The problem with using Gallium Arse

The problem with using Gallium Arsenide on its own as the semiconductor compound is that it radiates large amounts of low brightness infra-red radiation (850nm-940nm approx.) from its junction when a forward current is flowing through it.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ปัญหาเกี่ยวกับการใช้ Arsenide แกลเลียมบนตัวเป็นสารกึ่งตัวนำที่เป็นที่มันแผ่กระจายรังสีอินฟราเรดความสว่างต่ำ (850nm-940nm ประมาณ) จากจุดเชื่อมต่อจำนวนมากเมื่อส่งต่อกระแสไหลผ่านมัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ปัญหาเกี่ยวกับการใช้ arsenide แกลเลียมในตัวเองเป็นสารประกอบเซมิคอนดักเตอร์ก็คือว่ามันแผ่กระจายจำนวนมากของรังสีสว่างต่ำอินฟาเรด (850nm-940nm ประมาณ.) ออกจากสถานีชุมทางเมื่อไปข้างหน้าปัจจุบันไหลผ่านมัน

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ปัญหากับการใช้แกลเลียมอาร์เซไนด์บนของตัวเองเป็นสารกึ่งตัวนำสารประกอบนั้นแผ่กระจายเป็นจำนวนมากต่ำความสว่างอินฟราเรดการแผ่รังสี ( 850nm-940nm โดยประมาณ ) จากชุมทางเมื่อไปข้างหน้ากระแสไหลผ่าน