This type of tunnel diode format is

This type of tunnel diode format is fabricated as a mesa structure. To achieve this form of structure, the fabrication technique involves bringing an alloy containing the required dopants into contact with a heavily doped substrate. The temperature used is around 500°C at which point the dopants quickly melt and diffuse into the substrate. The overall structure geometry is then defined by etching the diode to the required proportions.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

รูปแบบทันเนลไดโอดชนิดนี้สร้างเป็นโครงสร้างเมซา เพื่อให้บรรลุรูปแบบของโครงสร้าง เทคนิคการผลิตเกี่ยวข้องกับนำสัมฤทธิ์ dopants จำเป็นต้องสัมผัสกับพื้นผิวโลหะหนัก อุณหภูมิที่ใช้คือ ประมาณ 500° C จุด dopants ละลาย และกระจายในพื้นผิว รูปทรงโครงสร้างโดยรวมแล้วได้กำหนดไว้ โดยแกะสลักไดโอดเพื่อสัดส่วนที่ต้อง

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ชนิดของรูปแบบอุโมงค์ไดโอดนี้ถูกประดิษฐ์เป็นโครงสร้าง Mesa เพื่อให้บรรลุถึงรูปแบบของโครงสร้างนี้เทคนิคการประดิษฐ์ที่เกี่ยวข้องกับการนำโลหะผสมที่มีสารเจือที่จำเป็นต้องใช้ในการติดต่อกับพื้นผิวเจืออย่างหนัก อุณหภูมิที่ใช้เป็นประมาณ 500 ° C ที่จุดที่สารเจือได้อย่างรวดเร็วละลายและไหลเข้าสู่พื้นผิว เรขาคณิตโครงสร้างโดยรวมมีการกำหนดแล้วโดยการแกะสลักไดโอดเพื่อสัดส่วนที่จำเป็น.

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

รูปแบบอุโมงค์ไดโอดชนิดนี้ประดิษฐ์เป็นโครงสร้างที่ Mesa เพื่อให้บรรลุนี้รูปแบบของโครงสร้าง เทคนิคการผลิตที่เกี่ยวข้องกับการนำโลหะผสมที่มีคุณภาพที่จำเป็นในการติดต่อกับหนักเจือสาร อุณหภูมิที่ใช้ประมาณ 500 ° C ที่จุดในได้อย่างรวดเร็วละลายและกระจายเข้าไปในพื้นผิว เรขาคณิตโครงสร้างโดยรวมแล้วกำหนดโดยโครงสร้างไดโอดในสัดส่วนที่ต้องการ