In this paper, a new on-line temper

In this paper, a new on-line temperature extraction
method based on the maximum recovery current di/dt for
power P-i-N diodes is proposed. Reverse recovery process of
diode is not only related to P-i-N diode chip temperature,
also related to the switching behavior of IGBT. Measuring
the negative peak voltage veE caused by recovery di/dt on
parasitic inductance between Kelvin emitter and power
emitter terminal is a new approach to monitor P-i-N diode
chip temperature. It is concluded that when the diode
temperature rising as the IGBT temperature unchanged, the
value of maximum recovery di/dt would decrease. A 3-D
database of veE_NP with varying temperature and relevant
factors is beneficial for on-line chip temperature prediction
of diodes in real-time operation.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในเอกสารนี้ สกัดความง่ายดายอุณหภูมิใหม่วิธีใช้การกู้คืนสูงสุดปัจจุบัน di/dt สำหรับมีเสนอใช้พลังงาน P-i-N ไดโอดได้ ย้อนกลับกระบวนการกู้คืนไดโอดจะไม่เท่ากับ P-i-N ไดโอดชิอุณหภูมินอกจากนี้ยัง เกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนลักษณะการทำงานของ IGBT วัดฟังแรงดันไฟฟ้าลบสูงสุดที่เกิดจากการกู้คืน di/dt ในเสียงฟู่เหมือนกาฝาก inductance ระหว่างตัวส่งเคลวินและพลังงานเทอร์มินัลตัวส่งเป็นแนวทางใหม่ในการตรวจสอบไดโอด P-i-Nชิอุณหภูมิ มันจะสรุปว่า เมื่อไดโอดอุณหภูมิที่เพิ่มขึ้นเป็น IGBT อุณหภูมิเปลี่ยนแปลง การค่าของ di/dt ของการกู้คืนสูงสุดจะลดลง มี 3-Dฐานข้อมูลของ veE_NP มีอุณหภูมิแตกต่างกัน และที่เกี่ยวข้องปัจจัยที่จะเป็นประโยชน์สำหรับการทำนายอุณหภูมิของชิปง่ายดายของไดโอดได้ในแบบเรียลไทม์

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในงานวิจัยนี้ใหม่ในสายการสกัดอุณหภูมิวิธีการขึ้นอยู่กับการกู้คืนสูงสุดในปัจจุบัน di / dt สำหรับไดโอดอำนาจPIN เสนอ กระบวนการกู้คืนหลังของไดโอดไม่ได้เกี่ยวข้องเฉพาะกับอุณหภูมิชิปไดโอดขานอกจากนี้ยังเกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนพฤติกรรมของIGBT วัดวีแรงดันยอดเชิงลบที่เกิดจากการกู้คืน di / dt ในการเหนี่ยวนำปรสิตระหว่างอีซีแอลเคลวินและอำนาจขั้วอีซีแอลเป็นวิธีการใหม่ในการตรวจสอบไดโอดPIN อุณหภูมิชิป ก็สรุปได้ว่าเมื่อไดโอดอุณหภูมิสูงขึ้นเมื่ออุณหภูมิ IGBT ไม่เปลี่ยนแปลงที่คุ้มค่าของการกู้คืนสูงสุด di / dt จะลดลง 3-D ฐานข้อมูลของ veE_NP อุณหภูมิที่แตกต่างกันและมีความเกี่ยวข้องปัจจัยที่จะเป็นประโยชน์สำหรับชิปในสายการทำนายอุณหภูมิของไดโอดในการดำเนินงานในเวลาจริง

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในกระดาษนี้เป็นใหม่ออนไลน์อุณหภูมิการสกัด
วิธีขึ้นอยู่กับการกู้คืนสูงสุดในปัจจุบันตี้ / DT สำหรับ
ไดโอด p-i-n พลังงานเสนอ กระบวนการกู้คืนกลับของ
ไดโอดไม่เพียงเกี่ยวข้องกับ p-i-n อุณหภูมิชิปไดโอด
ยังเกี่ยวข้องกับการเปลี่ยนพฤติกรรมของ IGBT . วัดแรงดันสูงสุด
ลบวีเกิดจากการกู้คืนดิ / DT บน
หรือปรสิตระหว่างอีซีและพลังงาน
เคลวินขั้วอิมิตเตอร์เป็นวิธีการใหม่ในการตรวจสอบ p-i-n ไดโอด
ชิ อุณหภูมิ สรุปได้ว่าเมื่อไดโอด
อุณหภูมิเพิ่มขึ้นเป็น IGBT อุณหภูมิไม่เปลี่ยนแปลง
ค่าการกู้คืนสูงสุด Di / DT จะลดลง สามมิติ
ฐานข้อมูล vee_np แตกต่างกับอุณหภูมิและปัจจัยที่เกี่ยวข้อง
เป็นประโยชน์สำหรับออนไลน์ชิปอุณหภูมิการคาดการณ์
ของไดโอดในการดําเนินงานแบบเรียลไทม์