Thin films of transparent conductin

Thin films of transparent conducting aluminum-doped ZnO have been deposited using a sol-gel process. The
dependence of electrical characteristics upon aluminum concentration in the films and upon post-deposition heat
treatment in vacuum was examined. The effect of changing the aluminum-to-zinc ratio from 0% to 4.5% (atomic)
and the heat treatment temperature in vacuum has been thoroughly investigated. Resistivities of (7-10) x 10 -4
f~ cm have been achieved for ZnO:AI films with AI/Zn ratios of 0.8 at.% heated to 450 °C in vacuum. Transmittance
in the visible region is above 90%. Similar results were obtained using aluminum chloride and aluminum nitrate as
the aluminum precursor.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ฟิล์มบางของโปร่งใส ZnO doped อลูมิเนียมทำได้รับฝากไว้โดยใช้กระบวนการโซลเจล ที่อาศัยของลักษณะไฟฟ้า เมื่อความเข้มข้นของอะลูมิเนียมในภาพยนตร์ และ เมื่อความร้อนสะสมหลังรักษาในสุญญากาศถูกตรวจสอบ ผลของการเปลี่ยนอัตราส่วนอลูมิเนียมสังกะสีจาก 0% เป็น 4.5% (อะตอม)และอุณหภูมิชุบแข็งในสุญญากาศได้ถูกสอบสวนอย่างละเอียด Resistivities (7-10) x 10 -4f ~ ซม.ได้รับความในภาพยนตร์ ZnO:AI AI/Zn อัตรา 0.8 at.% ความร้อนถึง 450 ° C ในสุญญากาศ Transmittanceในภูมิภาคนี้ปรากฏอยู่บน 90% ผลคล้ายได้รับโดยใช้อะลูมิเนียมคลอไรด์และไนเตรตอลูมิเนียมเป็นสารตั้งต้นเนียม

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบางของซิงค์ออกไซด์อลูมิเนียมเจือการดำเนินการที่โปร่งใสได้รับการฝากโดยใช้กระบวนการโซลเจล พึ่งพาอาศัยกันของลักษณะไฟฟ้ากับความเข้มข้นในภาพยนตร์อลูมิเนียมและเมื่อความร้อนโพสต์ปลดออกจากการรักษาในสูญญากาศถูกตรวจสอบ ผลกระทบของการเปลี่ยนแปลงอัตราส่วนอลูมิเนียมเพื่อสังกะสีจาก 0% ถึง 4.5% (อะตอม) และอุณหภูมิการรักษาความร้อนในสูญญากาศได้รับการตรวจสอบอย่างถี่ถ้วน ความต้านทานของ (7-10) x 10 -4 ฉ ~ ซม. ได้รับการประสบความสำเร็จในการซิงค์ออกไซด์:. ภาพยนตร์ที่มีอัตราส่วน AI AI / สังกะสี 0.8% ที่ความร้อนถึง 450 องศาเซลเซียสในสูญญากาศ การส่งผ่านในภูมิภาคที่มองเห็นอยู่เหนือ 90% ผลที่คล้ายกันที่ได้รับโดยใช้อลูมิเนียมคลอไรด์และไนเตรทอลูมิเนียมเป็นสารตั้งต้นอลูมิเนียม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ฟิล์มบางโปร่งใสการอลูมิเนียมด้วยเช่นกัน ได้รับเงินโดยใช้กระบวนการโซล - เจล
ขึ้นอยู่กับลักษณะไฟฟ้าบนอลูมิเนียม ความเข้มข้นในฟิล์มและเมื่อโพสต์สะสมความร้อน
รักษาในสูญญากาศ ตรวจสอบ ผลกระทบของการเปลี่ยนแปลงอัตราส่วนอลูมิเนียมสังกะสีจาก 0% ถึง 4.5% ( อะตอม )
การรักษาความร้อนและอุณหภูมิในสูญญากาศได้รับการตรวจสอบอย่างละเอียด resistivities ( 7-10 ) x 10 - 4
F ~ ซม. ได้รับความสำหรับซิงค์ออกไซด์ฟิล์ม : Ai Ai / Zn ที่อัตราส่วน 0.8 % อุ่นที่ 450 องศา C ในสูญญากาศ การส่งผ่าน
ในภูมิภาคปรากฏอยู่เหนือ 90% ผลที่คล้ายกันได้รับใช้อลูมิเนียมคลอไรด์และไนเตรตเป็นสารอลูมิเนียมอลูมิเนียม
.