2. Experiments and measurementsThe

2. Experiments and measurements
The a-SiGe thin films are fabricated in a capacitively coupled
radio frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (RFPECVD)
system with a base vacuum of 10
5 Pa. The substrate
temperature is fixed at 270 C. The reactive gases for the deposition
of thin films include silane (SiH4), germane (GeH4), hydrogen (H2),
trimethylboron (TMB) and phosphine (PH3). The flow rate is shown
in standard cubic centimeters per minute (sccm). The pressure and
gas flow are independently controlled by a downstream throttle
valve controller and upstream mass flow controllers, respectively.
The solar cells are fabricated with the structure of glass/textured
SnO2:F/p-i-n a-SiGe/ITO/Ag. The area is 0.30 cm2
. The ITO films are
deposited by intermediate frequency magnetron sputtering from a
sintered ceramic SnO2-doped In2O3 (10 wt.%) in an argon atmosphere.
The Ag films are obtained by direct current magnetron
sputtering from pure Ag target, respectively.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

2. การทดลอง และการวัดมีประดิษฐ์ฟิล์มบางมี SiGe ในคู่ capacitivelyความถี่วิทยุช่วยเพิ่มการสะสมไอสารเคมี (RFPECVD)ระบบสูญญากาศฐานของมี่ 10 5 พื้นผิวอุณหภูมิคงที่ที่ค. 270 ก๊าซปฏิกิริยาสำหรับการสะสมของฟิล์มบางมี silane (SiH4), germane (GeH4), ไฮโดรเจน (H2),trimethylboron (ทหารไทย) และ phosphine (PH3) แสดงอัตราการไหลในมาตรฐานลูกบาศก์เซนติเมตรต่อนาที (sccm) ความดัน และเค้นปลายอิสระควบคุมก๊าซไหลวาล์วควบคุมและตัวควบคุมการไหลมวลขั้นต้น ตามลำดับมีประดิษฐ์เซลล์แสงอาทิตย์ มีโครงสร้างของพื้นผิว/แก้วSnO2:F p-i-n / a-SiGe/ITO/Ag พื้นที่เป็น 0.30 cm2. มีฟิล์ม ITOฝากเงิน โดยความถี่กลาง magnetron สปัตเตอร์จากการเผา In2O3 เจือ SnO2 เซรามิก (10 wt.%) ในบรรยากาศอาร์กอนภาพยนตร์ Ag ได้ โดย magnetron กระแสตรงสปัตเตอร์จากเป้าหมายบริสุทธิ์ Ag ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

2. การทดสอบและการวัด
ภาพยนตร์บาง-SiGe ประดิษฐ์ในคู่ capacitively
สะสมไอเคมีความถี่วิทยุเพิ่มพลาสม่า (RFPECVD)
ระบบสูญญากาศฐานของ 10? 5 Pa. สารตั้งต้นที่
อุณหภูมิคงที่ 270 องศาเซลเซียสคลังก๊าซ สำหรับการสะสม
ของฟิล์มบาง ได้แก่ ไซเลน (SiH4) ชิด (GeH4) ไฮโดรเจน (H2)
trimethylboron (TMB) และฟอสฟีน (PH3) อัตราการไหลจะแสดง
ในมาตรฐานลูกบาศก์เซนติเมตรต่อนาที (SCCM) ความดันและ
ก๊าซไหลจะถูกควบคุมอย่างอิสระโดยเค้นปลายน้ำ
. ควบคุมวาล์วและตัวควบคุมการไหลของมวลต้นน้ำตามลำดับ
เซลล์แสงอาทิตย์จะถูกประดิษฐ์ที่มีโครงสร้างของกระจก / พื้นผิว
SnO2: F / A-pin SiGe / ITO / Ag พื้นที่เป็น 0.30
cm2 ภาพยนตร์ ITO จะ
ฝากความถี่กลางแมกสปัตเตอร์จาก
เผาเซรามิก SnO2 เจือ In2O3 (10 WT.%) ในชั้นบรรยากาศอาร์กอน.
ภาพยนตร์เอจีจะได้รับโดยแมกกระแสตรง
สปัตเตอร์จากเป้าหมาย Ag บริสุทธิ์ตามลำดับ

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

2 . การทดลองและการวัดการ a-sige ฟิล์มจะถูกประดิษฐ์ใน capacitively คู่วิทยุความถี่พลาสมาเพิ่มขึ้น chemical vapor deposition ( rfpecvd )กับระบบฐานสูญญากาศ 105 . พื้นผิวอุณหภูมิคงที่เท่ากับ 270 C Reactive ก๊าซสำหรับคำให้การของฟิล์มบางมีไซเลน ( sih4 ) ภาษาเยอรมัน ( geh4 ) ไฮโดรเจน ( H2 )trimethylboron ( TMB ) และฟอสฟีน ( ph3 ) อัตราการไหลที่แสดงในลูกบาศก์เซนติเมตร ต่อนาที ( sccm ) ความดันและอัตราการไหลของแก๊สที่ถูกควบคุมอย่างอิสระโดยเค้นท้ายน้ำวาล์วควบคุมและควบคุมการไหลของมวลน้ำ ตามลำดับเซลล์แสงอาทิตย์จะถูกประดิษฐ์ด้วยโครงสร้างของแก้ว / พื้นผิวSnO2 : F / p-i-n a-sige / ITO / Ag . พื้นที่ 13 ตร. ซม.. อิโตะภาพยนตร์เป็นฝากด้วยแมกนีตรอนสปัตเตอริงจากความถี่กลางผงเซรามิกเจือ SnO2 In2O3 ( 10 % โดยน้ำหนัก ) ในบรรยากาศอาร์กอน .ภาพยนตร์โดยจะได้รับโดยตรอนในปัจจุบันโดยตรงรายงานจากเป้าหมาย เอจีที่บริสุทธิ์ตามลำดับ