In ICs, silicon dioxide is used for

In ICs, silicon dioxide is used for several purposes, ranging from serving as a mask
against dopant introduction into silicon to serving as the most critical component in
the metal-oxide-semiconductor transistor, the subject of Chapters 5–7.
SiO2 layers of precisely controlled thickness are produced during IC
fabrication by reacting Si with either oxygen gas or water vapor at an elevated
temperature. In either case the oxidizing species diffuses through the existing oxide
and reacts at the Si–SiO2 interface to form more SiO2. The relevant overall
reactions are

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ใน ICs,
ซิลิคอนไดออกไซด์ใช้สำหรับวัตถุประสงค์หลายตั้งแต่ทำหน้าที่เป็นหน้ากากกับการแนะนำเจือปนลงในซิลิกอนที่จะทำหน้าที่เป็นองค์ประกอบที่สำคัญที่สุดในทรานซิสเตอร์โลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำเรื่องของบทที่
5-7.
ชั้น SiO2 อย่างแม่นยำ ความหนาของการควบคุมที่มีการผลิตในช่วง IC
ผลิตโดยปฏิกิริยาศรีกับทั้งก๊าซออกซิเจนหรือไอน้ำที่สูงอุณหภูมิ
ในทั้งสองกรณีสายพันธุ์ออกซิไดซ์กระจายผ่านออกไซด์ที่มีอยู่และตอบสนองที่อินเตอร์เฟซ Si-SiO2 ในรูปแบบอื่น ๆ อีกมากมาย SiO2
โดยรวมที่เกี่ยวข้องมีปฏิกิริยา

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

เกี่ยวกับ , ซิลิคอนไดออกไซด์ถูกใช้เพื่อวัตถุประสงค์หลาย ตั้งแต่ใช้เป็นหน้ากาก
กับโดพันท์แนะนำให้เป็นซิลิคอนเพื่อให้บริการเป็นองค์ประกอบที่สำคัญที่สุดใน
โลหะออกไซด์สารกึ่งตัวนำ ทรานซิสเตอร์ เรื่องของบทที่ 5 – 7 .
SiO2 ชั้นแม่นยำควบคุมความหนาผลิตระหว่าง IC fabrication โดยปฏิกิริยากับ
ศรี แก๊สออกซิเจนหรือไอน้ำที่ยกระดับ
อุณหภูมิ ในทั้งสองกรณีการออกซิไดซ์ออกไซด์ชนิดแพร่กระจายผ่านที่มีอยู่
และตอบสนองที่ศรี ( SiO2 อินเตอร์เฟซแบบฟอร์ม SiO2 มากกว่า ปฏิกิริยาที่เกี่ยวข้องรวม