This paper presents a two-dimension

This paper presents a two-dimensional model calculation of inhomogeneous graphene films which
incorporates a random distribution of dopants (leading to electron and hole puddles) for analysis of Hall
measurements. The model predicts significant effects of inhomogeneity on the Hall coefficient, which can
lead to an underestimate of carrier mobility. We investigate the effect of parameters including size of
puddles, local charge density deviation, and device sizes. The inhomogeneity of epitaxial graphene
generated by steps and terraces of SiC substrates is also discussed. The simulation results quantify
possible statistical errors in Hall mobility measurements, Dirac point estimation and non-uniformity of
scaled devices over wafers.

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

บทความนี้นำเสนอรูปแบบสองมิติการคำนวณของกราฟีน inhomogeneous
ภาพยนตร์ที่รวมเอาการกระจายแบบสุ่มของสารเจือ(ที่นำไปสู่แอ่งน้ำอิเล็กตรอนและหลุม)
สำหรับการวิเคราะห์ของฮอลล์วัด รูปแบบการคาดการณ์ผลกระทบอย่างมีนัยสำคัญใน inhomogeneity
ค่าสัมประสิทธิ์ฮอลล์ซึ่งสามารถนำไปสู่ความประมาทในการเคลื่อนย้ายผู้ให้บริการ
เราจะตรวจสอบผลของพารามิเตอร์รวมทั้งขนาดของแอ่งน้ำส่วนเบี่ยงเบนความหนาแน่นของค่าใช้จ่ายในท้องถิ่นและขนาดอุปกรณ์ inhomogeneity ของกราฟีน epitaxial
สร้างโดยขั้นตอนและระเบียงของพื้นผิว SiC ยังมีการกล่าวถึง ผลการจำลองปริมาณข้อผิดพลาดทางสถิติที่เป็นไปได้ในการวัดการเคลื่อนไหวของฮอลล์ประมาณจุด Dirac และไม่สม่ำเสมอของอุปกรณ์ปรับมากกว่าเวเฟอร์

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

บทความนี้นำเสนอการคำนวณแบบจำลองสองมิติของกราฟีน inhomogeneous ภาพยนตร์ซึ่ง
ประกอบด้วยการกระจายแบบสุ่มของใน ( นำอิเล็กตรอนและหลุมแอ่ง ) สำหรับการวิเคราะห์การวัดห้อง

แบบจำลองทำนายอิทธิพลของสัมประสิทธิ์ความไม่สม่ําเสมอในฮอลล์ ซึ่งสามารถนำไปสู่การประมาท
พาหะของการเคลื่อนไหวเราได้ศึกษาผลของพารามิเตอร์ ได้แก่ ขนาดของ
puddles ท้องถิ่น ปัตเบี่ยงเบน และขนาดของอุปกรณ์ ความไม่สม่ําเสมอของ epitaxial graphene
สร้างโดยขั้นตอนและระเบียงของ SIC ) ยังกล่าวถึง ผลการจำลองแบบจะหาข้อผิดพลาดที่เป็นไปได้ในการวัดสถิติ
( Hall , Dirac และจุดการประกอบ
ปรับอุปกรณ์เวเฟอร์