Co-doped SnO2 thin films are grown

Co-doped SnO2 thin films are grown on sapphire (0001) substrates at 600 °C by the technique of dual-beam pulsed laser deposition.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

ร่วม doped SnO2 ปลูกฟิล์มบางบนแซฟไฟร์ (0001) พื้นผิวที่ 600 ° C โดยเทคนิคของสะสมสองลำแสงเลเซอร์พัล

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

ฟิล์มบาง SnO2 ร่วมเจือได้รับการปลูกในไพลิน (0001) พื้นผิวที่ 600 องศาเซลเซียสโดยใช้เทคนิคของคู่ลำแสงเลเซอร์ชีพจรสะสม

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

Co เจือ SnO2 ฟิล์มจะโตในแซฟไฟร์ ( 0001 ) พื้นผิวที่ 600 องศา C โดยใช้เทคนิคแบบพัลส์เลเซอร์คานฝาก