉัน – n + โครงสร้าง (ดูรูป 2a) อาร์เรย์ QD เป็นอนาล็อก 3-D superlattice 1 D และ miniband โครงสร้างเกิดขึ้นในนั้น [6] การ delocalized quantized miniband 3-D ที่อเมริกาอาจต้องช้าผู้ขนส่งความเย็น และใบอนุญาตการขนส่งและเก็บของร้อนสายการบินที่เกี่ยวข้อง p และ n ติดต่อผลิต photopotential สูง ในเซลล์ PV หรือ ในเซลล์ photoelectrochemical เรย์ QD 3-D อยู่ photoelectrode [25] นอกจากนี้ ผลกระทบไอออไนซ์อาจจะคาดหวังในอาร์เรย์ QD เพิ่ม photocurrent (ดูรูปที่ 1) อย่างไรก็ตาม ไอออไนซ์ร้อนขนส่งอิเล็กตรอน/รวบรวมและผลกระทบไม่สามารถเกิดขึ้นพร้อม ๆ กัน พวกเขามีร่วมกัน และกระบวนการเหล่านี้หนึ่งเท่านั้นจะอยู่ในระบบที่กำหนดมีความคืบหน้าได้ในอาร์เรย์ 3 มิติ colloidal [26] และ epitaxial [27] II – VI และ QDs III – V อดีตมีขึ้นผ่านการระเหยและการตกผลึกของ colloidal QD ประกอบด้วย QD กระจายสม่ำเสมอขนาด ผลึกของของแข็ง QD จากการกระจายขนาดกว้างนำปิดบรรจุของแข็ง QD แต่ มีความผิดปกติในระดับสูง เกี่ยวกับหลัง อาร์เรย์ของ epitaxial QDs มีขึ้น โดยต่อเนื่อง epitaxial สะสมของ epitaxial QD ชั้น หลังจากเกิดขึ้นชั้นแรกของ epitaxial QDs ชั้นต่อเนื่องมักจะแบบฟอร์มมี QDs ในแต่ละชั้นจัดชิดด้านบนของแต่ละอื่น ๆ [27] และ [28] ทฤษฎี และการทดลองศึกษาคุณสมบัติของ QD อาร์เรย์จะอยู่ภายใต้วิธี ปัญหาที่สำคัญคือ ธรรมชาติของรัฐอิเล็กทรอนิกส์เป็นฟังก์ชันของระยะทางระหว่างจุด เรย์สั่งเจอโรค แนว QD รูปร่าง อเมริกาพื้นผิว พื้นผิวโครงสร้าง/ฟิล์ม และเคมีพื้นผิว คุณสมบัติการขนส่งของอาร์เรย์ที่ QD สำคัญสำคัญ และพวกเขาจะตรวจสอบ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในการกำหนดค่านี้ QDS จะเกิดขึ้นเป็นคำสั่งให้ 3 มิติอาร์เรย์กับอินเตอร์-QD ระยะห่างพอสมควรขนาดเล็กดังกล่าวว่าการมีเพศสัมพันธ์ที่แข็งแกร่งอิเล็กทรอนิกส์เกิดขึ้นและ minibands จะเกิดขึ้นจะช่วยให้การขนส่งอิเล็กตรอนระยะยาว; อาร์เรย์ QD จะอยู่ในภูมิภาคที่แท้จริงของ P + -i-N + โครงสร้าง (ดูรูป. 2A) อาร์เรย์ QD เป็น 3 มิติแบบอะนาล็อกไป 1-D superlattice และโครงสร้าง miniband ที่เกิดขึ้นในนั้น [6] delocalized ไท 3-D รัฐ miniband อาจจะคาดว่าจะชะลอตัวระบายความร้อนให้บริการและอนุญาตให้มีการขนส่งและคอลเลกชันของผู้ให้บริการที่ร้อน P ตนและ n รายชื่อในการผลิตที่สูงขึ้น photopotential ในเซลล์แสงอาทิตย์หรือในเซลล์ photoelectrochemical ที่ 3- D QD อาร์เรย์ photoelectrode ม [25] นอกจากนี้ไอออนไนซ์ผลกระทบอาจจะมีการคาดว่าจะเกิดขึ้นในอาร์เรย์ QD ที่เพิ่ม photocurrent (ดูรูปที่ 1). อย่างไรก็ตามอิเล็กตรอนร้อนขนส่ง / การเก็บรวบรวมและไอออนไนซ์ผลกระทบไม่สามารถเกิดขึ้นพร้อมกัน พวกเขามีความพิเศษร่วมกันและมีเพียงหนึ่งของกระบวนการเหล่านี้จะสามารถอยู่ในระบบที่กำหนด. ความคืบหน้าสำคัญได้รับการทำในรูปแบบ 3 มิติอาร์เรย์ของทั้งสองคอลลอยด์ [26] และ epitaxial [27] II-VI และ III-V QDS อดีตได้รับการจัดตั้งขึ้นผ่านการระเหยและการตกผลึกของการแก้ปัญหา QD คอลลอยด์ที่มีการกระจายขนาด QD สม่ำเสมอ การตกผลึกของของแข็ง QD จากการกระจายขนาดที่กว้างขึ้นนำไปสู่การปิดบรรจุของแข็ง QD แต่มีระดับสูงของความผิดปกติ เกี่ยวกับหลังอาร์เรย์ QDS epitaxial ได้รับการเกิดจากการทับถม epitaxial เนื่องของชั้น QD epitaxial; หลังจากที่ชั้นแรกของ QDS epitaxial จะเกิดขึ้นแต่ละชั้นมีแนวโน้มที่จะมีรูปแบบ QDS ในแต่ละชั้นชิดด้านบนของแต่ละอื่น ๆ [27] และ [28] การศึกษาในทางทฤษฎีและการทดลองคุณสมบัติของอาร์เรย์ QD กำลังภายใต้วิธี ประเด็นสำคัญที่เป็นธรรมชาติของรัฐอิเล็กทรอนิกส์เป็นฟังก์ชั่นของระยะห่างระหว่างจุดเพื่ออาร์เรย์เทียบกับความผิดปกติ QD ปฐมนิเทศและรูปร่างรัฐพื้นผิวโครงสร้างพื้นผิว / ทู่และพื้นผิวทางเคมี คุณสมบัติการขนส่งของอาร์เรย์ QD นอกจากนี้ยังมีสิ่งที่สำคัญและพวกเขาอยู่ภายใต้การตรวจสอบ