In this work, we investigate correl

In this work, we investigate correlations between optical and electro-optical properties of GaAsPN/GaP p–i–n solar cells grown by MBE on GaP(001) substrates. A photoluminescence model is first proposed to extract the long range compositional fluctuation energy scale from low temperature photoluminescence spectra of the GaAsPN dilute-nitride material. Solar cells grown with the same nitrogen content at different temperature reveal very different electrical performances. A 4.08 mA/cm2 short-circuit current density has been obtained, that is an excellent value given the small absorber thickness (300 nm) and high material bandgap. Comparisons between solar cells photoluminescence, I–V (under AM1.5G illumination) and IQE parameters reveal correlations between their optical and electrical parameters. These results reinforce PL measurements interest for dilute nitride solar cells growth optimization.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ในงานนี้ เราตรวจสอบความสัมพันธ์ระหว่างแสง และออปติคอ ลจี้คุณสมบัติของเซลล์แสงอาทิตย์ i – p – n GaAsPN/ช่อง ว่างปลูก โดย MBE ในพื้นผิว GaP(001) ก่อนมีการนำเสนอแบบ photoluminescence แยกระดับความผันผวน compositional พลังงานจากอุณหภูมิต่ำแรมสเป็คตรา photoluminescence วัสดุ dilute nitride GaAsPN เซลล์แสงอาทิตย์ปลูกกันไนโตรเจนที่อุณหภูมิแตกต่างกันเปิดเผยแสดงไฟฟ้าแตกต่างกันมาก MA/cm2 4.08 ลัดวงจรปัจจุบันความหนาแน่นได้รับ คือเป็นประจำให้ความหนาของวิบากเล็ก (300 nm) และ bandgap สูงวัสดุ เปรียบเทียบระหว่างเซลล์แสงอาทิตย์ photoluminescence ฉัน – V (ภายใต้รัศมี AM1.5G) และพารามิเตอร์ IQE เปิดเผยความสัมพันธ์ระหว่างพารามิเตอร์ของแสง และไฟฟ้า ผลลัพธ์เหล่านี้เสริมสนใจวัด PL สำหรับเพิ่มประสิทธิภาพการเจริญเติบโตของเซลล์แสงอาทิตย์ dilute nitride

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ในงานนี้เราจะตรวจสอบความสัมพันธ์ระหว่างคุณสมบัติทางแสงและไฟฟ้าแสงของ GaAsPN / GAP พี i-n-เซลล์แสงอาทิตย์เติบโตขึ้นโดย MBE ในช่องว่าง (001) พื้นผิว รูปแบบ photoluminescence เป็นคนแรกที่เสนอเพื่อดึงความผันผวน compositional ระยะยาวระดับพลังงานที่ได้จากสเปกตรัมอุณหภูมิต่ำ photoluminescence ของวัสดุ GaAsPN เจือจาง-ไนไตรด์ เซลล์แสงอาทิตย์ที่ปลูกที่มีเนื้อหาเดียวกันไนโตรเจนที่อุณหภูมิที่แตกต่างกันเผยให้เห็นการแสดงไฟฟ้​​าแตกต่างกันมาก 4.08 mA / cm2 ลัดวงจรความหนาแน่นกระแสไฟฟ้าได้รับว่าเป็นมูลค่าที่ดีเยี่ยมที่ได้รับความหนาโช้คขนาดเล็ก (300 นาโนเมตร) และวัสดุ bandgap สูง เปรียบเทียบระหว่างเซลล์แสงอาทิตย์เรืองแสง I-V (ภายใต้การส่อง AM1.5G) และพารามิเตอร์ IQE เปิดเผยความสัมพันธ์ระหว่างพารามิเตอร์แสงและไฟฟ้าของพวกเขา ผลลัพธ์เหล่านี้เสริมสร้างความน่าสนใจสำหรับการวัด PL ไนไตรด์เจือจางเซลล์แสงอาทิตย์เพิ่มประสิทธิภาพการเจริญเติบโต

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

ในงานวิจัยนี้ศึกษาความสัมพันธ์ระหว่างสมบัติทางแสงและ electro-optical ของ gaaspn ช่องว่าง / p –ฉัน– N เซลล์แสงอาทิตย์เติบโตขึ้นโดย MBE ในช่องว่าง ( 001 ) ท เป็นแบบรุ่นแรก เสนอแยกช่วงยาวส่วนประกอบของสเปกตรัมพลังงานระดับจากแบบอุณหภูมิต่ำของ gaaspn เจือวัสดุไนไตรด์ . เซลล์แสงอาทิตย์ที่ปลูกกับไนโตรเจนที่อุณหภูมิที่แตกต่างกันเปิดเผยการแสดงไฟฟ้าที่แตกต่างกันมาก เป็น 4.08 MA / cm2 ความหนาแน่นกระแสลัดวงจรได้ นั่นคือ มูลค่าที่ดีเยี่ยมให้ความหนาดูดขนาดเล็ก ( 300 นาโนเมตร ) และสูงวัสดุ bandgap . การเปรียบเทียบระหว่างแบบเซลล์แสงอาทิตย์ฉัน– V ( ภายใต้แสง am1.5g ) และพารามิเตอร์ iqe เปิดเผยความสัมพันธ์ระหว่างแสงและพารามิเตอร์ทางไฟฟ้า ผลลัพธ์เหล่านี้เสริมการวัดความสนใจที่จะเจือจางของไนไตรด์ โซล่าเซลล์ การเพิ่มประสิทธิภาพ