First, it is worth noting that the

First, it is worth noting that the deposition mechanism of Ge using GeCl4:C3H8O2 is considered to be the same with the deposition of Ge on Si substrate. From the cyclic voltammogram study, it shows two reduction processes where Ge (IV) is reduced to Ge(II) prior to the deposition of Ge on substrate as summarized by Eqs.(1) and (2).
Fig.1(a)shows the FESEM image of the patterned Ge microstrip before annealing where the morphology shows continuous and uniform strips. Based on the EDX spectra (data not shown), the
deposited Ge film was found to be highly pure without any excessive contaminants such as Pt metal. Fig. 1(b) shows the color coded normal direction (ND) EBSD images of the Ge microstrip where it can be understood from the random distribution of colors that the crystal structure is amorphous.
Fig.2 shows the Raman spectra of the as-deposited layer and the heat treated Ge microstrip. It can be seen that no significant Ge–Ge vibration mode peak was observed for the as-deposited Ge,
thus confirming that the structure was amorphous. From the Raman spectra, the main peak at 300 cm1 which corresponds to Ge–Ge vibration mode was clearly observed after the rapid annealing process, confirming the crystallization of Ge. The value of full width half maximum (FWHM) of this peak was estimated to be around 3.4cm1, which is very close to the value of the standard single crystalline bulk Ge wafer of 3.1cm1, as shown in Fig. 2.
Fig. 3(a) shows the FESEM image of heat treated Ge microstrip. Due to severe agglomeration, the strip' slength shrunk to be about 70 mm. Fig.3(b) shows the lateral strain profile evaluated by the Raman line scan of the heat treated Ge strip for the length of 60 mm, where negative values indicate compressive strains. Here, it clearly shows large compressive strain has been generated up to 0.13%.The EBSD image, as shown in Fig.3(c), indicates the single-crystalline (111)oriented Ge strip with 70 mm length and 15 mm width. It was reported that only several mm Ge grain was grown without any seeding area. Therefore, it can be concluded that MLG is playing the key role to enhance single-crystallization of (111) oriented Ge.Three locations which indicated the high compressive strain, medium strain, and low strain were chosen for the HRTEM observation.Fig.3(d) shows the HRTEM image of the location with the high compressive strain. Here, the introduction of C atoms into the grown Ge layer was clearly recognized.Fig.3(e) shows the HRTEM image of the location with the medium compressive strain. Here,it shows less introduction of C atoms in the crystalline Ge.
Fig.3(f) shows the HRTEM image of the location with the low compressive strain. No structure of graphene was observed, suggesting that the measured area does not have a coverage of graphene since the total coverage of graphene on the entire substrate was initially 95%. The interface of crystalline Ge and SiO2 was clearly observed.The results seem to suggest that the compressive
strain increases with the introduction of C atoms into the Ge layer. It was shown in Fig.3(f) that crystalline Ge was observed on SiO2 where there is no graphene layer. In general, the crystallization of large grain single-crystal Ge on bare SiO2 is not possible to be obtained. This strongly suggests that the induction of lateral growth could start from the intermixing of Ge/graphene region.The region of the mixing of C atoms from the MLG and Ge is speculated to be the possible nucleation region of Ge (111) and the lateral growth has been induced from this nucleation region probably by the spatial gradient of solidification temperature strips grown by Si-seeded RMG, where Si (100) substrates were employed as crystal seed.Similarly, high carrier mobility(about 1000cm2/V s)is also expected for this orientation-controlled single-crystal GOI strips obtained by the present study.These carrier mobilities are much higher than that for poly-Ge(about 140cm2/V s) obtained by a conventional seed-freeprocesssuch as a solid-phase crystallization.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ครั้งแรก มันเป็นมูลค่า noting ว่า กลไกการสะสมของ Ge ใช้ GeCl4:C3H8O2 ถือว่าเป็นเหมือนกับสะสมของ Ge บนพื้นผิวศรี จากการศึกษาวงจร voltammogram แสดงกระบวนการลดสองที่ Ge (IV) จะลดลงเป็น Ge(II) ก่อนสะสมของ Ge บนพื้นผิวที่สรุป โดย Eqs (1) และ (2)รูป (a) แสดงภาพ FESEM microstrip Ge ลายก่อนหลอมที่สัณฐานวิทยาที่แสดงแถบต่อเนื่อง และสม่ำเสมอ ตามสเป็คเรื่อง (ข้อมูลไม่แสดง), การฝาก Ge ฟิล์มพบจะบริสุทธิ์สูง โดยไม่มีสิ่งปลอมปนใด ๆ มากเกินไปเช่นโลหะ Pt 1(b) รูปแสดงภาพ Ge microstrip EBSD ทิศทางปกติ (ND) รหัสสีที่จะสามารถเข้าใจได้จากการกระจายแบบสุ่มของสีว่า โครงสร้างผลึกเป็นไปFig.2 แสดงรามันมุมของชั้นฝากเป็น ความร้อน Ge microstrip จะเห็นได้ว่า ไม่สำคัญ Ge – Ge สั่นสะเทือนโหมดสูงสุดถูกตรวจสอบสำหรับเป็นฝาก Geดังนั้น ยืนยันว่า โครงสร้างที่เป็นไป จากสเป็ครามัน ความสูงที่ 300 ซม 1 ซึ่งตรงกับ Ge – Ge สั่นถูกชัดเจนตรวจสอบหลังจากกระบวนการหลอมอย่างรวดเร็ว ยืนยันการตกผลึกของ Ge ค่าของความกว้างเต็มที่ประมาณครึ่งจำนวน (FWHM) ช่วงนี้จะ ประมาณ 3.4 ซม. 1 ซึ่งอยู่ใกล้กับค่าของเว Ge ขนาดใหญ่ผลึกเดี่ยวมาตรฐาน 3.1 ซม. 1 ดังที่แสดงในรูป 2รูปพัฒนาการแสดงภาพ FESEM ความร้อนถือว่า Ge microstrip เนื่องจากรุนแรง agglomeration แถบ ' slength ลด Fig.3(b) แสดงโพรไฟล์ข้างเครียดประเมินแกนสายราของความร้อนประมาณ 70 mm. จะถือว่า Ge strip ยาว 60 มม. ซึ่งค่าลบบ่งชี้สายพันธุ์แรงอัด ที่นี่ มันชัดเจนแสดงความเครียดอัดขนาดใหญ่ได้สร้างขึ้นถึง 0.13% ภาพ EBSD ดังที่แสดงใน Fig.3(c) บ่งชี้ (111) ผลึกเดี่ยวเน้น Ge แถบยาว 70 มม.และความกว้าง 15 มม. เป็นรายงานที่เพียงหลายมม.เมล็ด Ge ถูกปลูกไม่ มีพื้นที่ใดที่กระตุ้นด้วยเม็ดผลึก ดังนั้น มันสามารถจะได้ข้อสรุปว่า MLG กำลังเล่นบทบาทสำคัญเพื่อเพิ่มสถาน Ge.Three มาตกผลึกเดี่ยว (111) ซึ่งแสดงความเครียดแรงอัดสูง ความเครียดปานกลาง และความเครียดต่ำถูกเลือกสำหรับการสังเกต HRTEM Fig.3(d) แสดงภาพ HRTEM ของที่ตั้งด้วยความเครียดแรงอัดสูง ที่นี่ แนะนำ C อะตอมในชั้น Ge ปลูกถูกรู้จักอย่างชัดเจน Fig.3(e) แสดงภาพ HRTEM ของที่ตั้งด้วยความเครียดอัดปานกลาง ที่นี่ มันแสดงน้อยกว่าแนะนำของอะตอม C ใน Ge ผลึกFig.3(f) แสดงภาพ HRTEM ของที่ตั้งด้วยความเครียดแรงอัดต่ำ ไม่มีโครงสร้างของ graphene ถูกสังเกต การแนะนำว่า ที่ตั้งวัดไม่มีความครอบคลุมของ graphene เนื่องครอบคลุมทั้งหมดของ graphene บนพื้นผิวทั้งหมดเริ่มต้นด้วย 95% อินเทอร์เฟซของ Ge และ SiO2 ผลึกถูกตรวจสอบอย่างชัดเจน ผลลัพธ์ดูเหมือนจะ แนะนำให้การอัดความเครียดเพิ่มขึ้น ด้วยการแนะนำของ C อะตอมในชั้น Ge มันแสดงให้เห็นใน Fig.3(f) ว่า Ge ผลึกถูกสังเกตบน SiO2 มีชั้นของ graphene ไม่ ทั่วไป การตกผลึกของเม็ดใหญ่ Ge เดียวคริสตัลบน SiO2 เปลือยไม่ได้จะได้รับ นอกจากนี้ขอแนะนำว่า การเหนี่ยวนำการเติบโตด้านข้างสามารถเริ่มจากการ intermixing ของ Ge/graphene ภูมิภาค ภูมิภาคของผสมของอะตอม C MLG และ Ge คาดเป็น ภูมิภาค nucleation มากกว่าเป็นไปได้ของ Ge (111) และการเจริญเติบโตด้านข้างมีการเหนี่ยวนำจากภูมิภาคนี้ nucleation มากกว่าอาจ โดยไล่เชิงพื้นที่ของแถบอุณหภูมิแข็งตัวโดยเตรียมศรี RMG แขวน ที่พื้นผิวสี (100) ได้ทำเป็นคริสตัลเมล็ด ในทำนองเดียวกัน ความคล่องตัวในการขนส่งสูง (ประมาณ 1000 ซม. 2/V s) ยังคาดว่าจะโกอีเดี่ยวคริสตัลนี้ควบคุมแนวแถบได้ โดยการศึกษา Mobilities สายการบินเหล่านี้มีมากขึ้นกว่าโพลี Ge(about 140cm2/V s) ได้ โดยทั่วไปเมล็ด-freeprocesssuch เป็นผลึกของแข็งเฟส

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ครั้งแรกเป็นที่น่าสังเกตว่ากลไกการทับถมของจีอีใช้ GeCl4: C3H8O2 ถือว่าเป็นเช่นเดียวกันกับการสะสมของจีอีในศรีสารตั้งต้น จากการศึกษา voltammogram วงจรก็แสดงให้เห็นกระบวนการที่สองลดที่จีอี (IV) จะลดลงไป Ge (II) ก่อนที่จะมีการสะสมของ Ge บนพื้นผิวเป็นสรุปโดย EQS ได้. (1) และ (2).
รูปที่ 1 (ก) แสดงให้เห็นภาพของ FESEM ลวดลาย Ge ไมโครก่อนที่จะหลอมที่ลักษณะทางสัณฐานวิทยาที่แสดงให้เห็นแถบอย่างต่อเนื่องและสม่ำเสมอ ขึ้นอยู่กับ EDX สเปกตรัม (ไม่ได้แสดงข้อมูล) ที่
ฟิล์ม Ge ฝากพบว่ามีความบริสุทธิ์สูงโดยไม่ต้องสารปนเปื้อนมากเกินไปเช่น Pt โลหะ มะเดื่อ. 1 (ข) แสดงให้เห็นสีรหัสทิศทางปกติ (ND) ภาพ EBSD ของไมโครจีอีที่จะสามารถเข้าใจได้จากการกระจายแบบสุ่มของสีที่โครงสร้างผลึกเป็นอสัณฐาน.
รูปที่ 2 แสดงให้เห็นรามันสเปกตรัมของชั้นเป็นฝาก และความร้อนได้รับการรักษาไมโคร Ge จะเห็นได้ว่าไม่มีนัยสำคัญ Ge-GE โหมดการสั่นสะเทือนสูงสุดเป็นที่สังเกตสำหรับ Ge เป็น-ฝาก
ดังนั้นยืนยันว่าโครงสร้างเป็นอสัณฐาน จากสเปกตรัมรามันยอดเขาหลักที่? 300 ซม. 1 ซึ่งสอดคล้องกับโหมดการสั่นสะเทือน Ge-GE ก็สังเกตเห็นได้อย่างชัดเจนหลังจากการอบอ่อนอย่างรวดเร็วยืนยันการตกผลึกของจีอี มูลค่าของเต็มความกว้างครึ่งสูงสุด (FWHM) ของยอดเขานี้เป็นที่คาดจะอยู่ที่ประมาณ 3.4cm 1 ซึ่งเป็นมากใกล้เคียงกับมูลค่าของมาตรฐานกลุ่มผลึกเดี่ยวของจีอีเวเฟอร์ 3.1cm 1 ดังแสดงในรูปที่ 2.
รูป 3 (ก) แสดงให้เห็นภาพของความร้อน FESEM รับการรักษา Ge ไมโคร เนื่องจากการรวมตัวกันอย่างรุนแรงแถบ 'slength หดจะเป็นประมาณ 70 มม รูปที่ 3 (ข) แสดงให้เห็นถึงรายละเอียดด้านข้างความเครียดการประเมินโดยการสแกนเส้นรามันของความร้อนที่ได้รับการรักษา Ge แถบสำหรับความยาว 60 มมที่ค่าลบบ่งบอกถึงสายพันธุ์ที่อัด นี่ก็แสดงให้เห็นชัดเจนความเครียดอัดขนาดใหญ่ที่ได้รับการสร้างขึ้น 0.13% ภาพได้โดยง่าย EBSD ดังแสดงในรูปที่ 3 (ค) การแสดงเดี่ยวผลึก (111) ที่มุ่งเน้นแถบ Ge 70 มิลลิเมตรความยาวและความกว้าง 15 มม มีรายงานว่าหลายเท่านั้นมิลลิเมตร Ge ข้าวถูกปลูกโดยไม่ต้องพื้นที่เพาะใด ๆ ดังนั้นจึงสามารถสรุปได้ว่า MLG จะเล่นบทบาทสำคัญเพื่อเพิ่มเดียวตกผลึกของ (111) ที่มุ่งเน้นสถานที่ Ge.Three ซึ่งชี้ให้เห็นความเครียดอัดสูงสายพันธุ์ขนาดกลางและความเครียดต่ำถูกเลือกสำหรับ observation.Fig.3 HRTEM (D) แสดงให้เห็นภาพ HRTEM ของสถานที่ตั้งที่มีความเครียดอัดสูง ที่นี่แนะนำของอะตอม C เข้าไปในชั้นจีอีโตได้อย่างชัดเจน recognized.Fig.3 (E) แสดงให้เห็นภาพ HRTEM ของสถานที่ตั้งที่มีความเครียดอัดกลาง นี่ก็แสดงให้เห็นการเปิดตัวน้อยของอะตอมซีในผลึก Ge.
รูปที่ 3 (F) แสดงให้เห็นภาพ HRTEM ของสถานที่ตั้งที่มีความเครียดอัดต่ำ ไม่มีโครงสร้างของแกรฟีนก็สังเกตเห็นบอกว่าพื้นที่วัดไม่ได้มีการรายงานข่าวของแกรฟีนตั้งแต่ความคุ้มครองรวมของกราฟีนบนพื้นผิวทั้งหมดเป็นคนแรกที่ 95% อินเตอร์เฟซของผลึก Ge และ SiO2 เห็นได้ชัดว่าผล observed.The ดูเหมือนจะชี้ให้เห็นว่าอัด
เพิ่มขึ้นความเครียดด้วยการเปิดตัวของอะตอม C เข้าไปในชั้นจีอี มันแสดงให้เห็นในรูปที่ 3 (ฉ) ที่ผลึก Ge ถูกพบบน SiO2 ที่ไม่มีชั้น graphene โดยทั่วไปการตกผลึกของขนาดใหญ่เม็ดคริสตัลเดียว Ge บนเปลือย SiO2 เป็นไปไม่ได้ที่จะได้รับ นี้ขอแนะนำว่าการเหนี่ยวนำของการเจริญเติบโตทางด้านข้างจะเริ่มต้นจากการแพร่ของจีอี / graphene ภูมิภาค region.The ของผสมของอะตอม C จาก MLG และจีอีที่มีการคาดการณ์ว่าจะเป็นภูมิภาคนิวเคลียสเป็นไปได้ของจีอี (111) และการเจริญเติบโตทางด้านข้าง ได้รับการเหนี่ยวนำให้เกิดนิวเคลียสจากภูมิภาคนี้อาจจะโดยการไล่ระดับสีของแถบเชิงพื้นที่อุณหภูมิแข็งตัวเติบโตขึ้นโดยศรีเมล็ด RMG ที่ศรี (100) พื้นผิวที่ได้รับการว่าจ้างให้เป็นคริสตัล seed.Similarly บริการสูง Mobility (ประมาณ 1000cm2 / V s) คาดว่ายัง สำหรับการวางแนวควบคุมแถบนี้ก้อยคริสตัลเดียวที่ได้รับจากปัจจุบันผู้ให้บริการเคลื่อนที่ study.These มีมากขึ้นกว่าที่โพลี-GE (ประมาณ 140cm2 / V s) ที่ได้จากการชุมนุมเมล็ด freeprocesssuch เป็นตกผลึกเฟสของแข็ง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ครั้งแรก เป็นมูลค่า noting ว่ากลไกของการใช้ gecl4 GE : c3h8o2 ถือว่าเป็นเช่นเดียวกันกับการสะสมของ GE ในจังหวัดที่ทนทาน จากการศึกษา voltammogram ไซคลิก มันแสดงให้เห็นกระบวนการที่ 2 การลด GE ( IV ) จะลดลงเหลือ GE ( 2 ) ก่อนที่จะมีการสะสมของ GE บนพื้นผิวเป็นสรุปโดย EQS ( 1 ) และ ( 2 )” ( ) จะแสดง fesem ภาพลักษณ์ของลวดลายและลักษณะการอบอ่อนที่ GE ก่อนแสดงแถบอย่างต่อเนื่องและสม่ำเสมอ ขึ้นอยู่กับการวัดแสง ( ข้อมูลไม่แสดง ) ,ฝากพี่ฟิล์มถูกพบว่าเป็นอย่างสูงที่บริสุทธิ์ปราศจากสารปนเปื้อน เช่นมากเกินไป PT โลหะ รูปที่ 1 ( b ) แสดงรหัสสีทิศทางปกติ ( ND ) ebsd ภาพของ GE แบบที่สามารถเข้าใจได้จากการกระจายของสีที่โครงสร้างผลึกสัณฐาน .fig.2 แสดงสเปกตรัมรามันที่ฝากชั้นและความร้อนรักษา GE ไมโครสตริป . จะเห็นได้ว่า ไม่แตกต่างกัน และ GE GE โหมดการสั่นสะเทือนสูงสุด ) ที่ฝากพี่จึงยืนยันว่าโครงสร้างอสัณฐาน . จาก รามัน สเปกตรัมของยอดเขาหลัก 300 CM1 ซึ่งสอดคล้องกับ GE GE และโหมดการสั่นสะเทือนได้อย่างชัดเจน สังเกตหลังอย่างรวดเร็ว กรรมวิธีการอบ , ยืนยันการตกผลึกของ GE มูลค่าเต็มความกว้างสูงสุดครึ่ง ( FWHM ) ของยอดเขานี้ถูกคาดว่าจะเป็นรอบ 3.4cm1 ซึ่งอยู่ใกล้กับค่าของมาตรฐานชนิดผลึกเดี่ยวกลุ่ม GE เวเฟอร์ของ 3.1cm1 ดังแสดงในรูปที่ 2รูปที่ 3 ( ก ) แสดงภาพ fesem ความร้อนถือว่า GE ไมโครสตริป . เนื่องจากการรุนแรง slength แถบ ' หดได้ถึง 70 มิลลิเมตร fig.3 ( b ) แสดงให้เห็นด้านข้างเมื่อยโปรไฟล์ของการประเมินโดยสายรามันสแกนความร้อนถือว่า GE เป็นแถบยาว 60 มิลลิเมตร ซึ่งค่าลบแสดงสายพันธุ์ที่อัด ที่นี่ มันชัดเจนแสดงความเครียดอัดขนาดใหญ่ได้รับการสร้างขึ้น 0.13 บาท ภาพ ebsd ดังแสดงใน fig.3 ( C ) บ่งชี้ว่า ชนิดผลึกเดี่ยว ( 111 ) มุ่งเน้นแถบ GE กับ 70 มม. ความยาวและกว้าง 15 มม. มีรายงานว่าเพียงหลายมิลลิเมตร เมล็ดโต โดยไม่มีการจำกัดพื้นที่ ดังนั้นจึงสามารถสรุปได้ว่า mlg เป็นผู้เล่นที่มีบทบาทสำคัญที่จะเพิ่มเดียวการตกผลึก ( 111 ) โดยจีอี สามสถานที่ที่พบเครียดสูงอัดความเครียดปานกลาง และสายพันธุ์ต่ำถูกเลือกสำหรับ hrtem การสังเกต fig.3 ( D ) แสดง hrtem ภาพของสถานที่ที่มีความเครียดสูงอัด ที่นี่แนะนำ C อะตอมเป็นโตเกอ ชั้นได้รับการยอมรับอย่างชัดเจนว่า . fig.3 ( E ) จะแสดง hrtem ภาพของสถานที่ที่มีสายพันธุ์กลางอัด นี่ก็แสดงให้เห็นเบื้องต้นน้อยกว่า C อะตอมใน GE ผลึกfig.3 ( F ) แสดง hrtem ภาพสถานที่ที่มีความเครียดต่ำ อัด โครงสร้างของกราฟีน พบว่า ที่บริเวณวัด ไม่ได้มีความคุ้มครองของกราฟีน เนื่องจากความครอบคลุมทั้งหมดของกราฟีนบนพื้นผิวทั้งหมดโดย 95% อินเตอร์เฟซของ GE ผลึกและ SiO2 ชัดเจนตามลำดับ ผลปรากฎว่า กำลังอัดเมื่อยเพิ่มด้วยการแนะนำ C อะตอมเป็นพี่ชั้น พบใน fig.3 ( F ) ที่ผลึก GE ถูกพบบนซิลิกาที่ไม่มีกราฟีน ชั้น โดยทั่วไป การตกผลึกของ GE single-crystal เม็ดใหญ่บน SiO2 เปลือย เป็นไปไม่ได้ที่จะได้รับ นี้ขอแนะนำว่า การเจริญด้านข้าง อาจเริ่มจากความแตกต่างของภูมิภาค GE / กราฟีน ขอบเขตของการผสมของ C อะตอมจาก mlg และ GE เป็นสันนิษฐานว่าจะเป็นเป็นไปได้ nucleation ภูมิภาคของ GE ( 111 ) และการเจริญเติบโตด้านข้างได้รับการขนาดนี้ เขตอาจจะโดยไล่ระดับพื้นที่ อุณหภูมิ ปลูกด้วยเมล็ดแข็งแถบจังหวัด RMG ที่ศรี ( 100 ) จำนวนคน Seed ผลึก และการขนส่งสูง ( ประมาณ 1000cm2 V / S ) คาดว่าปฐมนิเทศนี้ควบคุม single-crystal กอยแถบที่ได้จากการศึกษาในปัจจุบัน mobilities ผู้ให้บริการเหล่านี้จะสูงกว่าที่โพลี GE ( ประมาณ 140cm2 / วี s ) ที่ได้จากเมล็ดธรรมดา freeprocesssuch เป็น solid-p โดยการตกผลึก