consistent with the previous report

consistent with the previous report as the surface roughnessand defect at the interfaces between two materials increased,the interfacial thermal resistance increased as a result of the increase in the interfacial phonon scattering [36]. This suggestedthat the decrease in the surface roughness (nanometer-scale)of SiOCairand SiONC(Ar, N2and NH3)ceramic films coated on AlNsurface lead to the reduction of the interfacial phonon scattering atthe interface between silicone rubber and AlN, and resulted in theFig. 8. increase in the thermal conductivity of the composites. Therefore,it could be implied that the increase in the thermal conductivityof silicone rubber filled the modified AlN might be influenced bythe improvement of filler-matrix interface and the morphology ofSiOCairand SiONC(Ar, N2and NH3)ceramic films on AlN surface.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

สอดคล้องกับรายงานก่อนหน้านี้เป็นพื้นผิวข้อบกพร่อง roughnessand ที่อินเทอร์เฟซระหว่างวัสดุสองเพิ่มขึ้น ต้านทานความร้อน interfacial เพิ่มขึ้นจากการเพิ่มขึ้นของ scattering interfacial phonon [36] Suggestedthat นี้ลดลงในความหยาบผิว (ขนาด nanometer) ภาพยนตร์ SiOCairand SiONC(Ar, N2and NH3) เซรามิกเคลือบบนนำ AlNsurface ไปการ scattering interfacial phonon ที่อินเทอร์เฟซระหว่างยางซิลิโคนและ AlN และส่งผลให้ theFig 8. เพิ่มการนำความร้อนของวัสดุผสม ดังนั้น มันอาจจะนัยว่า ยางซิลิโคน conductivityof ความร้อนเพิ่มเติม AlN แก้ไขอาจปรับปรุงโดยรับอิทธิพลของอินเทอร์เฟซฟิลเลอร์เมตริกซ์และสัณฐานวิทยา ofSiOCairand SiONC (Ar, N2and NH3) เซรามิกฟิล์มบนพื้นผิว AlN

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

สอดคล้องกับรายงานก่อนหน้านี้ในขณะที่พื้นผิวข้อบกพร่อง roughnessand ที่การเชื่อมต่อระหว่างสองวัสดุที่เพิ่มขึ้น, ความต้านทานความร้อนสัมผัสที่เพิ่มขึ้นเป็นผลมาจากการเพิ่มขึ้นของการกระเจิง interfacial phonon [36] suggestedthat นี้ลดลงในพื้นผิวที่ขรุขระ (ขนาดนาโนเมตร) ของ SiOCairand SiONC (Ar, N2and NH3) ภาพยนตร์เซรามิกเคลือบบนนำ AlNsurface การลดลงของการกระเจิง interfacial phonon อินเตอร์เฟซ atthe ระหว่างยางซิลิโคนและ ALN และผลในการ theFig 8. การเพิ่มขึ้นของการนำความร้อนของวัสดุผสม ดังนั้นจึงอาจจะส่อให้เห็นว่าการเพิ่มขึ้นของความร้อนยางซิลิโคน conductivityof เต็มไป ALN การแก้ไขอาจจะได้รับอิทธิพล bythe ปรับปรุงอินเตอร์เฟซฟิลเลอร์แมทริกซ์และสัณฐานวิทยา ofSiOCairand SiONC (Ar, N2and NH3) ภาพยนตร์บนพื้นผิวเซรามิก ALN

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

สอดคล้องกับรายงานก่อนหน้านี้เป็น roughnessand ข้อบกพร่องที่พื้นผิวรอยต่อระหว่างวัสดุสองเพิ่มความต้านทานความร้อนของพอลิเมอร์เพิ่มขึ้นเป็นผลมาจากการเพิ่มขึ้นของผิวหน้า Phonon กระเจิง [ 36 ] นี้ พบว่าลดความหยาบกร้านของผิว ( ระดับนาโนเมตร ) siocairand sionc ( อาร์n2and nh3 ) ฟิล์มเคลือบเซรามิคบน alnsurface นำไปสู่การลดลงของการติดต่อระหว่างภาค Phonon ใช้ยางซิลิโคนและ ALN , และผลใน thefig . 8 . เพิ่มในการนำความร้อนของคอมโพสิต ดังนั้นมันอาจจะแสดงให้เห็นว่าเพิ่มขึ้นในความร้อนยางซิลิโคนวมเต็มแก้ไข ALN อาจจะมีอิทธิพลในอินเตอร์เฟซการปรับปรุงของเมทริกซ์ฟิลเลอร์และสัณฐานวิทยา ofsiocairand sionc ( AR , n2and nh3 ) ฟิล์มเซรามิคบนพื้นผิว ALN .