n Fig- 3 b) and going horizontally

n Fig- 3 b) and going horizontally across the surface. The line scan clearly shows the nanotube structure The fact that the above nanotubes were imaged using low tip-sample voltages of 75 mv, typically used for metals, is evidence that these nanotubes are metallic. To directly test this hypothesis, we measured the I-V curves of individual nanotubes. From the I-V curves, one can deterrmine the con ductivity di/d L' and electronic density of states CDOSD p from the expression pox(di/d VO/(1/v). 13 It is well known that for a metal one has a linear I-V curve about the Fermi evel at a tip-sample voltage of o V, whereas the DOS of a semiconductor leads to the absence of tunneling current about the Fermi level due to the band gap 1-r spectros copy has been used to study the band structure of metal and quantum well nanostructures and the electronic structure of passivated and nonpassivated Si 16 and GaAs 17 surfaces in air. curves were measured for all the nanotubes in Fig 30b, and the 11OPG substrate. Figure 4(a) shows the 1. curve for a carbon nanotube with diameter of 2.O nm mnea sured at the location indicated by the in Fig. 30b). A linear relationship for tip-sample voltage from 80 to 80 m V about the Ferren i level at O V is observed, indicating a curves for all nanotubes in Fig. 30b) metallic DOS.

ผลลัพธ์ (ไทย) 1:

b n ในรูป 3) และในแนวนอนไปบนผิว การสแกนรายการชัดเจนแสดงโครงสร้างของท่อนาโนจริง nanotubes ข้างต้นถูกถ่ายภาพโดยใช้คำแนะนำอย่างแรงดันต่ำของ 75 mv โลหะที่ใช้ nanotubes เหล่านี้ใช้โลหะเป็นหลักฐาน การทดสอบสมมติฐานนี้โดยตรง เราวัดโค้ง-V ของแต่ละบุคคล จากโค้ง-V หนึ่งสามารถ deterrmine คอน ductivity di/d L' และความหนาแน่นอิเล็กทรอนิกส์ของอเมริกาที่ CDOSD p จากอีสุกอีใสนิพจน์ (di/d VO/(1/v). 13 ที่เป็นที่รู้จักกันดีที่หนึ่งโลหะมีเส้นโค้งเส้นผม V เกี่ยวกับ evel พลังงานแฟร์มีที่แรงดันไฟฟ้า o V ตัวอย่างคำแนะนำในขณะที่ DOS ของสารกึ่งตัวนำที่นำไปสู่การขาดของการทันเนลปัจจุบันเกี่ยวกับระดับพลังงานแฟร์มีเนื่องจากวงช่องว่าง spectros 1 r มีการใช้สำเนาการศึกษาโครงสร้างของโลหะ และควอนตัมดี nanostructures วงและโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ ของ passivated nonpassivated ศรี 16 และ GaAs 17 พื้นผิว และในอากาศ เส้นโค้งที่วัด nanotubes ทั้งหมดในรูปต้ม 30b และพื้นผิว 11OPG 4(a) ภาพแสดง 1 เส้นสำหรับท่อนาโนคาร์บอนที่มีเส้นผ่าศูนย์กลางของ 2.O nm mnea การณ์ที่ตำแหน่งที่ระบุในรูปต้ม 30b) ความสัมพันธ์เชิงเส้นสำหรับคำแนะนำอย่างแรงจาก 80 80 m V เกี่ยวกับ Ferren ที่ผมระดับที่ O V จะสังเกต แสดงเส้นโค้งสำหรับ nanotubes ทั้งหมดในรูปต้ม 30b) โลหะ DOS

ผลลัพธ์ (ไทย) 2:

n รูปที่ 3 ข) และแนวนอนไปทั่วพื้นผิว สแกนเส้นแสดงให้เห็นชัดเจนโครงสร้างนาโนความจริงที่ว่าท่อนาโนดังกล่าวข้างต้นได้รับการถ่ายภาพโดยใช้แรงดันไฟฟ้าต่ำสุดตัวอย่าง MV 75, มักจะใช้สำหรับโลหะเป็นหลักฐานที่แสดงว่าท่อนาโนเหล่านี้เป็นโลหะ เพื่อทดสอบสมมติฐานนี้โดยตรงเราวัดเส้นโค้งที่สี่ของแต่ละท่อนาโน จากเส้นโค้ง IV หนึ่งสามารถ deterrmine นักโทษ ductivity di / D L 'และความหนาแน่นอิเล็กทรอนิกส์ของรัฐ CDOSD P จากโรคฝีแสดงออก (di / D VO / (1 / v). 13 เป็นที่รู้จักกันดีว่าเป็นโลหะหนึ่งที่มี เส้น IV โค้งเกี่ยวกับ Evel แฟร์ที่แรงดันปลายตัวอย่างของ o V ขณะที่ดอสเซมิคอนดักเตอร์ที่นำไปสู่​​การขาดงานของอุโมงค์ปัจจุบันเกี่ยวกับแฟร์ระดับเนื่องจากช่องว่างแถบ spectros 1-R สำเนาถูกนำมาใช้เพื่อการศึกษา โครงสร้างกลุ่มโลหะและควอนตัมดีโครงสร้างนาโนและโครงสร้างอิเล็กทรอนิกส์ของ Passivated และ nonpassivated ศรี 16 และ GaAs 17 พื้นผิวในอากาศ. โค้งวัดสำหรับท่อนาโนทั้งหมดที่อยู่ในรูปที่ 30b และสารตั้งต้น 11OPG ได้. รูปที่ 4 (ก) แสดงให้เห็นถึง 1 . โค้งสำหรับท่อนาโนคาร์บอนที่มีขนาดเส้นผ่าศูนย์กลาง mnea 2.O นาโนเมตร sured ที่สถานที่ที่ระบุโดยในรูป. 30B) ความสัมพันธ์เชิงเส้นสำหรับแรงดันไฟฟ้าที่ปลายตัวอย่าง 80-80 M V เกี่ยวกับฉัน Ferren ระดับ OV เป็นที่สังเกตได้แสดงให้เห็นเส้นโค้งสำหรับท่อนาโนทั้งหมดในรูป 30b) โลหะ DOS

ผลลัพธ์ (ไทย) 3:

3 Fig - B）和N的表面。在将horizontally）线扫描结构的好处是：事实nanotube凝集在使用的是低电压nanotubes tip-sample每影像的情况，通常用75 evidence那，是为这些metals金属nanotubes。“这是直接测量的测试，我们hypothesis I-V曲线。从individual nanotubes的I-V of一个可以对曲线的生产力，deterrmine di / d电子密度的L和P的表达从最让美国CDOSD（di / dVO /（1 / V）。这是13称这为一个一个都有一个金属的费米I-V关于线性曲线在电压水平tip-sample of ao V，whereas DOS的一个leads到半导体的费米absence of current level是由于隧道带到用能谱1-r缺口已被复制到该金属带结构的研究和电子nanostructures和量子井passivated结构的GaAs和Si表面和nonpassivated 16 17空气测量。在所有的nanotubes是曲线。在Fig 30B，和衬底。Figure 11OPG 4凝集（a）为一个碳- 1。nanotube曲线的确定与diameter mnea 2.O海里通过在indicated的位置。在Fig 30B）为线性关系.从tip-sample电压V m是的80 80 to我是在Ferren O LEVEL A V曲线，观察到在所有indicating 30B）。nanotubes金属Fig DOS。